2 月 28 日訊，據(jù)悉，在芯片先進工藝技術方面，國內的中芯國際目前仍舊處于追趕的姿態(tài)。臺積電、三星今年將量產 5nm 芯片工藝，而國內最大的晶圓代工廠中芯國際去年底才量產了 14nm 工藝。不過該工藝技術已經(jīng)可以滿足國內 95%的需求了。

　　14nm 及改進型的 12nm 工藝是中芯國際第一代 FinFET 工藝，他們還在研發(fā)更先進的 N+1 括 N+2 FinFET 工藝，分別相當于 7nm 工藝的低功耗、高性能版本。

　　根據(jù)中芯國際聯(lián)席 CEO 梁孟松博士所示，N+1 工藝和 14nm 相比，性能提升了 20%，功耗降低了 57%，邏輯面積縮小了 63%，SoC 面積減少了 55%。

　　N+1 之后還會有 N+2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于 性能及成本，N+2 顯然是面向高性能的，成本也會增加。

　　至于備受關注的 EUV 光刻機，梁孟松表示在當前的環(huán)境下，N+1、N+2 代工藝都不會使用 EUV 工藝，等到設備就緒之后，N+2 工藝可能會有幾層光罩使用 EUV，之后的工藝才會大規(guī)模轉向 EUV 光刻工藝。

　　現(xiàn)在最關鍵的是中芯國際的 7nm 何時量產，最新消息稱中芯國際的 N+1 FinFET 工藝已經(jīng)有客戶導入了(不過沒公布客戶名單)，今年 Q4 季度小規(guī)模生產——這個消息比之前的爆料要好一些，進度更快。

　　為了加快先進工藝產能，中芯國際今年的資本開支將達到 31 億美元(該公司一年營收也不過 30 億美元上下)，其中 20 億美元用于中芯國際的上海 12 英寸晶圓廠，5 億美元用于北京 12 英寸晶圓廠。