隨著市場發(fā)展，碳化硅在能源、基礎(chǔ)設(shè)備，汽車、工業(yè)等設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。2014年，碳化硅還是一個不到百萬美金的市場，2019年已經(jīng)接近800百萬美金，未來還會以更快的增長速度發(fā)展。然而，面對不斷旺盛的需求和目前產(chǎn)業(yè)條件，想要突出重圍的難度愈發(fā)困難，對于國內(nèi)企業(yè)來說，紅利顯著但機會不多。

SiC產(chǎn)業(yè)窗口期正在關(guān)閉

碳化硅為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一，擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場強度大、熱導(dǎo)率等顯著的性能優(yōu)勢，在電動汽車、電源、軍工、航天等領(lǐng)域備受歡迎，為眾多產(chǎn)業(yè)發(fā)展打開了全新的應(yīng)用可能性，被行業(yè)寄予厚望，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。

從國際產(chǎn)業(yè)動態(tài)來看，特斯拉Model3全面應(yīng)用意法半導(dǎo)體的碳化硅器件，德國英飛凌正式提出收購意法半導(dǎo)體的要約，國際主流器件廠商紛紛與美國科銳鎖定長期碳化硅晶圓供貨協(xié)議，這些動態(tài)已經(jīng)足以警醒中國功率器件產(chǎn)業(yè)，碳化硅產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成熟，而且中國企業(yè)進入碳化硅產(chǎn)業(yè)的窗口期正在關(guān)閉。

未來五年，全球碳化硅功率器件的產(chǎn)值將會由2018年的40億元向100億元突破，屆時中國如果還沒有一家企業(yè)擁有5億元市場的銷售業(yè)績（約5％的市場占有率），那么意味著中國企業(yè)將再次在功率器件產(chǎn)業(yè)上落伍，至少要再次承受15年、一整代人的落后。

國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)優(yōu)劣并存

中國碳化硅產(chǎn)能、消費量全球第一，但產(chǎn)能利用率低。同時也是碳化硅最大的生產(chǎn)國和消費國，目前大約有200多家生產(chǎn)企業(yè)從事碳化硅冶煉。

2016年全球碳化硅的產(chǎn)能在310萬噸左右，其中中國碳化硅產(chǎn)能為230萬噸左右，占據(jù)全球75％左右的份額。除了中國以外，世界上主要的碳化硅生產(chǎn)地集中在美國、俄羅斯、德國、荷蘭、日本等國。

此外，中國也是碳化硅最大的消費國。2016年，中國的消費量達到了65萬噸左右，占據(jù)全球50％左右的消費市場份額。

然而，由于我國碳化硅行業(yè)產(chǎn)能過剩嚴重，導(dǎo)致行業(yè)產(chǎn)能利用率低，多數(shù)企業(yè)的開工率不足5成。具體為黑碳化硅約為60％，綠碳化硅為30％，綜合開工率為50％。產(chǎn)能的嚴重過剩，導(dǎo)致行業(yè)競爭加劇，企業(yè)整體只能維持微利。

全球各大廠商展開布局

由于SiC具有高耐壓、低損耗、高效率等特性，可以讓功率器件突破硅的限制，帶來更好的導(dǎo)電性和電力性能。這些特性的提高，正與目前市場上熱門的汽車電子、工業(yè)自動化以及新能源等領(lǐng)域的需求相契合，因而各大廠商紛紛在SiC上展開了布局。

根據(jù)Yole于2018年發(fā)布的《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應(yīng)用》報告預(yù)測，到2023年SiC功率市場總值將超過14億美元，2017年至2023年的復(fù)合年增長率（CAGR）將達到29％。

目前，SiC功率市場仍然主要受功率因數(shù)校正（PFC）和光伏（PV）應(yīng)用中使用的二極管驅(qū)動。預(yù)計五年內(nèi)，驅(qū)動SiC器件市場增長的主要因素將是晶體管，該細分市場在2017—2023年期間的復(fù)合年增長率將達到驚人的50％。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，SiC包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。其中，尤以美國、歐洲、日本為大。美國居于領(lǐng)導(dǎo)地位，占有全球SiC產(chǎn)量的70％—80％；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈；日本則是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的絕對領(lǐng)先者。

在全球市場中，單晶襯底企業(yè)主要有cree、dowcorning、sicrystal、ii－vi、新日鐵住金、norstel等，外延片企業(yè)主要有dowcorning、ii－vi、norstel、cree、羅姆、三菱電機、infineon等，器件方面，全球大部分市場份額被infineon、cree、羅姆、意法半導(dǎo)體等少數(shù)企業(yè)瓜分。

由于碳化硅產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)如芯片性能與材料、結(jié)構(gòu)設(shè)計、制造工藝之間的關(guān)聯(lián)性較強，不少企業(yè)仍選擇采用idm模式，如羅姆和cree均覆蓋了碳化硅襯底、外延片、器件、模組全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，其中cree占據(jù)襯底市場約40％份額、器件市場約23％份額。

如今SiC器件在國內(nèi)光伏逆變器、車載充電器、充電樁等領(lǐng)域雖已開始應(yīng)用，但國內(nèi)市場上大部分碳化硅功率器件依賴進口，主要為cree、infineon、羅姆等占有。

不過，近年來國內(nèi)已初步建立起相對完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈體系，包括有idm廠商中車時代電氣、世紀金光、泰科天潤、揚杰電子等，單晶襯底企業(yè)山東天岳、天科合達、同光晶體等，外延片企業(yè)天域半導(dǎo)體、瀚天天成等，部分廠商已取得階段性進展。

我國SiC產(chǎn)業(yè)努力結(jié)束壟斷

在半導(dǎo)體對外投資受阻情況下，國內(nèi)自主創(chuàng)新發(fā)展是必由之路。2018年，在政策和資金的雙重支持下，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域新增3條SiC產(chǎn)線。

生產(chǎn)模式上，大陸在第三代半導(dǎo)體電力電子器件領(lǐng)域形成了從襯底到模組完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，器件制造方面以IDM模式為主，且正在形成“設(shè)計—制造—封測”的分工體系；大陸代工產(chǎn)線總體尚在建設(shè)中，尚未形成穩(wěn)定批量生產(chǎn)。

區(qū)域方面，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展初步形成了京津冀、長三角、珠三角、閩三角、中西部5大重點發(fā)展區(qū)域，其中，長三角集聚效應(yīng)凸顯，占從2015年下半年至2018年底投資總額的64％。此外，北京、深圳、廈門、泉州、蘇州等代表性城市正在加緊部署、多措并舉、有序推進。

總體而言，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)都取得較好進展，但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距，市場繼續(xù)被國際巨頭占據(jù)，國產(chǎn)化需求迫切。

我國從2014年碳化硅二極管就已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)，但事實上，還沒有形成完整的產(chǎn)業(yè)，與外國產(chǎn)業(yè)規(guī)模差距大，國內(nèi)市場上大部分碳化硅功率器件依賴進口，形成國際大廠壟斷局面。

單晶襯底方面，中科鋼研打造全國最大的碳化硅晶體襯底片生產(chǎn)基地，我國將有望擺脫碳化硅半導(dǎo)體襯底片依賴進口的尷尬局面。

外延片方面，瀚天天成將在明年上半年逐步釋放新產(chǎn)能，實現(xiàn)每年30萬片的產(chǎn)能目標。

器件方面，泰科天潤已建成國內(nèi)第一條碳化硅器件生產(chǎn)線?；景雽?dǎo)體自主研發(fā)的650 －1700V 3D SiC 系列 SiC JBS已火熱上市。

結(jié)尾：

目前整個碳化硅產(chǎn)業(yè)尚未進入成熟期，但國際廠商已實現(xiàn)多個環(huán)節(jié)規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)瓶頸的突破，并已摩拳擦掌、即將掀起一場大戰(zhàn)，而國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段，與國際水平仍存在差距，擺在國內(nèi)企業(yè)面前的是可觀的前景以及突圍的難度。