近日,湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目(一期)Ⅰ標(biāo)段濺度廠房實(shí)現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂。這是該項(xiàng)目繼M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房順利完成主體結(jié)構(gòu)封頂之后,項(xiàng)目建設(shè)迎來的又一個重要時(shí)刻。
據(jù)介紹,濺鍍廠房位于該項(xiàng)目的東南角,占地面積5500平方米,總建筑面積約6000平方米,該廠房主要作用是通過濺鍍技術(shù)對芯片的各個表面進(jìn)行濺鍍薄膜以保護(hù)芯片。該棟單體于10月5日開挖承臺,12月2日完成正負(fù)零結(jié)構(gòu)施工,12月25日完成最后一塊屋面澆筑。
M4碳化硅長晶廠房單體占地面積8000平方米,建筑面積1.2萬平方米,為所有單體中建筑面積第四大單體,建筑結(jié)構(gòu)為鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)。該單體于9月3日正式動土,于12月24日順利完成主體結(jié)構(gòu)封頂。M4碳化硅長晶廠房結(jié)構(gòu)封頂打通了湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目全產(chǎn)業(yè)鏈全面封頂?shù)闹匾画h(huán)。
M3器件封裝廠房占地面積達(dá)1.1萬平方米,建筑面積達(dá)3.3萬平方米,為整個項(xiàng)目建筑最高、結(jié)構(gòu)層數(shù)最多的單體。該單體自9月1日開工以來,于12月20日完成封頂施工,比原計(jì)劃整體提前7天。
據(jù)了解,這三棟單體實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)封頂,標(biāo)志著整個項(xiàng)目第二階段的主體施工接近尾聲,后續(xù)廢水站、M1A長晶、M2B芯片廠房將相繼在2021年1月中旬及下旬完成封頂,屆時(shí),該半導(dǎo)體項(xiàng)目全產(chǎn)業(yè)鏈將全面打通。