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存儲(chǔ)廠商新一輪大戰(zhàn)在即

2020-12-23
來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: DDR5DRAM

  根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),隨著2021 年全球三大記憶體廠陸續(xù)將大規(guī)模量產(chǎn)下一代DDR5 DRAM 的情況下,預(yù)計(jì)記憶體市場(chǎng)將迎接下一個(gè)成長(zhǎng)周期,這使得三星、SK 海力士、美光等三大記憶體公司正在加緊技術(shù)開(kāi)發(fā),以面對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)而搶攻市占率。

  根據(jù)南韓媒體《BusinessKorea》報(bào)導(dǎo),全球記憶體產(chǎn)業(yè)龍頭的南韓三星電子計(jì)劃在2021 下半年正式推出DDR5 DRAM。相較于當(dāng)前產(chǎn)品DDR4 的規(guī)格,DDR5 DRAM 的傳輸速率可高達(dá)6,400 Mbps,是DDR4 DRAM 的3,200 Mbps 的2 倍。另外,DDR5 的工作電壓為1.1V,比DDR4 的1.2V 降低9%。DDR5 最大容量為64 Gb,是DDR4 產(chǎn)品4 倍。因?yàn)樾阅芡怀?,使DDR5 產(chǎn)品即便稍高于DDR4,但因?yàn)槭来灰椎氖袌?chǎng)需求下,仍有空間為記憶體廠帶來(lái)獲利,這也是預(yù)期全球記憶體產(chǎn)業(yè)將迎接新成長(zhǎng)周期的主因。

  報(bào)導(dǎo)強(qiáng)調(diào),根據(jù)市場(chǎng)研究及調(diào)查單位TrendForce 預(yù)測(cè),DDR5 在PC DRAM 市場(chǎng)中的市占率,將從2020 年的不到1%,成長(zhǎng)到2021 年10%,足足是10 倍以上的成長(zhǎng)。甚至, DDR5 產(chǎn)品在伺服器的DRAM 市場(chǎng)中,市占率也將從2020 年的4% 提升到2021 年15%。市場(chǎng)成長(zhǎng)快速情況下,全球三大記憶體廠都開(kāi)始準(zhǔn)備搶攻商機(jī)。南韓SK 海力士已在10 月6 日首次發(fā)表DDR5 DRAM,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)2021 年開(kāi)始量產(chǎn)第4 代10 納米級(jí)DDR5 和LPDDR5。美商記憶體大廠美光今年初宣布,已開(kāi)始向客戶出樣最新DDR5 記憶體,以第3 代10 納米級(jí)1z 納米制程打造,性能提升85%。

  除了DDR5 的DRAM 競(jìng)爭(zhēng),記憶體廠商也在NAND Flash 快閃記憶體發(fā)展角力。美光于11 月宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)全球首批176 層堆疊NAND Flash 快閃記憶體。美光指出,新176 層堆疊NAND Flash 快閃記憶體讀寫(xiě)方面性能提高35% 以上,且與同類最佳競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相較,尺寸更減少30%。繼美光之后,SK 海力士也在12 月7 日宣布完成176 層堆疊NAND Flash 快閃記憶體開(kāi)發(fā)。SK 海力士強(qiáng)調(diào),新產(chǎn)品生產(chǎn)率提高35% 以上,176 層堆疊的NAND Flash 快閃記憶體將能增加市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。三星方面則計(jì)劃2021 年發(fā)表第7 代V-NAND 快閃記憶體。理論上,第7 代V-NAND 快閃記憶體最多可達(dá)256 層堆疊能力。

  報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出,受惠于2020 年10 月,自處理器大廠英特爾收購(gòu)NAND Flash 快閃記憶體業(yè)務(wù),使SK 海力士全球NAND Flash 快閃記憶體市場(chǎng)市占率擴(kuò)大至23% 上下。TrendForce 表示,截至2020 年第3 季,三星電子以31.4% 市占率在全球NAND Flash 快閃記憶體市場(chǎng)中排名第一,鎧俠則以17.2% 位居第2,西部數(shù)據(jù)的市占率則為15.5%,位居第3,英特爾及SK 海力士則各以11.5% 的市占共同排名第4。

  報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步強(qiáng)調(diào),業(yè)界預(yù)期,NAND Flash 快閃記憶體市場(chǎng)的成長(zhǎng)將比DRAM 市場(chǎng)更快,原因在于智慧型手機(jī)向5G 發(fā)展,以及資料中心的伺服器對(duì)SSD 的需求所造成,這使得NAND Flash 快閃記憶體市場(chǎng)到2024 前將以每年30% 到35% 的速度增長(zhǎng),相較于而DRAM 的年平均成長(zhǎng)率為15%~20% 而言,NAND Flash 快閃記憶體市場(chǎng)的成長(zhǎng)速度快很多,也使得炒商更注重NAND Flash 快閃記憶體市場(chǎng)發(fā)展。

 


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