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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

2021-04-16
作者:安森美半導(dǎo)體亞太方案中心市場(chǎng)營(yíng)銷工程師
來(lái)源:安森美半導(dǎo)體

日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見(jiàn)在加速全球電動(dòng)汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來(lái)在未來(lái)幾年巨大的增長(zhǎng)空間,根據(jù)最近的趨勢(shì),到2024年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR(TAM))估計(jì)將達(dá)到37.6%或更高。對(duì)于全球OBC模塊正在設(shè)計(jì)中的汽車,提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。

用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡(jiǎn)單功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(圖1)是個(gè)傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個(gè)用于輸入交流整流的二極管全橋和一個(gè)PFC控制器,以增加負(fù)載的功率因數(shù),從而提高能效并減少施加在交流輸入電源上的諧波。這種流行的PFC升壓拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)是設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,實(shí)施成本低且性能可靠。然而,二極管橋式整流器的導(dǎo)通損耗是不可避免的,且這將不支持車輛向AC電網(wǎng)提供電能的雙向運(yùn)行。采用多通道交錯(cuò)式傳統(tǒng)升壓轉(zhuǎn)換器,對(duì)升壓電路進(jìn)行多次迭代,可改善某些系統(tǒng)性能參數(shù),但并不能省去輸入二極管橋。

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圖1:傳統(tǒng)的PFC

仿真數(shù)據(jù)(圖2)表面,在PFC塊中,輸入二極管橋的功率損耗比其他所有元器件損耗都要大。

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圖2: PFC中的功率損耗分布

為了提高OBC系統(tǒng)的能效,人們研究了不同的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括傳統(tǒng)PFC、半無(wú)橋PFC、雙向無(wú)橋PFC和圖騰柱無(wú)橋PFC。其中,圖騰柱PFC(圖3)由于減少了元器件數(shù)量,降低了導(dǎo)通損耗,且能效高,因而廣受歡迎。

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圖3:無(wú)橋圖騰柱PFC

傳統(tǒng)的硅(Si) MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)渲械倪B續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下工作,因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅(SiC) MOSFET采用全新的技術(shù),比Si MOSFET具有更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能、極小的反向恢復(fù)時(shí)間、低導(dǎo)通電阻RDS(on)和更高的可靠性。此外,緊湊的芯片尺寸確保了器件的低電容和低門極電荷(QG)。

設(shè)計(jì)OBC的另一個(gè)挑戰(zhàn)是,車輛中分配給模塊的空間有限。在功率要求和電池電壓不斷提高的同時(shí),設(shè)計(jì)既能滿足機(jī)械尺寸要求又能提供所需輸出功率的OBC變得越來(lái)越困難。使用當(dāng)前用于OBC的技術(shù),工程師們不得不在功率、尺寸和能效之間進(jìn)行權(quán)衡,而SiC正在突破這些設(shè)計(jì)障礙。工程師使用具有更高開(kāi)關(guān)頻率的SiC,可使用更小的電感器,仍能達(dá)到以前相同的電感器紋波電流要求。

在OBC系統(tǒng)中使用SiC MOSFET的好處是能夠以更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān),功率密度更高,能效更高,EMI性能得到改善以及系統(tǒng)尺寸減小。如今,SiC已廣泛使用,工程師可在設(shè)計(jì)中使用圖騰柱PFC來(lái)提高性能。

安森美半導(dǎo)體方案中心最新發(fā)布的采用6.6 kW圖騰柱PFC的OBC評(píng)估板為多通道交錯(cuò)式無(wú)橋圖騰柱PFC拓?fù)涮峁┝藚⒖荚O(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)在每個(gè)高速支路包括一個(gè)隔離的高電流、高能效IGBT驅(qū)動(dòng)器(NCV57000DWR2G)和兩個(gè)高性能SiC MOSFET (NVHL060N090SC1)。此外,低速支路采用兩個(gè)由單片高邊和低邊門極驅(qū)動(dòng)器IC (FAN7191_F085) 控制的650 V N溝道功率MOSFETSUPERFET?III (NVHL025N65S3)。

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圖4: 6.6 kW交錯(cuò)式圖騰柱PFC評(píng)估板

在圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中采用這些高性能SiC MOSFET配置,系統(tǒng)能效達(dá)到97% (典型值)。該設(shè)計(jì)包括硬件過(guò)流保護(hù)(OCP)、硬件過(guò)壓保護(hù)(OVP)和輔助配電系統(tǒng)(非隔離),可為PFC板和控制板上的每個(gè)電路供電,而無(wú)需其它直流源。靈活的控制接口可適應(yīng)各種控制板。

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圖5: 6.6 kW交錯(cuò)式圖騰柱PFC評(píng)估板框圖

 


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