深圳 2020 年 11 月 23 日 / 美通社 / -- 江波龍電子嵌入式存儲品牌 FORESEE 推出了 3 款國產(chǎn)化內(nèi)存，分別為 DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心 DRAM 均采用長鑫存儲的顆粒，這標(biāo)志著中國存儲在質(zhì)量上開始參與市場競爭。

　　質(zhì)量創(chuàng)新｜FORESEE 推出 DDR4 國產(chǎn)化內(nèi)存

　　隨著全球存儲行業(yè)的高速發(fā)展，市場上的內(nèi)存層出不窮。那 FORESEE 國產(chǎn)化內(nèi)存與市場標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存有何差異？江波龍電子在質(zhì)量創(chuàng)新上又做了哪些舉措？下面將為大家一一揭曉。

　　從“芯”突破 國產(chǎn)化內(nèi)存的品質(zhì)之路

　　FORESEE 國產(chǎn)化內(nèi)存的核心 DRAM 率先采用長鑫存儲的 10nm 級最新版本 8Gb 顆粒，該顆粒已通過江波龍電子 EVT 完整的顆粒級測試。

　　在主頻方面，F(xiàn)ORESEE 國產(chǎn)化內(nèi)存的頻率為 2666MHz，綜合對比已達(dá)到國際一線水平。在設(shè)計(jì)架構(gòu)上，均采用 8Gb 顆粒，速度和穩(wěn)定性均有了很大的提升。

　　FORESEE 國產(chǎn)化內(nèi)存條產(chǎn)品參數(shù)

　　2019 年 9 月，長鑫存儲發(fā)布與國際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10nm 級第一代 8Gb DDR4。目前，長鑫存儲正使用其 10G1 技術(shù)來制造 8Gb DDR4 存儲器芯片，經(jīng)過多次迭代和優(yōu)化，其工藝已進(jìn)入國際化主流水平，其技術(shù)突破和自主制造已達(dá)到行業(yè)一流。

　　不斷完善測試流程 打造高質(zhì)量產(chǎn)品

　　江波龍電子具備完整的測試認(rèn)證試驗(yàn)流程和實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，提供材料科學(xué)實(shí)驗(yàn)室、可靠性實(shí)驗(yàn)室、靜電實(shí)驗(yàn)室三大實(shí)驗(yàn)室支持，可完整開展失效模式分析、可靠性分析和材料分析，并自制了一套全面的 DVT 驗(yàn)證項(xiàng)目流程和可靠性認(rèn)證流程，得到業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可。

　　江波龍測試項(xiàng)目

　　不同于行業(yè)常規(guī)的 Advantest 和 PC 測試，江波龍電子創(chuàng)新采用基于 10nm ASIC 的自主開發(fā)測試系統(tǒng)，提供最佳的顆粒 Margin 和耐受度測試方案。

　　整合優(yōu)質(zhì)的供應(yīng)鏈資源 為產(chǎn)品保駕護(hù)航

　　從原材料供應(yīng)到生產(chǎn)制造，皆為本土企業(yè)在國內(nèi)完成，這得益于中國存儲日益強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)鏈能力。

　　FORESEE 國產(chǎn)化內(nèi)存的 PCB 基板基于 JEDEC R/C 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)范，并已經(jīng)過市場各方面應(yīng)用 NPO。

　　除此之外，生產(chǎn)制造由國內(nèi)知名 MES 企業(yè)完成，通過完善的自動(dòng)化體系和精益化生產(chǎn)管理，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高質(zhì)量輸出，把守產(chǎn)品的質(zhì)量底線。

　　真實(shí)數(shù)據(jù) 展示硬核性能

　　FORESEE 新推出的國產(chǎn)化內(nèi)存已通過一系列兼容性測試，在單通、雙通、四通滿載 Loading 上都保持 100%的測試通過率，在穩(wěn)定性上的表現(xiàn)非常優(yōu)異。

　　目前也通過了國際主流方案的 Intel Z390、Intel H310、AMD B450 、AMD X570 和國產(chǎn)方案的飛騰 FT2000/4、鯤鵬 920 這些測試平臺，取得了不錯(cuò)的成績。

　　江波龍電子一直堅(jiān)持品牌、質(zhì)量、合規(guī)、價(jià)值的經(jīng)營理念，領(lǐng)先向全球用戶發(fā)布高品質(zhì)、高性能的存儲產(chǎn)品，不斷超越用戶對存儲產(chǎn)品的期望值。