《電子技術(shù)應(yīng)用》
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受5G 、AI浪潮驅(qū)動(dòng) 全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將迎新的增長(zhǎng)期

2019-11-27
作者:AET綜合整理
來(lái)源:AET
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體設(shè)備

  縱觀半導(dǎo)體及設(shè)備產(chǎn)業(yè)的歷史,每一次市場(chǎng)低迷都隨著技術(shù)創(chuàng)新的到來(lái)而結(jié)束并開(kāi)啟新的成長(zhǎng)期,雖然全球半導(dǎo)體及設(shè)備市場(chǎng) 2019 年處于增速換擋調(diào)整期,2020年以后 5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等領(lǐng)域的技術(shù)浪潮有望催生產(chǎn)業(yè)的新一輪成長(zhǎng)。集成電路旺盛的市場(chǎng)需求帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)的不斷升級(jí)和投資的加大,有力促進(jìn)了集成電路裝備制造行業(yè)的發(fā)展,因此半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)與集成電路產(chǎn)業(yè)景氣狀況緊密相關(guān)。雖然短期來(lái)看2019年 PC、智能手機(jī)等滲透率接近高位在一定程度上影響了半導(dǎo)體及設(shè)備行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展,但 5G、物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求及其帶動(dòng)的云計(jì)算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應(yīng)用的興起,有望開(kāi)啟半導(dǎo)體及設(shè)備行業(yè)的增量需求。

  全球 5G 產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展將對(duì)半導(dǎo)體及設(shè)備需求產(chǎn)生較大的拉動(dòng)作用。5G 技術(shù)的核心在于芯片,無(wú)論是基站還是移動(dòng)手機(jī),都與之息息相關(guān)。直接受益于 5G 大規(guī)模商用的芯片包括存儲(chǔ)芯片、計(jì)算芯片、控制芯片、智能手機(jī)芯片、基帶芯片等。

  1)存儲(chǔ)芯片:流量的增長(zhǎng)是 5G 時(shí)代的特征之一,無(wú)論是服務(wù)器還是云,5G 的高速度、大流量自然會(huì)帶來(lái)存儲(chǔ)的大量需要,移動(dòng)終端 10G 內(nèi)存+512G 存儲(chǔ)容量可能會(huì)成為主流配置。隨著 5G 大規(guī)模商用進(jìn)程的推進(jìn),2019 下半年至 2020 年的季度存儲(chǔ)需求量將會(huì)同比大幅增加。目前在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等居于主導(dǎo)地位,中國(guó)大陸以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫為代表的本土存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)正在密集投資、奮起直追,并已取得產(chǎn)能和技術(shù)的階段性突破。

  2)計(jì)算芯片:服務(wù)器、核心網(wǎng)、基站等都需要計(jì)算芯片。除了少數(shù)服務(wù)器芯片我國(guó)有一定的產(chǎn)品和技術(shù)積累,絕大部分計(jì)算芯片基本上是美國(guó)企業(yè)引領(lǐng)世界。

  3)智能手機(jī)芯片:移動(dòng)通信最重要的一個(gè)終端就是智能手機(jī),智能手機(jī)芯片不僅要進(jìn)行計(jì)算,還要進(jìn)行專門的處理,比如 GPU 進(jìn)行圖像處理,NPU 進(jìn)行 AI 處理,智能手機(jī)芯片還需要體積小、功耗低等特性。華為、蘋果、三星等廠商都在研發(fā)自己的旗艦機(jī)芯片。

  此外,未來(lái) 5G 的影響將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出技術(shù)產(chǎn)業(yè)的范圍而影響到社會(huì)各個(gè)層面,催生新的應(yīng)用場(chǎng)景,推動(dòng)新的經(jīng)濟(jì)活動(dòng),進(jìn)而對(duì)全球范圍的各類芯片需求產(chǎn)生更加廣泛、普遍的拉動(dòng)和刺激,進(jìn)而帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備需求進(jìn)入新的成長(zhǎng)期。

  5G 時(shí)代,全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能擴(kuò)張對(duì)刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備的需求拉動(dòng)較為突出。5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展催生增量需求,疊加下游技術(shù)進(jìn)步對(duì)半導(dǎo)體工藝及設(shè)備提出更高要求,刻蝕、光刻、薄膜沉積等關(guān)鍵工藝設(shè)備的增量需求空間或?qū)⑤^為廣闊。其中存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)對(duì)設(shè)備的拉動(dòng)效果顯著,例如在 3D NAND 存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,隨著堆疊層數(shù)不斷增多,刻蝕、薄膜沉積工藝難度和次數(shù)不斷增加,刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備需求更為受益,薄膜沉積設(shè)備需求增長(zhǎng)幅度可能最大。

  上述產(chǎn)業(yè)變革所帶來(lái)的新趨勢(shì)已經(jīng)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求及企業(yè)發(fā)展方向產(chǎn)生刺激,逐漸向設(shè)備環(huán)節(jié)傳導(dǎo), 2019 年第四季度有望成為全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)需求及訂單回升的向上拐點(diǎn),部分主流晶圓廠資本支出及北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商銷售情況均已出現(xiàn)復(fù)蘇跡象:

  1)晶圓廠資本開(kāi)支是半導(dǎo)體設(shè)備需求的直接影響因素,2018 年臺(tái)積電、中芯國(guó)際等晶圓廠資本支出均較上年同期有所下滑,但從 2019 年前三季度來(lái)看,上述企業(yè)的資本支出已出現(xiàn)明顯同比增長(zhǎng),臺(tái)積電、中芯國(guó)際增幅分別達(dá) 44%、11%。據(jù) IC Insights 預(yù)測(cè),三星、臺(tái)積電 2019Q4 單季資本支出有望創(chuàng)下歷史新高。

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  圖:臺(tái)積電、中芯國(guó)際資本支出及增速

  2)自 2019 年 4 月以來(lái),北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨金額的同比下滑幅度一直呈現(xiàn)收窄趨勢(shì),9 月同比下滑幅度縮小到 6%,北美是全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)最為集中的區(qū)域,因此北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨金額變化一定程度上也反映了全球設(shè)備需求的好轉(zhuǎn)。

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  圖:北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商月度出貨金額及增速

  3)與北美半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)出貨變化趨勢(shì)接近,全球薄膜沉積、刻蝕設(shè)備龍頭應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體單季收入同比變化幅度在 2019Q2 跌至底部,2019Q3 同比變化率均進(jìn)入了回升階段。

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  圖:應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體單季度收入及同比增速


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