在第四代半導(dǎo)體中，銻化物半導(dǎo)體居于核心地位。銻化物半導(dǎo)體在開發(fā)小體積、輕重量、低功耗、低成本器件，及其要求極為苛刻的應(yīng)用方面具有不可替代的獨(dú)特優(yōu)勢。

銻化物半導(dǎo)體作為經(jīng)典Ⅲ-Ⅴ族體系在本世紀(jì)初重新得到廣泛重視。從2009年起國外將銻化物半導(dǎo)體相關(guān)的材料和器件列為出口封鎖和壟斷技術(shù)。

從2005年開始，我國銻化物半導(dǎo)體研究進(jìn)入快車道。中科院半導(dǎo)體研究所、上海技術(shù)物理研究所等研究機(jī)構(gòu)率先突破了銻化鎵基砷化銦/銻化鎵超晶格焦平面技術(shù)，性能基本保持與國際同步的發(fā)展水平。如今，國內(nèi)的銻化物超晶格探測器、量子阱激光器技術(shù)等正在步入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用發(fā)展階段。

據(jù)悉，具有重大發(fā)展?jié)摿Τ蔀榈谒拇雽?dǎo)體技術(shù)的主要體系有：窄帶隙的銻化鎵、銦化砷化合物半導(dǎo)體；超寬帶隙的氧化物材料；其他各類低維材料如碳基納米材料、二維原子晶體材料等。