眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，不需要電源即可保留數(shù)據(jù)。隨著用于數(shù)據(jù)中心的IT設備和服務器需要更大的存儲容量，盡可能多地堆疊薄層已成為NAND閃存芯片制造商的首要任務。
三星尚未公布其最新的NAND堆棧技術(shù)，該技術(shù)超越了其當前的128層芯片，而競爭對手如SK hynix，美光（Micron）和Kioxia都在爭相展示前沿設計。這促使分析人士認為，存儲芯片巨頭可能正在失去其技術(shù)優(yōu)勢。去年11月，美國芯片制造商美光宣布開發(fā)出業(yè)界首款176層NAND閃存芯片。SK Hynix隨后在12月發(fā)布了自己的176層芯片。
日本的Kioxia最近還宣布，它與Western Digital一起成功開發(fā)了162層3D NAND。他們說，新產(chǎn)品比以前的112層技術(shù)小40％，可以提供更高的密度和更低的讀取延遲。
Objective Analysis的半導體行業(yè)分析師Jim Handy表示，三星在NAND閃存行業(yè)的領導地位不會很快改變，但他同意三星在堆疊更多層方面正在失去競爭力?！笆堑?，三星落后于競爭對手。這并不是三星首次落后于NAND閃存競爭。我記得2012年，三星采用27納米工藝的最不先進工藝，而其他所有人都在采用24納米工藝或25納米零件?！痹摲治鰩煾嬖V《韓國時報》。
當被問及三星為什么尚未宣布其新的NAND閃存具有比162或176層更高的堆棧數(shù)量時，Handy指出，該公司過于依賴單平臺技術(shù)，而其競爭對手將堆棧分為兩層。
據(jù)我所知，擁有更高的堆棧是增加存儲容量的最有效方法。三星一直在尋求一條更艱難的道路。三星通過使用單層方法增加了層數(shù)，而其他公司則遷移到了兩層。從理論上講，單個平臺的生產(chǎn)成本應該較低，但是開發(fā)時間會更長，這似乎就是三星落后的原因?！?/p>
三星預計，隨著更多智能手機的銷售，今年對NAND芯片的需求將會增加，而長期的社會疏離措施也將推動筆記本電腦等IT設備的銷售。為了滿足服務器需求，今年數(shù)據(jù)中心還將越來越多地訂購NAND芯片。
為了更好地與競爭對手競爭，三星公司還準備采用雙層方法推出第七代V-NAND，該公司首席財務官崔允浩說。
”為了向您提供有關(guān)NAND的更新，我們的單堆棧第六代V-NAND已經(jīng)完成了產(chǎn)能提升。今年，我們將擴大生產(chǎn)。在下一代產(chǎn)品中，第七代V -NAND，我們計劃首次采用雙堆棧，“崔在一月份告訴投資者。”這將為我們提供行業(yè)中最小的堆疊高度的優(yōu)勢。最重要的是，通過使用我們積累的單層堆疊技術(shù)知識，我們期望即使在多層堆疊的情況下也能保持出色的成本競爭力在第七代V-NAND上?！?/p>
盡管該公司有遠見，但分析師表示，新方法能否使三星看到明顯更好的結(jié)果還有待觀察。
”開發(fā)單層設備比較困難，這減慢了三星的發(fā)展速度。三星表示將為其第七代V-NAND使用兩層方法。由于三星尚未生產(chǎn)兩層設備，因此，甲板上的NAND，它必須學習如何做其競爭對手已經(jīng)非常了解的事情。“
但是他并沒有改變他對三星將繼續(xù)領導NAND市場的看法。”三星正在保持其市場份額的領先地位。這是該公司的主要重點，因此我認為這不會改變。在技術(shù)上，三星有時會領先，有時還會跟隨。如今，該公司的NAND技術(shù)落后于某些競爭對手，分析師說。
分析師表示，毫無疑問，三星將保持其在NAND閃存業(yè)務中的領先地位，但從長遠來看，對韓國公司最大的威脅可能是中國制造商長江存儲。
YMTC去年宣布開發(fā)128層3D NAND，從而在存儲芯片行業(yè)大放異彩。該公司并未正式宣布它有能力批量生產(chǎn)該產(chǎn)品，但是128層NAND的成功開發(fā)可能會增加其在該行業(yè)的占有率。
這位分析師表示，在中國管理者努力使中國成為芯片行業(yè)領導者之一的支持下，YMTC有望實現(xiàn)穩(wěn)定增長。
他說：“三星在NAND閃存中最大的長期威脅是中國的YMTC。YMTC擁有令人難以置信的資本來籌集新的生產(chǎn)設施。” “只要該公司學習如何大量生產(chǎn)NAND閃存，它就會通過搶占其他NAND閃存制造商的市場份額而迅速增長。當這種情況發(fā)生時，我相信三星可能會失去其排名第一的地位。”