近年來，功率半導體的市場規(guī)模呈穩(wěn)健增長態(tài)勢。根據(jù)IHS Markit數(shù)據(jù)顯示，預計至 2021年全球功率器件市場規(guī)模將增長至441億美元。具體到中國，作為全球最大的功率半導體消費市場2021年市場規(guī)模有望達到159億美元。

　　極具潛力的市場空間，再加上第三代半導體材料應用在國內的蓬勃發(fā)展，目前國內功率半導體產業(yè)鏈也正在日趨完善，涌現(xiàn)出不少能提供優(yōu)質功率半導體產品的企業(yè)。

　　由芯師爺主辦、深福保集團冠名的“2020 硬核中國芯”評選活動，以表彰國內優(yōu)秀半導體企業(yè)，激勵國產企業(yè)加大IC產品與技術研發(fā)力度。本次評選中，功率半導體類別共有6家企業(yè)入選參評“硬核中國芯——2020年度國產功率芯片評選”，本文盤點了入選企業(yè)功率半導體產品，為市場提供優(yōu)質功率半導體選型。

　?。ㄗⅲ阂韵屡判騼H為介紹產品，不代表評選名次）分立式絕緣柵雙極型晶體管SGTQ160U65SDM1PW

　　所屬企業(yè)：杭州士蘭微電子股份有限公司

　　SGTQ160U65SDM1PW產品是基于士蘭微電子自主知識產權的新一代Trench FS IV+ 工藝平臺開發(fā)的分立式絕緣柵雙極型晶體管。具有低導通損耗與開關損耗，高功率密度、正溫度系數(shù)等特點。主要適用于微型新能源車電機控制器領域。

　　導通壓降：1.6V（典型值）@IC=160A

　　 最大結溫：Tjmax=175℃

　　 額定電壓：650V

　　 短路能力：>6uS@25℃

　　 二極管導通壓降：1.45V

　　價格競爭力：

　　士蘭微電子SGTQ160U65SDM1PW產品的對標國際大牌，總體性能表現(xiàn)略優(yōu)于競品，價格低于競品，有較強的競爭優(yōu)勢，目前已經在國內多家整機廠通過初步測試，正處于產品推廣階段。

　　技術創(chuàng)新：

　　SGTQ160U65SDM1PW產品采用了士蘭自主開發(fā)的Trench FS IV+ 工藝平臺開發(fā)制作IGBT器件，優(yōu)化了IGBT的器件晶胞結構，調整器件發(fā)射區(qū)元胞間距尺寸，進而提升了IGBT器件在導通時柵極下方PIN二極管區(qū)域的少數(shù)載流子的濃度，降低器件飽和壓降，同時降低了芯片厚度，進一步優(yōu)化了飽和壓降和關斷損耗，實現(xiàn)了Eoff與Vcesat的折中優(yōu)化。

　　客戶服務：

　　隨著新能源汽車的推廣，電機控制器廠家的技術實力提高，控制器領域客戶逐漸掌握分立器件并聯(lián)的技術方案。SGTQ160U65SDM1PW產品方案相對原有的IGBT模塊，具有明顯的成本優(yōu)勢，將可能成為小微車型的主流方案，目前已成功應用于電動轎跑EV項目，客戶使用穩(wěn)定，形成了良好的口碑，并為多家客戶群體服務。

　　1700V3000m?SiC MOS

　　所屬企業(yè)：派恩杰半導體（杭州）有限公司

　　1700V3000mΩ SiC MOS 針對高壓輔助電源應用而開發(fā)，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導通電阻Rds（on）， 使得其適用與工業(yè)電機驅動，光伏和儲能逆變器，UPS輔助電源設計。

　　價格競爭力：SiC MOS由于具有更小的開關損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上，這極大減少了制造成本，提高了系統(tǒng)的可靠性。

　　技術創(chuàng)新： 與使用Si器件相比，采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的電壓，更小的Rds（on），可以采用1個 SiC MOS構成更為簡單的反激電路實現(xiàn)，從而大幅減小了元器件數(shù)量，設計更簡單，驅動設計更容易，縮短開發(fā)周期，因此可以用于200V 至1000V輸入的反激式拓撲中。SiC MOS由于具有更小的開關損耗，更小的損耗同時意味著可以工作在更高的開關頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業(yè)設備實現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化，達到了國際領先水平，填補了國內空白。

　　客戶服務： 強大研發(fā)能力，支持定制化設計。國內本地化團隊，響應時間短。

　　市場銷量：  本季度計劃取得100萬產品訂單，明年訂單突破千萬。

　　G51XT 650V1A SOD123

　　所屬企業(yè)：泰科天潤半導體科技（北京）有限公司G51XT 650V1A SOD123 碳化硅肖特基二極管在開關電源電路中的應用，能更好地讓電路工作在高頻狀態(tài)，減小電路中電感等元件體積重量，而由于碳化硅肖特基二極管優(yōu)良的耐溫性能和低損耗特性，讓電路中熱沉的體積重量得到改善，便于優(yōu)化電路的熱設計，與此同時，應用了SOD123封裝形式的該款器件，為功率二極管小型化提出了解決方案，更好的貼合對器件小型化和產品功率密度改善有要求的客戶需求。

　　價格競爭力：作為一家國產品牌，我們的價格相較于國外競品品牌極具競爭力，且在該款器件上，我們是第一家市場化的公司，而相較于硅的快恢復二極管器件，碳化硅二極管的應用會帶來系統(tǒng)層面成本的改善。

　　技術創(chuàng)新：使用SOD123這種封裝形式做sic 器件為全球首創(chuàng)，為了成功實現(xiàn)這一目標，我們優(yōu)化了器件設計和生產工藝。

　　客戶服務：作為一家國產品牌，我們作為原廠給予客戶的技術和信息支持更加直接和迅速，我們相較于國外競品品牌也有一半甚至更短的交期。

　　市場銷量：該款型號剛進入市場，但參考我們公司的同列產品其他型號，我們已實現(xiàn)貨kk級供貨，在不同類型客戶中，均有良好的市場占有率和口碑反饋率。

　　1200V 碳化硅MOSFET

　　所屬企業(yè)：瑞能半導體科技股份有限公司

　　瑞能1200V 碳化硅MOSFET 采用緊湊的元胞設計、出色MOS溝道氮化工藝和超薄的襯底厚度使得產品具有業(yè)內同類產品中較低的比導通電阻，產品同時具有較穩(wěn)定的閾值電壓，高溫高頻下仍然可以安全的開通和關斷，瑞能碳化硅MOSFET在性能優(yōu)異的基礎上同時具備高可靠性。

　　價格競爭力：受益于極低的比導通電阻，單片晶圓上產出更多的有效芯片數(shù)目，同時采用多項增強器件魯棒性的芯片設計，顯著提升了產品良率。

　　技術創(chuàng)新：采用瑞能專利的離子注入工藝設計，使得以業(yè)內難題著稱的碳化硅MOSFET薄弱的柵極氧化層區(qū)得到了有效保護，產品柵極氧化層在長期極端應力下仍表現(xiàn)出出色的魯棒性。

　　客戶服務：瑞能半導體作為已成立五十多年的功率芯片廠商，長期以優(yōu)異的表現(xiàn)服務于國內外的消費級和工業(yè)級客戶，得到了大中小客戶的長期好評。

　　市場銷量：碳化硅MOSFET作為第三代半導體器件中的明星產品，隨著碳化硅晶圓材料和工藝技術的日趨成熟，在電動汽車、工業(yè)電源等市場前景巨大。而多年來，瑞能碳化硅二極管產品銷量在國內市場一直名列前茅，擁有廣泛而堅實的寬禁帶器件用戶基礎。

　　SL13N50F

　　所屬企業(yè)：深圳市薩科微slkor科技有限公司

　　薩科微自主研發(fā)生產的SL13N50F內阻小、發(fā)熱量低、性價比高。有更優(yōu)的性能及抗雪崩能力。廣泛應用于戶外照明、戶外顯示屏電源等行業(yè)。該器件大大提高了戶外照明的工作效率、降低了產品成本。

　　高PF無頻閃驅動ICRSC6105S

　　所屬企業(yè)：廣東瑞森半導體科技有限公司

　　高PF無頻閃驅動ICRSC6105S 是瑞森半導體自主創(chuàng)新線路產品，單級實現(xiàn)高PF無頻閃的LLC方案， PF可達0.99，頻閃指標<1，方案滿足國家教育照明的指標。該芯片可以直接驅動上下橋臂MOS，一致性好，產線直通率優(yōu)秀，達到99%直通率；有效降低了元器件個數(shù)，提升了產品可靠性與性價比。

　　瑞森半導體配有資深的FAE工程師為客戶提供專業(yè)的技術服務與指導，可以為客戶提供定制方案的服務。