簽約項目

中科鋼研SiC項目落戶西安

7月28日，西咸新區(qū)空港新城在北京和中科鋼研節(jié)能科技有限公司、國宏中晶集團有限公司共同就碳化硅半導(dǎo)體新材料及激光陀螺儀制造兩個“高精尖”項目正式簽訂投資協(xié)議，此次簽約的碳化硅半導(dǎo)體新材料及激光陀螺儀制造項目總投資18億元，規(guī)劃用地130畝，項目建成后年產(chǎn)值約16億元。

露笑第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園落戶合肥

8月9日，露笑科技發(fā)布公告稱，公司8月8日與合肥市長豐縣人民政府簽署了共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園的戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，雙方將在合肥市長豐縣共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園，包括碳化硅晶體生長、襯底制作、外延生長等的研發(fā)生產(chǎn)，項目投資總規(guī)模預(yù)計100億元。

聞泰建中國首座12英寸車規(guī)級晶圓廠

8月19日，中國第一座12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體自動化晶圓制造中心項目正式簽約落戶上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。項目總投資120億元，預(yù)計達產(chǎn)后年產(chǎn)能36萬片。

廈門電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會項目簽約

8月31日，廈門市電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會上簽約了78個項目，總簽約金額達807.8億元，涉及半導(dǎo)體與集成電路、計算機和通信設(shè)備、平板顯示、軟件信息服務(wù)等領(lǐng)域。其中，半導(dǎo)體和集成電路11個項目，簽約金額為135億元，包含了新型顯示MicroLED和第三代半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域。

百識第三代半導(dǎo)體項目落戶南京

9月16日，第31屆中國南京金秋經(jīng)貿(mào)洽談會上，投資30億元的百識第三代半導(dǎo)體6英寸晶圓制造項目成功簽約南京浦口。該項目擬用地80畝，建立第三代半導(dǎo)體外延片+器件專業(yè)代工，可以承接國內(nèi)外IDM與designhouse的委托制作訂單，串接國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，達到第三代半導(dǎo)體芯片國造的目標，產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電動車、雷達、快速充電器等。

砷化鎵集成電路生產(chǎn)線項目落戶江西

9月23日，贛州經(jīng)開區(qū)舉行項目集中簽約儀式，總投資近45億元的14個項目集中落戶。分別是東宏光電科技股份有限公司6英寸砷化鎵集成電路芯片生產(chǎn)線項目，贛州芯聚微電子有限公司芯片設(shè)計及封裝測試項目等14個項目。

開工項目

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚焦區(qū)項目

7月3日，科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目在哈爾濱新區(qū)江北一體發(fā)展區(qū)正式開工建設(shè)。該項目占地4.5萬平方米，一期計劃投資10億元，主要建設(shè)中俄第三代半導(dǎo)體研究院、科友半導(dǎo)體襯底制備中心、科友半導(dǎo)體高端裝備制造中心、科友半導(dǎo)體產(chǎn)品檢驗檢測中心等項目。項目全部達產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)高導(dǎo)晶片近10萬片，高純半絕緣晶體 1000 公斤的產(chǎn)能；PVT-SIC 晶體生長成套設(shè)備年產(chǎn)銷200臺套。

南砂集團SiC材料與晶片生產(chǎn)項目

7月8日，南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項目在廣州南沙區(qū)開工。據(jù)悉，該項目選址萬頃沙保稅港加工制造業(yè)區(qū)塊，總投資9億元，將開展碳化硅單晶材料研發(fā)、中試等工作，發(fā)力高科技芯片領(lǐng)域。同時，建設(shè)科研辦公綜合樓、半導(dǎo)體廠房，擴大晶體生長和加工規(guī)模，增加外延片加工生產(chǎn)線，使業(yè)務(wù)從晶體生長、襯底加工延伸到外延加工環(huán)節(jié)。達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片，年產(chǎn)值將達13.5億元。

長沙三安第三代半導(dǎo)體項目

7月20日，投資160億元，占地面積1000畝的“三安光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園”，在長沙高新區(qū)啟動開工建設(shè)。該產(chǎn)業(yè)園主要用于建設(shè)具自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。這里，也將誕生我國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線。

10月7日，C2綜合動力站日前已率先完成封頂，同時，項目最大單體建筑M2B碳化硅芯片生產(chǎn)廠房全面進入主體施工收尾階段。

博藍特第三代半導(dǎo)體SiC項目

7月23日，博藍特第三代半導(dǎo)體碳化硅及藍寶石襯底產(chǎn)業(yè)化項目在浙江金華開工。將智造與制造相結(jié)合，點燃新舊動能轉(zhuǎn)換的“助推器”，開發(fā)區(qū)正全力扶持本地龍頭企業(yè)加速向產(chǎn)業(yè)鏈高端攀登。新開工的項目計劃總投資10億元，分期建設(shè)，項目全部建成后預(yù)計每年新增營收12.5億元，新增納稅1.18億元，新增就業(yè)崗位500個。

露笑科技浙江紹興SiC襯底片項目

7月30日，浙江露笑碳硅晶體有限公司新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目在浙江紹興開工。據(jù)悉，該項目計劃總投資6.95億元，項目主要采用碳化硅升華法長晶工藝及SiC襯底加工工藝，引進具有國際先進水平的6英寸導(dǎo)電晶體生長爐、4英寸高純半絕緣晶體生長爐等設(shè)備，購置多線切割機、拋光機等國產(chǎn)設(shè)備，建成后形成年產(chǎn)8.8萬片碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。

天科合達第三代半導(dǎo)體SIC襯底項目

8月17日，北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目開工儀式在北京市大興區(qū)黃村鎮(zhèn)大興新城東南工業(yè)區(qū)隆重舉行。這是天科合達自籌資金建設(shè)的用于碳化硅晶體襯底研發(fā)及生產(chǎn)的項目，總投資約9.5億元人民幣，總建筑面積5.5萬平方米，新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設(shè)備的碳化硅襯底生產(chǎn)線，項目計劃于2022年年初完工投產(chǎn)，建成后可年產(chǎn)碳化硅襯底12萬片。

常州武進化合物半導(dǎo)體項目

9月8日，2020年常州武進區(qū)重點項目集中開工暨新科人居智能舒適系統(tǒng)項目開工儀式在禮嘉鎮(zhèn)舉行。40個項目集中開工，總投資139.5億元，年度計劃投資32.5億元。此次集中開工的項目，既有總投資30億元的新晶宇高端化合物半導(dǎo)體項目、總投資19億元的集成電路生態(tài)產(chǎn)業(yè)園等產(chǎn)業(yè)大項目，也有一批新興產(chǎn)業(yè)、農(nóng)業(yè)、民生項目。