近期任正非帶隊訪問南京、上海的幾所大學，加上業(yè)內(nèi)傳聞華為招聘光刻機工程師，及挖角半導體設備廠的人材等引起業(yè)內(nèi)議論。
有人傳華為將借助上海在芯片制造領域的科技力量，自研自產(chǎn)芯片，實現(xiàn)芯片自主，打破美國的卡脖子式制裁。
從邏輯上華為此舉是被逼出來的，也是可以理解與支持。
縱觀國內(nèi)半導體業(yè)的現(xiàn)狀，實際上的形勢是十分嚴峻。最壞的時刻可能還沒到來。在美國的無底線打壓下，如華為海思，它是國內(nèi)最大的fabless，2019年銷售額約800億元，是中國唯一能進fabless全球前十的公司。但是到9月時，臺積電將斷供，導致它的大部分先進工藝制程芯片，已無地可以加工，連中芯國際，原本認為它至少可以幫海思少許忙，如今它也是只能望洋興嘆。加上中芯國際的EUV設備受阻，未來它的先進工藝制程可能在7納米止步。
這么優(yōu)秀的海思能在中國土地上崛起已是十分不易。如今在美515新的打壓策略下它的自研芯片之路可能受阻，顯然直接影響海思的先進性與實現(xiàn)差異化。
全球化之路如何走下去
魏少軍博士曾講過半導體業(yè)是最徹底全球化的產(chǎn)業(yè)，它的產(chǎn)業(yè)鏈長，技術要求高，必須走全球化共同協(xié)作的道路。
國內(nèi)傳的一個故事，西方有人言，“給中國整套圖紙，光刻機也未必能造出來”，實際上它的潛臺詞是在瓦圣納條約控制下，西方控制關鍵部件的出口，中國都欲自主國產(chǎn)化，那是不可能的。
因此對于中國半導體業(yè)發(fā)展，雖然應該堅持走全球化道路，但是現(xiàn)實的殘酷，現(xiàn)時的美國釆用逆全球化的策略，不再講自由的公平競爭，而是用它的所謂“國家安全”來掩蓋一切。
面對如此的嚴峻態(tài)勢，中國半導體業(yè)不能坐等全球化時代到來時再發(fā)展，那是肯定不可取的。所以最理性的策略是首先自強，只有增強自身的競爭力，才是最有意義。
迅速自強之路
中國半導體業(yè)的底子薄弱，要做的事太多，但是以下四個大類可能是最急需要集中優(yōu)勢兵力去突破，它們分別是：
1），先進邏輯工藝制程，14納米及以下
2），DRAM及3D NAND量產(chǎn)
3），EDA工具
4），半導體設備及材料
以上四類都是需要迅速攻克的項目，但是必須分開輕重緩急，其中先進邏輯工藝制程與DRAM，3D NAND是排在前列，它們需要量產(chǎn)及市場份額，是馬上需要解決的事，而后兩項，EDA工具及半導體設備與材料是更難啃的“骨頭”，需要從長計議，但又必須馬上啟動。它們可能需要更長的周期。
中國半導體業(yè)發(fā)展無法跨越，以上四類是“攔路虎”，但又是“必修課”。希望能在全球化下實現(xiàn)突破，但是在目前階段中國半導體業(yè)必須首先介入，去探索，只有中國半導體業(yè)逐漸強大，全球化才會真正到來。
迅速自強之路如何走下去，主要有如下兩個方面：
有計劃性，充分體現(xiàn)社會主義體制下能夠集中優(yōu)勢兵力打殲滅戰(zhàn)；
選擇領軍企業(yè)。
這樣特定的時期中國半導體業(yè)發(fā)展承擔的責任是偉大的，是史無前例。因此必須慎之又慎。既要充滿必勝的信心，又要踏實與謹慎。因此選擇領軍企業(yè)十分重要。
華為是其中之一，眾望所歸，它的創(chuàng)新能力強，有宏偉目標，堅持實事求是，滿足客戶需求，是個韭常優(yōu)秀的企業(yè)，由于產(chǎn)業(yè)鏈長，任務太繁重。可能需要選擇多家企業(yè)來共同承擔。
建國產(chǎn)設備主導的芯片生產(chǎn)線
業(yè)內(nèi)討論過此動議，結果不詳，在此再次建議馬上啟動興建國產(chǎn)設備為主導的芯片生產(chǎn)線，8英寸與12英寸各一。
在此提出兩條理由：1），極端時刻到來，作為應急措施；2），半導體設備與材料的測試與試錯基地，唯有通過在生產(chǎn)線的量產(chǎn)考驗，才能真正推動半導體設備與材料的國產(chǎn)化進程。
為什么要分別建兩條，相對而言8英寸的半導體設備生產(chǎn)線的基礎尚好，設備的國產(chǎn)化支持程度高，而12英寸設備的難度很大，盡管從現(xiàn)在觀察可能性不是很大，但它是個方向，必須先易后難逐步積累經(jīng)驗。
在半導體設備方面特別推崇青島芯恩張汝京的二手設備翻新方法，它從國外聘請高手，并培養(yǎng)國內(nèi)年輕的設備維修人材，這樣未來設備的維護完全掌握在國人手中，是個能創(chuàng)造半導體設備自主開發(fā)的有效方法之一。
半導體設備與材料的國產(chǎn)化進程至少需要十年以上的努力才能見效，因此興建國產(chǎn)設備為主導的芯片生產(chǎn)線是一個良好的契機，要充分予以重視并支持它。