據(jù)人民網(wǎng)發(fā)布的中國統(tǒng)一戰(zhàn)線新聞網(wǎng)聯(lián)合中國共產(chǎn)黨新聞網(wǎng)推出的“2020年全國兩會各民主黨派提案選登”報道顯示，民進中央擬提交“關于推動中國功率半導體產(chǎn)業(yè)科學發(fā)展的提案”。

    提案指出，隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。為此，建議進一步完善功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導體芯片技術攻關，立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經(jīng)過多年布局和發(fā)展，我國在硅材料　IGBT芯片技術方面有一定的技術基礎和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設計及批量制造工藝技　術作為發(fā)展重點，采取先易后難、解決“有無”問題的發(fā)展策略，盡快實現(xiàn)功率半導體芯片自主供給。

    為此，民進中央建議：

    一、進一步完善功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導體芯片技術攻關，立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經(jīng)過多年布局和發(fā)展，我國在硅材料 IGBT芯片技術方面有一定的技術基礎和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設計及批量制造工藝技 術作為發(fā)展重點，采取先易后難、解決“有無”問題的發(fā)展策略，盡快實現(xiàn)功率半導體芯片自主供給。

    二、加大新材料科技攻關。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI 技術、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢看，碳化硅、氮化鎵等新材料應用于功率半導體優(yōu)勢明顯，是下一代功率半導體的核心技術方向。

    目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段，國內廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國內企業(yè)有望在本土市場應用中實現(xiàn)彎道超車。

    一是要把功率半導體新材料研發(fā)列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點；

    二是引導企業(yè)積極滿足未來的應用需求，進行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關鍵技術、應用技術難題，在國際競爭中搶占先機；

    三是要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化，需要建立起高效的產(chǎn)學研體系，打造更加開放包容的投資環(huán)境。

    三、謹慎支持收購國外功率半導體企業(yè)。通過收購很難實現(xiàn)完全學會和掌握國際先進的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術，同時海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無法出口到中國的危險。