3月2日，嘉興斯達半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“斯達半導(dǎo)”）發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，公司擬定增不超35億元，投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項目。

　　公告顯示，斯達半導(dǎo)本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元（含本數(shù)），募集資金扣除相關(guān)發(fā)行費用后將用于投資高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目、以及補充流動資金。

　　政策助力，中國功率半導(dǎo)體迎發(fā)展良機

　　第三代半導(dǎo)體具備高頻、高效、高功率、耐高溫高壓等特點，契合節(jié)能減排、智能制造等國家重大戰(zhàn)略需求，已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)新的競爭焦點。

　　近年來，國家政策的大力支持給第三代半導(dǎo)體和功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展帶來了良好的機遇。

　　為推動支持SiC等第三代半導(dǎo)體材料的制造及應(yīng)用技術(shù)突破，國家引發(fā)了多項鼓勵性和支持性政策，將SiC、GaN和AlN等第三代半導(dǎo)體材料納入重點新材料目錄。

　　國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃也已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向國家科技部、工信部、北京市科委牽頭成立了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA），推動我國第三代半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　科技部在國家科技支撐計劃重點項目《電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制》中，重點支持IGBT芯片和模塊的研發(fā)。

　　此外，工信部也在電子發(fā)展基金中也對IGBT器件及模塊進行了資助。

　　目前，中國是全球最大的功率半導(dǎo)體市場，在新基建的產(chǎn)業(yè)環(huán)境下，5G、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制等諸多產(chǎn)業(yè)對功率半導(dǎo)體產(chǎn)生了巨大的需求，隨著功率半導(dǎo)體市場的持續(xù)發(fā)展與國產(chǎn)替代進程的加速，功率半導(dǎo)體具有廣闊的市場前景。

　　斯達半導(dǎo)加碼碳化硅功率芯片

　　高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目由斯達半導(dǎo)全資子公司嘉興斯達微電子有限公司負責(zé)實施，總投資金額20億元。

　　項目擬通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施，購置光刻機、顯影機、刻蝕機、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備，實現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項目達產(chǎn)后，預(yù)計將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。

　　斯達半導(dǎo)體表示，本項目的實施，有助于加快我國第三代半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)突破，實現(xiàn)新能源汽車核心器件的國產(chǎn)化，改善智能電網(wǎng)、軌道交通等基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵零部件嚴重依賴進口的局面，推動高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片國產(chǎn)化進程。

　　功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目由嘉興斯達半導(dǎo)體股份有限公司負責(zé)實施，總投資金額為7億元。

　　該項目擬利用現(xiàn)有廠房實施生產(chǎn)線自動化改造項目，購置全自動劃片機、在線式全自動印刷機、在線式全自動貼片機、在線式全自動真空回流爐、在線式全自動清洗機等設(shè)備，實施功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目。項目達產(chǎn)后，預(yù)計將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力。

　　斯達半導(dǎo)表示，實施以IGBT、SiC模塊為主的功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目，將進一步擴大公司產(chǎn)能，有助于提高市場占有率。