2 月 28 日訊，據(jù)悉，在芯片先進(jìn)工藝技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)的中芯國(guó)際目前仍舊處于追趕的姿態(tài)。臺(tái)積電、三星今年將量產(chǎn) 5nm 芯片工藝，而國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際去年底才量產(chǎn)了 14nm 工藝。不過(guò)該工藝技術(shù)已經(jīng)可以滿足國(guó)內(nèi) 95%的需求了。

　　14nm 及改進(jìn)型的 12nm 工藝是中芯國(guó)際第一代 FinFET 工藝，他們還在研發(fā)更先進(jìn)的 N+1 括 N+2 FinFET 工藝，分別相當(dāng)于 7nm 工藝的低功耗、高性能版本。

　　根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席 CEO 梁孟松博士所示，N+1 工藝和 14nm 相比，性能提升了 20%，功耗降低了 57%，邏輯面積縮小了 63%，SoC 面積減少了 55%。

　　N+1 之后還會(huì)有 N+2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于 性能及成本，N+2 顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。

　　至于備受關(guān)注的 EUV 光刻機(jī)，梁孟松表示在當(dāng)前的環(huán)境下，N+1、N+2 代工藝都不會(huì)使用 EUV 工藝，等到設(shè)備就緒之后，N+2 工藝可能會(huì)有幾層光罩使用 EUV，之后的工藝才會(huì)大規(guī)模轉(zhuǎn)向 EUV 光刻工藝。

　　現(xiàn)在最關(guān)鍵的是中芯國(guó)際的 7nm 何時(shí)量產(chǎn)，最新消息稱中芯國(guó)際的 N+1 FinFET 工藝已經(jīng)有客戶導(dǎo)入了(不過(guò)沒(méi)公布客戶名單)，今年 Q4 季度小規(guī)模生產(chǎn)——這個(gè)消息比之前的爆料要好一些，進(jìn)度更快。

　　為了加快先進(jìn)工藝產(chǎn)能，中芯國(guó)際今年的資本開(kāi)支將達(dá)到 31 億美元(該公司一年?duì)I收也不過(guò) 30 億美元上下)，其中 20 億美元用于中芯國(guó)際的上海 12 英寸晶圓廠，5 億美元用于北京 12 英寸晶圓廠。