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基于NOR Flash的卷積計算單元的設計
《信息技術與網絡安全》2020年第5期
徐偉民1,黃魯1,蔣明峰2
1.中國科學技術大學 微電子學院,安徽 合肥 230026; 2.中國科學技術大學 信息科學技術學院,安徽 合肥 230026
摘要: 提出一種基于NOR Flash的模擬卷積運算單元,與同類模擬卷積運算單元相比具有高精度、高能耗比、低噪聲的特點。該單元采用存算一體架構,將卷積核的權重參數(shù)以閾值電壓的方式存儲在Flash中,輸入圖片經過模擬卷積運算得到輸出圖片。在SMIC 65 nm浮柵工藝下,使用SOBEL邊緣檢測算法評估該單元的性能。仿真結果表明,在3.3 V電源電壓,100 MHz時鐘下,實現(xiàn)一個3×3卷積核的Flash陣列的能耗比達到0.18 TOPS/W,卷積計算結果的峰值信噪比(PSNR)為39.05 dB。
中圖分類號:TN432
文獻標識碼:A
DOI: 10.19358/j.issn.2096-5133.2020.05.013
引用格式:徐偉民,黃魯,蔣明峰.基于NOR Flash的卷積計算單元的設計[J].信息技術與網絡安全,2020,39(5):63-68.
Abstract:
Key words :

深度學習在人臉識別、音頻識別、圖像分類等領域中得到廣泛應用。深度學習網絡具有大量的權重數(shù)據(jù)和大量的乘累加操作,極大的算力需求和功耗限制使得深度學習應用難以部署在物聯(lián)網終端設備。而在深度學習網絡中,卷積計算占用前向計算89%的時間,隨之產生巨大的功耗。所以高速、低功耗的卷積計算單元的設計成為迫切的需求。

主流的馮諾依曼架構中,計算單元和內存單元是兩個完全分離的單元,計算單元根據(jù)指令從內存讀取數(shù)據(jù),在計算單元完成計算,再存回內存。數(shù)據(jù)需要在計算單元和存儲單元之間進行頻繁的移動,因此帶來較大的功耗和較低的運算效率。存算一體架構將計算單元與內存單元合二為一,在存儲數(shù)據(jù)的同時完成運算,從而極大地減少了計算過程中數(shù)據(jù)存取的時間和功耗。實現(xiàn)存算一體化的介質有相變存儲PCM,靜態(tài)隨機存儲SRAM、浮柵器件Flash等。Flash具有工藝成熟、成本低等特點,因此本設計采用Flash作為存算一體的介質。具體做法是將卷積核的權值映射到Flash陣列的閾值電壓,然后Flash陣列進行高速、低功耗的模擬乘累加計算來加速卷積計算過程。

本文的主要內容在于:(1)利用Flash的線型區(qū)I/V特性,設計基于NOR Flash的模擬矩陣計算單元;(2)基于模擬矩陣計算單元,設計了基于NOR Flash的模擬卷積計算單元;(3)通過SOBEL邊緣檢測算子評估基于NOR Flash的卷積計算單元的性能。


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作者信息:

徐偉民1,黃魯1,蔣明峰2(1.中國科學技術大學 微電子學院,安徽 合肥 230026;

2.中國科學技術大學 信息科學技術學院,安徽 合肥 230026)


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