《電子技術(shù)應(yīng)用》
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中科院研發(fā)者回應(yīng)5nm光刻技術(shù)突破ASML壟斷:這是一個(gè)誤讀

2020-12-02
來(lái)源:芯智訊
關(guān)鍵詞: 中科院 5nm光刻技術(shù) 誤讀

  近日,中國(guó)科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布的一則研究進(jìn)展顯示,該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的新型5nm超高精度激光光刻加工方法,隨后這被外界解讀為,該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)突破了5nm ASML的壟斷,對(duì)此相關(guān)人士也是進(jìn)行了回應(yīng)。

  據(jù)《財(cái)經(jīng)》報(bào)道稱(chēng),該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導(dǎo)師劉前公開(kāi)回應(yīng)稱(chēng),這是一個(gè)誤讀,這一技術(shù)與極紫外光刻技術(shù)是兩回事。

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  按照劉前的說(shuō)法,如果超高精度激光光刻加工技術(shù)能夠用于高精度掩模版的制造,則有望提高我國(guó)掩模版的制造水平,對(duì)現(xiàn)有光刻機(jī)的芯片的線寬縮小也是十分有益的。這一技術(shù)在知識(shí)產(chǎn)權(quán)上是完全自主的,成本可能比現(xiàn)在的還低,具有產(chǎn)業(yè)化的前景。

  但是,即便這一技術(shù)實(shí)現(xiàn)商用化,要突破荷蘭ASML(阿斯麥)在光刻機(jī)上的壟斷,還有很多核心技術(shù)需要突破,例如鏡頭的數(shù)值孔徑、光源的波長(zhǎng)等。

  據(jù)悉,高端掩模版在國(guó)內(nèi)還是一項(xiàng)“卡脖子”技術(shù)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域,除了英特爾、三星、臺(tái)積電三家能自主制造外,高端掩模版主要被美國(guó)的Photronics、大日本印刷株式會(huì)社(DNP)以及日本凸版印刷株式會(huì)社(Toppan)三家公司壟斷,根據(jù)第三方市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù),這三家公司的市場(chǎng)份額占到全球的82%。

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  一直以來(lái),業(yè)界都在嘗試另一條技術(shù)路線,例如華裔科學(xué)家、普林斯頓大學(xué)周郁在1995年首先提出納米壓印技術(shù),目前仍無(wú)法突破商用化的困境

  目前的現(xiàn)狀是,沒(méi)有一個(gè)國(guó)家能夠獨(dú)立自主完成光刻機(jī)的制造,中國(guó)以一國(guó)之力,短期內(nèi)要突破ASML在極紫外光刻技術(shù)上的壟斷,幾乎是不可能的事情。

  



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