全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。

　　與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車以及基礎設施、環(huán)境/能源、工業(yè)設備領域的應用日益廣泛。

　　ROHM于2010年全球首家開始SiC MOSFET的量產(chǎn)，作為SiC功率元器件的領軍企業(yè)，ROHM一直在推動世界先進的產(chǎn)品開發(fā)。另外，在汽車領域，ROHM于2012年在業(yè)界率先開始供應車載產(chǎn)品，并在電動汽車的快速充電用車載充電器領域擁有很高的市場份額，該產(chǎn)品在電動汽車的電機和逆變器中的采用也日益加速。

　　此次，ROHM的SiC　MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達95.7%，功率損耗比以往降低約20%）。并且，這一先進的解決方案獲得了UAES頒發(fā)的2019年度最佳技術進步獎。

　　未來，ROHM將作為SiC功率元器件的領軍企業(yè)，不斷壯大產(chǎn)品陣容，并結合充分發(fā)揮元器件性能的控制IC等外圍元器件和模塊化技術優(yōu)勢，繼續(xù)提供有助于下一代汽車技術創(chuàng)新的電源解決方案。

　?。缄P于聯(lián)合汽車電子有限公司（UAES）＞

　　UAES公司是中聯(lián)汽車電子有限公司和德國羅伯特·博世有限公司在中國的合資企業(yè)，是汽車行業(yè)一級綜合供應商。自1995年成立以來，該公司已在中國市場獲得了引擎控制單元和燃油汽車動力總成業(yè)務領域極高的市場份額，2009年之后開始面向電動汽車領域開發(fā)包括主機逆變器在內的產(chǎn)品。

　　http://www.uaes.com/servlet/portal/index.html

　?。疾捎肧iC MOSFET的好處＞

　　在大功率（高電壓×大電流）范圍中，與Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有“開關損耗和傳導損耗*3小”、“抗溫度變化能力強”等優(yōu)點。得益于這些優(yōu)點，當SiC MOSFET用于電動汽車的車載充電器和DC/DC轉換器等產(chǎn)品中時，可降低功率轉換時的損耗并實現(xiàn)散熱部件的小型化，高頻工作還可實現(xiàn)線圈小型化，從而有助于提高應用的效率、減少部件數(shù)量并縮減安裝面積。

　　＜ROHM的SiC功率元器件開發(fā)歷史＞

　?。夹g語解說＞

　　*1) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的縮寫）

　　金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構。用作開關元件。

　　*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）

　　同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。

　　*3） 傳導損耗、開關損耗

　　因元器件結構的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產(chǎn)生損耗。傳導損耗是電流流過元器件時（ON狀態(tài)時），受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時（開關動作時）產(chǎn)生的損耗。