文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.191323
中文引用格式: 陳利,劉艷艷. 一種應(yīng)用于低電壓GPS接收機(jī)的高線性度低噪聲放大器[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2020,46(3):10-13.
英文引用格式: Chen Li,Liu Yanyan. A high linearity LNA for low voltage GPS receiver[J]. Application of Electronic Technique,2020,46(3):10-13.
0 引言
近些年來(lái),隨著無(wú)線通信系統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多的便攜式電子產(chǎn)品向著低功耗、高集成度的方向發(fā)展。GPS服務(wù)因其能夠?qū)崟r(shí)追蹤和導(dǎo)航的優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為無(wú)線通信設(shè)備不可或缺的功能[1-3]。而低噪聲放大器(LNA)作為GPS接收機(jī)前端的第一級(jí)有源器件,其性能顯著影響著整個(gè)接收機(jī)的性能。因此對(duì)LNA噪聲、功耗、線性度等性能指標(biāo)提出了越來(lái)越嚴(yán)苛的要求。
GPS接收機(jī)接收到的信號(hào)非常微弱,盡管1 dB壓縮點(diǎn)能夠較為輕易地滿足,但同樣也要避免某些特定環(huán)境下由于干擾信號(hào)引入造成的非線性失真。例如軍用或某些特定商業(yè)用途中,當(dāng)人為干擾信號(hào)存在時(shí),對(duì)GPS接收機(jī)的線性度要求會(huì)大大提高。本文在跨導(dǎo)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù)[4]的基礎(chǔ)上,采用體偏壓控制的跨導(dǎo)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù)[5],數(shù)倍提高了補(bǔ)償三次非線性系數(shù)輔助管的調(diào)節(jié)精度。通過(guò)在輸入端主放大管的柵源兩端并聯(lián)電容的方法[6],降低二次諧波對(duì)三階交調(diào)失真的影響,進(jìn)一步改善了線性度。同時(shí),采用折疊式共源共柵的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)[7],降低了電路的工作電壓。
1 消除三次非線性
MOS管的三階非線性是LNA三階交調(diào)失真的主要來(lái)源。工作在飽和區(qū)的共源級(jí)MOS管,其漏極電流id關(guān)于柵源電壓vgs的泰勒級(jí)數(shù)展開式為:
而跨導(dǎo)的非線性導(dǎo)致了共源級(jí)放大器的非線性。由共源級(jí)LNA的輸入三階交調(diào)點(diǎn)(IIP3)表達(dá)式[8]:
可知,為了提高IIP3,應(yīng)盡量減小三次非線性系數(shù)gm3的值,即減小跨導(dǎo)gm的二階偏導(dǎo)gm″的值。為此,有學(xué)者提出跨導(dǎo)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù),其結(jié)構(gòu)如圖1所示,由主放大管Ma和輔助放大管Mb并聯(lián)組成。主放大管的柵極電壓Vbias1和輔助放大管的柵極電壓Vbias1-Vshift分別確保主放大管Ma和輔助放大管Mb工作在強(qiáng)反型區(qū)和弱反型區(qū)。通過(guò)調(diào)整M1和M2的寬長(zhǎng)比和偏置條件,使得主放大管Ma與輔助放大管Mb兩者跨導(dǎo)的二階偏導(dǎo)gm″正負(fù)峰值對(duì)齊,如圖2所示。從而令兩者三次非線性系數(shù)之和接近于零,進(jìn)而改善共源級(jí)LNA的線性度。
在此基礎(chǔ)上,本文采用體偏壓控制的跨導(dǎo)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù)如圖3所示,主放大管M1和輔助放大管M2使用相同的柵壓Vbias,根據(jù)閾值電壓Vth的計(jì)算公式:
其中,Vth0是VBS為0時(shí)的閾值電壓,γ為體效應(yīng)系數(shù),φS為表面勢(shì)參數(shù),VBS為襯源電勢(shì)差,L1與L2組成滑動(dòng)變阻器。通過(guò)調(diào)節(jié)VBS的大小令輔助管M2工作在弱反型區(qū)。當(dāng)輔助放大管M2分別由柵壓Vbias1-Vshift和體偏壓Vbs控制時(shí),掃描各自的偏置電壓Vbias1和Vbias。Vshift取值范圍在0.08 V~0.23 V時(shí),與Vbs取值范圍在-0.30 V~-1.08 V時(shí),兩者都會(huì)得到由M2a到M2b一簇近似相同的曲線,如圖4所示。即兩種技術(shù)能夠產(chǎn)生相同的補(bǔ)償三次非線性系數(shù)的效果。盡管兩種不同技術(shù)使得輔助管M2表現(xiàn)出相似的gm″曲線,但采用體偏壓控制的跨導(dǎo)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù)的控制電壓Vbs的范圍,是傳統(tǒng)跨導(dǎo)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù)控制電壓Vshift的5.2倍,因此能夠在工藝、電壓、溫度變化的影響下,更為精準(zhǔn)地調(diào)節(jié)gm″的曲線。
2 削弱二次非線性的影響
當(dāng)在共源級(jí)LNA輸入端輸入頻率相近的雙音信號(hào)時(shí),在輸出節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的二次諧波,通過(guò)寄生的柵源電容和柵漏電容反饋路徑,與輸入信號(hào)再次由于跨導(dǎo)的二次非線性產(chǎn)生三次非線性項(xiàng),進(jìn)而惡化線性度。本文采用折疊式共源共柵的結(jié)構(gòu),大大削弱了通過(guò)柵漏電容反饋路徑的影響,同時(shí)通過(guò)在主放大管柵源兩端并聯(lián)電容的方法,削弱了由于跨導(dǎo)二次非線性對(duì)LNA線性度的影響。
當(dāng)考慮到二次非線性對(duì)線性度的影響時(shí),共源級(jí)LNA的IIP3可以表示為[6]:
其中,gm是MOS管的跨導(dǎo),ω為工作頻率,Ls為源極簡(jiǎn)并電感,Cgs0為MOS管的柵源電容,Cadd為MOS管柵源兩端并聯(lián)的電容,Lg為柵極電感。通過(guò)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù),gm″的影響可以近似忽略。在MOS管柵源兩端并聯(lián)電容Cadd,式(5)中IIP3的分母gm′項(xiàng)中由于Cadd的引入,降低了二次非線性對(duì)三階交調(diào)失真的影響,從而進(jìn)一步改善線性度。
3 電路設(shè)計(jì)
本文提出的應(yīng)用于低電壓GPS接收機(jī)的高線性度低噪聲放大器結(jié)構(gòu)如圖5所示。主放大管M1與共柵管PM1組成折疊式共源共柵結(jié)構(gòu),降低了工作電壓。輸入端的主放大管M1管與Ls構(gòu)成源簡(jiǎn)并電感結(jié)構(gòu),能夠在窄帶實(shí)現(xiàn)良好的輸入匹配,同時(shí)獲得較低的噪聲系數(shù)。主放大管M1管與輔助放大管M2管利用體偏壓控制的跨導(dǎo)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù),能夠極大地削弱三次非線性項(xiàng)gm2的影響,進(jìn)而大幅改善低噪聲放大器的線性度。Cadd用于削弱二次非線性對(duì)LNA線性度的影響。M3、R1、R2與PM2、R4分別為M1、M2與PM1提供偏置電壓,L2與C2實(shí)現(xiàn)輸出匹配。
4 仿真結(jié)果與分析
基于TSMC 0.18 μm RFCOMS工藝,利用Cadence Spectre RF進(jìn)行調(diào)試并仿真。在0.9 V工作電壓下,最終測(cè)試的S參數(shù)如圖6所示。S11與S22分別為-32.43 dB和-24.58 dB,LNA能夠與前后級(jí)實(shí)現(xiàn)良好的匹配。S21為13.16 dB,能為GPS接收機(jī)在第一級(jí)提供足夠的增益。測(cè)試的噪聲系數(shù)如圖7所示,LNA在工作頻率1.575 GHz時(shí)的噪聲系數(shù)為1.53 dB。最終測(cè)試的IIP3如圖8所示,LNA的IIP3為6.63 dBm,在低電壓下表現(xiàn)出較好的線性度。且LNA的功耗為8.78 mW,符合低功耗的設(shè)計(jì)要求。將本文設(shè)計(jì)的LNA與已發(fā)表的相關(guān)論文作對(duì)比,如表1所示。結(jié)果表明,本文設(shè)計(jì)的LNA在低電壓條件下,噪聲性能及線性度具有一定優(yōu)勢(shì)。
5 結(jié)論
本文采用體偏壓控制的跨導(dǎo)導(dǎo)數(shù)疊加技術(shù)在有效提高低噪聲放大器線性度的基礎(chǔ)上,數(shù)倍提高了gm″的調(diào)節(jié)精度。通過(guò)增加補(bǔ)償電容的方法,降低二次諧波對(duì)三階交調(diào)失真的影響,進(jìn)一步改善了線性度。同時(shí)采用折疊式共源共柵的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),有效降低了工作電壓。仿真結(jié)果表明,在0.9 V供電電壓下,工作頻率為1.575 GHz時(shí),功耗為8.78 mW,IIP3為6.63 dBm,噪聲系數(shù)為1.53 dB,同時(shí)該電路能夠提供13.16 dB的增益,并能實(shí)現(xiàn)良好的輸入輸出匹配。
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作者信息:
陳 利,劉艷艷
(天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,天津300350)