根據(jù)外媒報導，隨著2021年全球三大存儲器廠將陸續(xù)大規(guī)模量產(chǎn)下一代DDR5 DRAM，預(yù)計存儲器市場將迎接下一個成長周期，這使得三星、SK海力士、美光等三大存儲器公司正在加緊技術(shù)開發(fā)，以面對市場競爭而搶攻市占率。

　　根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導，全球存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭韓國三星電子計劃在2021年下半年正式推出DDR5 DRAM。

　　相較于當前產(chǎn)品DDR4的規(guī)格，DDR5 DRAM的傳輸速率可高達6400Mbps，是DDR4 DRAM 3200Mbps的2倍。另外，DDR5的工作電壓為1.1V，這比DDR4的1.2V降低了9%。而且，DDR5的最大容量為64Gb，這部分則是DDR4產(chǎn)品的4倍。

　　而因為其性能突出，使得DDR5產(chǎn)品價格即便稍高于DDR4，但因為世代交替的市場需求下，仍有空間為存儲器廠帶來獲利，這也是預(yù)期全球存儲器產(chǎn)業(yè)將迎接新成長周期的主因。

　　報導強調(diào)，根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，DDR5在PC DRAM市場中的市占率，將從2020年的不到1%，成長到2021年的10%，足足是10倍以上的成長。尤其是DDR5產(chǎn)品在服務(wù)器DRAM市場中，其市占率也將從2020年的4%，提升到2021年的15%。

　　因此，在市場快速成長的情況下，全球三大存儲器廠都開始準備搶攻商機。

　　其中，韓國SK海力士已經(jīng)在2020年的10月6日首次公開發(fā)表DDR5 DRAM，而競爭對手三星則是預(yù)計自2021年開始量產(chǎn)第4代10納米級的DDR5和LPDDR5。

　　至于，美商存儲器大廠美光則是在2020年初宣布，已經(jīng)開始向客戶出樣最新DDR5存儲器，以第3代10納米級1z納米制程打造，性能提升85%。

　　而除了DDR5的DRAM競爭之外，存儲器廠商也在NAND Flash快閃存儲器的發(fā)展上相互角力。

　　其中，美光在2020年11月宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)全球首批176層堆疊的NAND Flash快閃存儲器。美光指出，新的176層堆疊NAND Flash快閃存儲器在讀寫方面的性能提高了35%以上，而且與同類最佳競爭對手相較，其尺寸更減少了30%。

　　繼美光之后，SK海力士也在2020年12月7日宣布已經(jīng)完成176層堆疊NAND Flash快閃存儲器的開發(fā)。SK海力士強調(diào)，隨著新產(chǎn)品的生產(chǎn)率提高35%以上，則176層堆疊的NAND Flash快閃存儲器將能增加其市場價格競爭力。

　　此外，三星方面則是計劃2021年發(fā)布第7代V-NAND快閃存儲器。理論上，第7代V-NAND快閃存儲器最多可以達到256層堆疊的能力。

　　2020年10月，SK海力士宣布將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)，使得SK海力士在全球NAND Flash快閃存儲器市場的市占率有望達到20%以上。

　　TrendForce表示，截至2020年第3季為止，三星電子以33.1%的市占率在全球NAND Flash快閃存儲器市場中排名第一，鎧俠則以21.4%位居第2，西部數(shù)據(jù)的市占率則為14.3%，位居第3，SK海力士和英特爾的市占率則分別為11.3%和7.9%。

　　報導進一步強調(diào)，業(yè)界預(yù)期，NAND Flash快閃存儲器市場的成長將比DRAM市場更快，原因在于智能手機向5G發(fā)展，以及資料中心的服務(wù)器對SSD的需求所造成，這使得NAND Flash快閃存儲器市場到2024前將以每年30%到35%的速度增長，相較于DRAM的年平均成長率為15%到20%而言，NAND Flash快閃存儲器市場的成長速度快很多，也使得廠商更加注重NAND Flash快閃存儲器市場的發(fā)展。