縱觀半導(dǎo)體及設(shè)備產(chǎn)業(yè)的歷史，每一次市場(chǎng)低迷都隨著技術(shù)創(chuàng)新的到來而結(jié)束并開啟新的成長期，雖然全球半導(dǎo)體及設(shè)備市場(chǎng) 2019 年處于增速換擋調(diào)整期，2020年以后 5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等領(lǐng)域的技術(shù)浪潮有望催生產(chǎn)業(yè)的新一輪成長。集成電路旺盛的市場(chǎng)需求帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)的不斷升級(jí)和投資的加大，有力促進(jìn)了集成電路裝備制造行業(yè)的發(fā)展，因此半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)與集成電路產(chǎn)業(yè)景氣狀況緊密相關(guān)。雖然短期來看2019年 PC、智能手機(jī)等滲透率接近高位在一定程度上影響了半導(dǎo)體及設(shè)備行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，但 5G、物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求及其帶動(dòng)的云計(jì)算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應(yīng)用的興起，有望開啟半導(dǎo)體及設(shè)備行業(yè)的增量需求。

　　全球 5G 產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展將對(duì)半導(dǎo)體及設(shè)備需求產(chǎn)生較大的拉動(dòng)作用。5G 技術(shù)的核心在于芯片，無論是基站還是移動(dòng)手機(jī)，都與之息息相關(guān)。直接受益于 5G 大規(guī)模商用的芯片包括存儲(chǔ)芯片、計(jì)算芯片、控制芯片、智能手機(jī)芯片、基帶芯片等。

　　1）存儲(chǔ)芯片：流量的增長是 5G 時(shí)代的特征之一，無論是服務(wù)器還是云，5G 的高速度、大流量自然會(huì)帶來存儲(chǔ)的大量需要，移動(dòng)終端 10G 內(nèi)存+512G 存儲(chǔ)容量可能會(huì)成為主流配置。隨著 5G 大規(guī)模商用進(jìn)程的推進(jìn)，2019 下半年至 2020 年的季度存儲(chǔ)需求量將會(huì)同比大幅增加。目前在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，美國、韓國、中國臺(tái)灣等居于主導(dǎo)地位，中國大陸以長江存儲(chǔ)、合肥長鑫為代表的本土存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)正在密集投資、奮起直追，并已取得產(chǎn)能和技術(shù)的階段性突破。

　　2）計(jì)算芯片：服務(wù)器、核心網(wǎng)、基站等都需要計(jì)算芯片。除了少數(shù)服務(wù)器芯片我國有一定的產(chǎn)品和技術(shù)積累，絕大部分計(jì)算芯片基本上是美國企業(yè)引領(lǐng)世界。

　　3）智能手機(jī)芯片：移動(dòng)通信最重要的一個(gè)終端就是智能手機(jī)，智能手機(jī)芯片不僅要進(jìn)行計(jì)算，還要進(jìn)行專門的處理，比如 GPU 進(jìn)行圖像處理，NPU 進(jìn)行 AI 處理，智能手機(jī)芯片還需要體積小、功耗低等特性。華為、蘋果、三星等廠商都在研發(fā)自己的旗艦機(jī)芯片。

　　此外，未來 5G 的影響將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出技術(shù)產(chǎn)業(yè)的范圍而影響到社會(huì)各個(gè)層面，催生新的應(yīng)用場(chǎng)景，推動(dòng)新的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)，進(jìn)而對(duì)全球范圍的各類芯片需求產(chǎn)生更加廣泛、普遍的拉動(dòng)和刺激，進(jìn)而帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備需求進(jìn)入新的成長期。

　　5G 時(shí)代，全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能擴(kuò)張對(duì)刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備的需求拉動(dòng)較為突出。5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展催生增量需求，疊加下游技術(shù)進(jìn)步對(duì)半導(dǎo)體工藝及設(shè)備提出更高要求，刻蝕、光刻、薄膜沉積等關(guān)鍵工藝設(shè)備的增量需求空間或?qū)⑤^為廣闊。其中存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)對(duì)設(shè)備的拉動(dòng)效果顯著，例如在 3D NAND 存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，隨著堆疊層數(shù)不斷增多，刻蝕、薄膜沉積工藝難度和次數(shù)不斷增加，刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備需求更為受益，薄膜沉積設(shè)備需求增長幅度可能最大。

　　上述產(chǎn)業(yè)變革所帶來的新趨勢(shì)已經(jīng)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求及企業(yè)發(fā)展方向產(chǎn)生刺激，逐漸向設(shè)備環(huán)節(jié)傳導(dǎo)， 2019 年第四季度有望成為全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)需求及訂單回升的向上拐點(diǎn)，部分主流晶圓廠資本支出及北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商銷售情況均已出現(xiàn)復(fù)蘇跡象：

　　1）晶圓廠資本開支是半導(dǎo)體設(shè)備需求的直接影響因素，2018 年臺(tái)積電、中芯國際等晶圓廠資本支出均較上年同期有所下滑，但從 2019 年前三季度來看，上述企業(yè)的資本支出已出現(xiàn)明顯同比增長，臺(tái)積電、中芯國際增幅分別達(dá) 44%、11%。據(jù) IC Insights 預(yù)測(cè)，三星、臺(tái)積電 2019Q4 單季資本支出有望創(chuàng)下歷史新高。

　　圖：臺(tái)積電、中芯國際資本支出及增速

　　2）自 2019 年 4 月以來，北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨金額的同比下滑幅度一直呈現(xiàn)收窄趨勢(shì)，9 月同比下滑幅度縮小到 6%，北美是全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)最為集中的區(qū)域，因此北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨金額變化一定程度上也反映了全球設(shè)備需求的好轉(zhuǎn)。

　　圖：北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商月度出貨金額及增速

　　3）與北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨變化趨勢(shì)接近，全球薄膜沉積、刻蝕設(shè)備龍頭應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體單季收入同比變化幅度在 2019Q2 跌至底部，2019Q3 同比變化率均進(jìn)入了回升階段。

　　圖：應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體單季度收入及同比增速