昨天，拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布了2020年第三季度十大封測(cè)廠商營(yíng)收排名。

　　總體來看，這十家封測(cè)廠商在該季度的營(yíng)收總和上升至67.59億美元，同比增長(zhǎng)了12.9%。展現(xiàn)出封測(cè)業(yè)強(qiáng)勁的恢復(fù)和增長(zhǎng)勢(shì)頭。之所以如此，有兩大受益因素，一是宏觀應(yīng)用需求的增長(zhǎng)，特別是疫情下催生出了宅經(jīng)濟(jì)效應(yīng)，使得以5G通信、WiFi 6及車用芯片為代表的應(yīng)用需求持續(xù)上漲，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上的晶圓代工和封測(cè)業(yè)同步增長(zhǎng)。二是從9月15日起，針對(duì)華為的芯片元器件貿(mào)易禁令正式生效，進(jìn)而帶動(dòng)多數(shù)封測(cè)廠商趕在截止日前交貨，形成了一波業(yè)績(jī)高峰，而這種現(xiàn)象同樣出現(xiàn)在了晶圓代工業(yè)，特別是臺(tái)積電，第三季度的業(yè)績(jī)出奇的好，接連打破歷史記錄。

　　具體來看，與近兩年的榜單相比，這十家廠商沒有大的變化，都是老面孔，但它們的營(yíng)收同比變化卻非常明顯。

　　首先看一下排名前兩位的日月光（ASE）和安靠（Amkor），它們?cè)诘谌径鹊臓I(yíng)收分別為15.20億和13.54億美元，年增長(zhǎng)15.1%和24.9%。美國(guó)的安靠的增長(zhǎng)非常強(qiáng)勁，增長(zhǎng)率超過龍頭日月光很多，是這份榜單中的一大亮點(diǎn)。

　　其實(shí)，在產(chǎn)業(yè)處于低谷期的2019上半年，安靠在充滿挑戰(zhàn)的市場(chǎng)下表現(xiàn)就不錯(cuò)。2019下半年，該公司利用收入的增長(zhǎng)極大地提高了盈利能力。在細(xì)分領(lǐng)域，安靠通過參與各大旗艦手機(jī)主芯片的封測(cè)業(yè)務(wù)，實(shí)現(xiàn)了全年業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)，該公司是RF模塊和電源管理芯片封測(cè)的主要供應(yīng)商；而在汽車和工業(yè)領(lǐng)域，其先進(jìn)封裝收入占比同比增長(zhǎng)了14%。特別是在SiP封裝方面，安靠在2019下半年取得了巨大的份額提升。這也為其在2020年的良好業(yè)績(jī)奠定了一定的基礎(chǔ)。

　　中國(guó)大陸的封測(cè)三強(qiáng)江蘇長(zhǎng)電（JCET）、通富微電（TFME）、天水華天（Hua Tian）則呈現(xiàn)出了不同的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，通富微電在這三家當(dāng)中的表現(xiàn)亮眼，實(shí)現(xiàn)了13%的年增長(zhǎng)。

　　2016年，通富微電收購(gòu)了AMD檳城與AMD蘇州，提升了該公司的技術(shù)實(shí)力，使其能夠提供種類更為完整的倒裝芯片封測(cè)服務(wù)，同時(shí)能夠支持國(guó)產(chǎn)CPU、GPU、網(wǎng)關(guān)服務(wù)器、基站處理器、FPGA等產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)。

　　通富微電與AMD形成了“合資+合作”的聯(lián)合模式，作為全球頂尖CPU芯片設(shè)計(jì)廠商，AMD是通富微電最大的客戶，2019年貢獻(xiàn)了全公司49.32%的營(yíng)收。通富AMD蘇州作為第一個(gè)為AMD公司7nm全系列產(chǎn)品提供封測(cè)服務(wù)的工廠，2019年導(dǎo)入了6個(gè)封裝、8個(gè)測(cè)試新產(chǎn)品，成功接洽42個(gè)新客戶，產(chǎn)量需求大幅增加。另外，可能于2021年推出的5nm制程Zen4處理器同樣會(huì)給通富微電帶來大量的封裝訂單。

　　由于綁定了AMD這個(gè)優(yōu)質(zhì)大客戶，同時(shí)積極承接國(guó)內(nèi)外客戶高端封測(cè)業(yè)，進(jìn)一步擴(kuò)寬了銷售渠道。除了AMD，通富微電還擁有像聯(lián)發(fā)科、英飛凌這樣的大客戶。

　　由于與華為有著緊密的業(yè)務(wù)關(guān)系，使得矽品（SPIL）、京元電（KYEC）這兩家廠商同樣受惠于急單效應(yīng)，今年第三季度的營(yíng)收都不錯(cuò)，分別是8.79億和2.51億美元，同比增長(zhǎng)17.5%和11.6%。

　　力成（PTI）第三季度的營(yíng)收雖然達(dá)到6.47億美元，年增9.6%，但是其存儲(chǔ)器封測(cè)需求不如預(yù)期，力成逐步開展改革計(jì)劃，以降低長(zhǎng)期對(duì)于存儲(chǔ)器封裝需求的依賴，并出售或關(guān)閉了一些獲利較差的子公司。

　　頎邦（Chipbond）和南茂（ChipMOS）同是驅(qū)動(dòng)芯片封測(cè)大廠，因大尺寸面板LDDI、手機(jī)觸控面板感測(cè)芯片（TDDI）與iPhone 12的OLED驅(qū)動(dòng)IC芯片（DDI）等需求持續(xù)處于旺盛狀態(tài)，第三季度營(yíng)收分別達(dá)到1.97億和1.94億美元，同比增長(zhǎng)13.1%和12.4%，表現(xiàn)優(yōu)異。

　　主抓先進(jìn)封裝技術(shù)

　　目前，排名靠前的封測(cè)廠商競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈，要想在不久將來的競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置，除了拓展成熟業(yè)務(wù)外，強(qiáng)化先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)力度和商業(yè)化進(jìn)程是必然的選擇，特別是對(duì)于排名前兩位的日月光、安靠，以及中國(guó)大陸三強(qiáng)企業(yè)，更是如此。發(fā)展先進(jìn)的封測(cè)技術(shù)已經(jīng)成為包括中國(guó)大陸廠商在內(nèi)的全球封測(cè)業(yè)者共同追求的目標(biāo)。

　　先進(jìn)封測(cè)技術(shù)可以提高封裝效率、降低成本、提供更好的性價(jià)比。目前來看，先進(jìn)封裝主要包括倒裝（Flip Chip）、凸塊（Bumping）、晶圓級(jí)封裝（Wafer level package）、2.5D封裝、3D封裝（TSV）等技術(shù)。先進(jìn)封裝在誕生之初只有WLP、2.5D和3D這幾種，近年來，先進(jìn)封裝向各個(gè)方向快速發(fā)展，而每個(gè)開發(fā)相關(guān)技術(shù)的公司都將自己的技術(shù)獨(dú)立命名，如臺(tái)積電的InFO、CoWoS，日月光的FoCoS，Amkor的SLIM、SWIFT等。

　　Yole預(yù)測(cè)，2017~2022 年，全球先進(jìn)封裝技術(shù)：2.5D&3D，F(xiàn)an-out，F(xiàn)lip-Chip的收入年復(fù)合增長(zhǎng)率分別為28%、36%和8%，而同期全球封測(cè)行業(yè)收入年復(fù)合增長(zhǎng)率為3.5%，明顯領(lǐng)先于傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)。

　　在中國(guó)大陸地區(qū)，2015年以前，只有長(zhǎng)電科技能夠躋身全球前十，而在2017年，三家封測(cè)企業(yè)營(yíng)收分別增長(zhǎng) 25%、28%、42%。長(zhǎng)電科技一躍成為全球OSAT行業(yè)中收入的第3名。

　　在技術(shù)儲(chǔ)備方面， 在大陸三大龍頭封測(cè)企業(yè)當(dāng)中，長(zhǎng)電科技的先進(jìn)封裝技術(shù)優(yōu)勢(shì)最為突出。據(jù)悉，其掌握了Fan-out eWLB（embedded wafer level BGA），WLCSP（wafer-level chip scale packaging），SiP，Bumping，PoP（package on package）等高端封裝技術(shù)。

　　5G需要先進(jìn)封裝技術(shù)

　　如前文所述，榜單中的這十家廠商在今年第三季度的業(yè)績(jī)之所以如此亮眼，一個(gè)很重要的原因就是5G手機(jī)的大量出貨，直接拉動(dòng)了相關(guān)芯片的需求量，從而使封測(cè)業(yè)受益。

　　那么，5G對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求具體體現(xiàn)在哪些方面呢？下面看一下。

　　隨著手機(jī)越來越輕薄，在有限的空間里要塞入更多組件，這就要求芯片的制造技術(shù)和封裝技術(shù)都要更先進(jìn)才能滿足市場(chǎng)需求。特別是在5G領(lǐng)域，要用到MIMO技術(shù)，天線數(shù)量和射頻前端（RFFE）組件（PA、射頻開關(guān)、收發(fā)器等）的數(shù)量大增，而這正是先進(jìn)封裝技術(shù)大顯身手的時(shí)候。

　　目前來看，SIP技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)較為成熟的階段，由于SoC良率提升難度較大。為了滿足多芯片互聯(lián)、低功耗、低成本、小尺寸的需求，SIP是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。SIP從封裝的角度出發(fā)，將多種功能芯片，如處理器、存儲(chǔ)器等集成在一個(gè)封裝模塊內(nèi)，成本相對(duì)于SoC大幅度降低。另外，晶圓制造工藝已經(jīng)來到5nm時(shí)代，后續(xù)還會(huì)演進(jìn)到3nm、2nm，隨之而來的是工藝難度的急劇上升，芯片級(jí)系統(tǒng)集成的難度越來越大。SIP給芯片集成提供了一個(gè)既滿足性能需求又能減少尺寸的解決方案。

　　而為了滿足5G的需求，在SIP的基礎(chǔ)上，封裝技術(shù)還在演進(jìn)。通過更先進(jìn)的封裝技術(shù)，可解決產(chǎn)品尺寸過大、耗電及散熱等問題，并利用封裝方式將天線埋入終端產(chǎn)品，以提升傳輸速度。

　　以5G手機(jī)為例，應(yīng)用講究輕薄短小、傳輸快速，且整體效能取決于核心的應(yīng)用處理器（AP）芯片，而隨著5G高頻波段的啟用，負(fù)責(zé)傳輸信號(hào)的射頻前端和天線設(shè)計(jì)也越來越復(fù)雜，需要先進(jìn)封裝技術(shù)的支持。

　　要提升AP性能，除了晶圓制程微縮，還要依靠封裝技術(shù)協(xié)助，這里主要是以 POP（Package on package）封裝為主，通過POP堆疊DRAM，能有效提升芯片間的傳輸效率并減小體積。連接方式從傳統(tǒng)的打線（wire bonding）、覆晶（Filp chip）等，演進(jìn)到目前的扇出型（Fan-out）封裝。扇出型封裝主要是利用RDL布線減少使用載板（substrate）。通過減少載板的使用，間接達(dá)到效能提升、改善散熱、減小產(chǎn)品尺寸，降低成本的目的。因此，AP多以扇出型POP封裝為主。

　　RFFE是5G手機(jī)中最復(fù)雜的部分，依靠先進(jìn)的封裝技術(shù)，手機(jī)廠商可以在越來越輕薄的智能手機(jī)中添加更多的無線連接器件。

　　以三星的5G手機(jī)Galaxy S20為例。其RFFE不僅支持2G / 3G / 4G，還支持sub-6 GHz和毫米波5G。集成的PA是主要RFFE組件，其在很大程度上決定了該5G射頻前端的復(fù)雜性，要提升集成度，就必須采用更先進(jìn)的封裝技術(shù)。

　　Galaxy S20采用了高通X55調(diào)制解調(diào)器支持FDD 5G，因?yàn)槿蜻\(yùn)營(yíng)商可以通過低頻段提供必要的信號(hào)覆蓋范圍來大規(guī)模部署5G。低頻段PAMiD（具有集成雙工器的功率放大器模塊）對(duì)于5G Galaxy S20是必不可少的。

　　隨著5G的成熟，將需要毫米波（24GHz或更高）來繼續(xù)滿足對(duì)帶寬和容量不斷增長(zhǎng)的需求。在三星Galaxy S20 Ultra 5G智能手機(jī)中，除Sub-6GHz的RFFE外，還包括mmWave天線模塊。與Sub-6GHz的RFFE相比，mmWave天線模塊是RFFE系統(tǒng)集成的終極產(chǎn)品。三星內(nèi)部的Qualcomm QTM525天線模塊包含從相控陣天線到RF收發(fā)器的所有組件。高集成度與mmWave衰減的特性有關(guān)。因此，要捕獲這些非常微弱的信號(hào)，必須縮短整個(gè)mmWave的RFFE鏈，以確保連接鏈路預(yù)算內(nèi)的信號(hào)完整性。這些就需要先進(jìn)的封裝技術(shù)。

　　競(jìng)爭(zhēng)加劇

　　近幾年，雖然排名前十的廠商一直未有大的變化，但是它們之間的競(jìng)爭(zhēng)激烈程度與日俱增，特別是市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求量快速增長(zhǎng)，這也逐漸成為了優(yōu)秀封測(cè)企業(yè)的試金石。不僅是傳統(tǒng)的OSAT封測(cè)企業(yè)，近些年，一些IDM和晶圓代工廠也在企業(yè)內(nèi)部大力發(fā)展封測(cè)業(yè)務(wù)，以提升其生產(chǎn)效率和自主能力，而且，這些企業(yè)研發(fā)的一般都是先進(jìn)的封測(cè)技術(shù)。在這類企業(yè)中，典型代表就是臺(tái)積電、三星和英特爾。

　　如臺(tái)積電的InFO（Integrated Fan-Out），就是其標(biāo)志性技術(shù)。另外還有CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)。該技術(shù)是為解決能耗問題而發(fā)展出的2.5D封裝解決方案。此外，臺(tái)積電還在研發(fā)和推廣其3D封裝技術(shù)——SoIC。

　　近些年，為了提升綜合競(jìng)爭(zhēng)力，三星也在發(fā)展先進(jìn)封裝技術(shù)，但與臺(tái)積電相比還是有差距。代表技術(shù)是“面板級(jí)扇出型封裝”FOPLP），F(xiàn)OPLP是將輸入/輸出端子電線轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體芯片外部，提高性能的同時(shí)，也能降低生產(chǎn)成本。

　　英特爾自研的先進(jìn)封裝技術(shù)是EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）2D封裝 和 Foveros 3D封裝。此外，還有用于以上封裝的先進(jìn)芯片互連技術(shù)，包括Co-EMIB、ODI和MDIO。

　　有了IDM和晶圓代工廠的加入，封測(cè)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)或許將更加激烈，在多方勢(shì)力的競(jìng)逐下，在不久的將來，不知道傳統(tǒng)OSAT封測(cè)企業(yè)的格局是否會(huì)被打破。