針對此前美國芯片制造商格芯控告臺積電專利侵權(quán)一事，臺積電正式發(fā)布公告稱，已就此事展開反擊，在美國、德國及新加坡分別對格芯提出訴訟，控告格芯侵犯了臺積電25項專利。

除此之外，臺積電還提出法院應核發(fā)禁制令，禁止格芯生產(chǎn)及銷售侵權(quán)的半導體產(chǎn)品，并對該公司尋求實質(zhì)性的損害賠償。

據(jù)了解，臺積電所提及的25項專利，其中涉及40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等芯片制程等多項技術(shù)，如FinFET設計、淺溝槽隔離技術(shù)、雙重曝光方法、先進密封環(huán)與門極結(jié)構(gòu)，以及創(chuàng)新的接觸蝕刻停止層設計，而這些技術(shù)都是當前全球領先的半導體制程中的核心技術(shù)。

臺積電副總經(jīng)理暨法務長方淑華表示，“此次提出法律訴訟是為了保護臺積電的聲譽、我們的客戶和全球消費者，以確保先進半導體技術(shù)能夠更好的應用于智能手機、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領域及產(chǎn)品中，對保護公共利益極為重要?！?/p>

格芯是全球第三大晶圓代工廠，前不久，該公司在美國及德國法院控告臺積電及其客戶侵犯其16項專利技術(shù)，美國國際貿(mào)易委員也因此對臺積電展開了調(diào)查。針對這一調(diào)查，臺積電方面曾強調(diào)稱，“格芯指控侵權(quán)毫無根據(jù)，且對這種不以技術(shù)做為競爭手段，而是訴諸毫無根據(jù)的法律訴訟的行為感到失望?！?/p>