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中國臺灣:臺積電2nm制程獲重大突破

2020-09-21
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: 臺積電 2納米 三星

  據(jù)臺媒經(jīng)濟日報透露,臺積電2納米制程研發(fā)獲重大突破。供應(yīng)鏈透露,有別于3納米與5納米采用鰭式場效電晶體(FinFET)架構(gòu),臺積電2納米改采全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構(gòu),研發(fā)進度超前,業(yè)界看好2023年下半年風(fēng)險性試產(chǎn)良率即可達(dá)九成,助攻未來持續(xù)拿下蘋果、英偉達(dá)等大廠先進制程大單,狠甩三星。

  半導(dǎo)體制程一路微縮,面臨物理極限,業(yè)界原憂心不利摩爾定律延續(xù),也就是過往每18個月推進一個制程時代的腳步受阻,使得臺積電等半導(dǎo)體大廠先進制程發(fā)展受影響。

  三星預(yù)計年底才投入5納米制程,落后臺積。隨著臺積電在2納米新制程節(jié)點有重大突破,宣示臺積電將可延續(xù)摩爾定律發(fā)展,更確定未來朝1納米推進可能性大增,進一步擴大與三星的差距。臺積電向來不對訂單等動態(tài)置評,且迄今仍低調(diào)未對外透露2納米制程細(xì)節(jié),僅表示2納米將是全新架構(gòu)。

  業(yè)界人士指出,2020年臺灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON TAIWAN)將在本周三(23日)登場,臺積電董事長劉德音受邀進行主題演講,市場聚焦臺積電先進制程研發(fā)對人工智慧(AI)、第五代行動通訊(5G)推動影響,并關(guān)注劉德音釋出的臺積電先進制程研發(fā)近況。

  據(jù)悉,臺積電去年成立2納米專案研發(fā)團隊,尋找可行路徑進行開發(fā),考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件,2納米采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題,在極紫外光(EUV)微顯影技術(shù)提升,使臺積電研發(fā)多年的納米片(Nano Sheet)堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟,良率提升進度較預(yù)期順利。

  臺積電總裁魏哲家日前于玉山科技協(xié)會晚宴專講時透露,臺積電制程每前進一個世代,客戶產(chǎn)品速度效能增加30%至40%,功耗可以降低20%至30%。

  供應(yīng)鏈認(rèn)為,以臺積電2納米目前研發(fā)進度研判,2023年下半年可望進入風(fēng)險性試產(chǎn),2024年正式量產(chǎn)。臺積電先前揭示2納米研發(fā)生產(chǎn)將落腳新竹寶山,規(guī)劃P1到P4四個超大型晶圓廠,占地90多公頃。

  業(yè)界認(rèn)為,臺積電2納米良率及效能值得期待,推出即可望獲蘋果、英偉達(dá)、高通、超微等大客戶采用,陸續(xù)轉(zhuǎn)到2納米投片。尤其英偉達(dá)收購安謀(ARM)后,朝超級電腦、超大規(guī)模資料中心等高速運算前進,未來將更仰賴與臺積電合作。

  

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