上海，2019年10月30日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出型號為 MB85RS2MTY的 SPI 2Mbit FRAM（注一）。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作，其評測樣品（evaluation sample）現(xiàn)已開始供應(yīng)。

　　此款FRAM非易失性內(nèi)存在運作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀/寫次數(shù)，并支持實時記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等，這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會遺失。因此，這款產(chǎn)品適用于需在高溫環(huán)境下運作的應(yīng)用，像是具有會產(chǎn)生大量熱能的引擎或馬達的汽車設(shè)備與工業(yè)機器人。

　　富士通電子在過去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來，這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于可穿戴裝置、工業(yè)機器人與無人機。

　　這款擁有2Mbit密度的產(chǎn)品采用SPI接口，支持從1.8v至3.6v的寬電壓范圍，且運作耐熱度可高達攝氏125度；即使在這樣的高溫環(huán)境也能保證10兆次的讀∕寫次數(shù)，相當于EEPROM的一千萬倍；最高運作頻率則達到50 MHz，比現(xiàn)有產(chǎn)品快1.5倍。此外，這些產(chǎn)品的可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到被稱為“汽車級”產(chǎn)品的認證標準。

　　此款FRAM采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，使其能輕松取代現(xiàn)有類似腳位的EEPROM產(chǎn)品。此外，也提供擁有8-pin DFN（Dual Flatpack Non-leaded）的封裝。

　　富士通電子持續(xù)為IC卡、工業(yè)機械與消費性裝置提供數(shù)據(jù)寫入效能高于EEPROM的FRAM產(chǎn)品。能在最高攝氏125度環(huán)境下運作的FRAM產(chǎn)品自2017年起就已經(jīng)量產(chǎn)，因此這類FRAM逐漸被廣泛應(yīng)用在需要在高溫下維持運作與高可靠性的汽車及工業(yè)機械市場。此次富士通電子研發(fā)并推出最大容量的2 Mbit產(chǎn)品，借此強化可運作于高達125度的FRAM產(chǎn)品陣容。

　　圖三：MB85RS2MTY的主要特色

　　富士通電子將持續(xù)提供各種FRAM產(chǎn)品與解決方案，協(xié)助客戶提升各類應(yīng)用的價值與便利性。

關(guān)鍵規(guī)格

　　組件型號：MB85RS2MTY

　　容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位）

　　接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

　　運作頻率：最高50 MHz

　　運作電壓：1.8伏特 - 3.6伏特

　　運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度

　　讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次)

　　封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN

　　認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1

詞匯與備注

　　注一：鐵電隨機存取內(nèi)存（FRAM）

　　FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。