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模擬開關如何如何降低沖擊噪聲

2019-07-08
關鍵詞: 模擬開關 PMU

  隨著市場對功能豐富的手機需求越來越強勁,具有特殊應用性能的模擬開關得到了最終設計的持續(xù)青睞。此舉不僅能降低材料成本(BOM),還有助于提升設計性能并滿足對產品上市時間的要求。本文將通過若干實際用例指導系統設計人員如何降低沖擊噪聲(pop noise)、檢測充電器及改進眼圖張度。

  由浪涌電流引發(fā)的沖擊噪聲仍是設計人員所面臨的艱巨挑戰(zhàn),特別是當最終用戶啟動音樂和通話功能之間的切換時。只要最終用戶開啟了音樂功能,這種惱人的噪音就會給人帶來不愉快的體驗。如圖1所示,在音頻放大器工作時,通過交流耦合電容器的電源開/關浪涌電流是產生沖擊噪聲的元兇,此時的音頻共模電壓會急劇升高。

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  目前市場上已有多種解決方案。其中之一是增加額外的放大器使音頻輸出具有“0V”偏置,從而最小化緊鄰耳機之前的交流耦合電容器的大小。因為大多數耳機放大器被整合進了基帶處理器或電源管理單元(PMU),因此增加這種放大器不僅增加了材料成本,還加大了功耗。

  圖1顯示了另一種方法,這種方法在音頻信號通路中增加了一個獨立充電通路,從而允許交流耦合電容器在被切換至耳機或主通路前被完全充電。這可借助基帶處理器的通用I/O進行控制,讓音頻放大器和開關先上電,主信道開關此時處于關閉狀態(tài)。音頻輸出的共模電壓將開始從0升至VCC/2.一段時間后(以10ms為參考),耦合電容器兩端被充電至等電位,這時再開啟主信道就完全不會有浪涌電流了,因為此時電容器兩極之間的壓差為0V.

  這種開關很適合單個USB連接器(D+/D-引腳)被耳機和USB數據線共享的手機和MP3/MP4播放機采用。低的總諧波失真(THD)對音頻聲道來說非常重要。另外,由于開關被安放在交流耦合電容器之后,因此必須處理低THD下很大的反向信號擺幅。這種開關的超低關斷電容允許高速USB信號借助該器件進行“線或”連接。而較低的寄生電容也是高速USB 2.0標準的一致性測試的關鍵。

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  隨著目前的市場趨勢向單一USB充電器/數據端口的轉變,特殊應用USB開關已經成為帶充電器檢測功能的手機設計中的一種常規(guī)配置。圖2是這種開關應用的一個范例。

  基于兩個主要原因,這種設計中需要使用低導通電容的開關。首先,由于基帶處理器和高速USB控制器輸出共享連接器側的相同D+/D-引腳,因此當手機進入高速USB 2.0模式(諸如音樂下載或閃存功能)時,必須降低基帶USB1.1/2.0全速控制器的輸出電容。D+/D-線上的任何額外電容都會損害高速USB信號的眼開度。其次,在高速USB模式時,D+/D-線上懸接的額外走線必須截除以有效避免480Mbps USB信號快速的上升/下降沿引起的信號反射。

  由于單個USB端口要同時給充電器和數據功能使用,因此在目前的設計中充電器檢測功能已經非常普及。傳統方案是把D+/D-線饋至內部A/D轉換器以確定D+/D-線是否短路。如前所述,該方案的主要局限是基帶處理器GPIO端口的高輸入電容將在數據線上增加額外的容抗,這種新增加的容抗將對高數據速率下信號的有效觸發(fā)產生極為不利的影響,而該指標是USB 2.0一致性測試的一部分(例如USB 2.0信號的480 Mbps)。當然,這種方法的另外一個缺點是還占用了系統A/D轉換器的資源。

  在這些應用中,為實現充電器檢測和全速USB控制器輸出電容的隔離,需要帶超低內部電容檢測電路的USB開關。同時,用來決定選擇哪條USB通道作為輸出的USB通道選擇腳(圖2中的S腳)必須能識別1.8 V和3 V邏輯輸入(注意:在基帶處理器GPIO輸出中1.8 V和3 V都相當常用)。

  傳統的開關選擇腳可以接受高達2.0 V (TTL邏輯)的輸入“高”(Vih)電平,當開關電源(VCC)直接取自電池時,該電平可導致嚴重的漏電流。借助能識別1.8 V輸入邏輯電平的能力,還可以省去外接電平轉換器件,從而允許設計人員進一步降低材料成本。例如,飛兆的FSUSB45等IC就具有超低導通電容(7pF)和小尺寸(1.4×1.8 mm)以及充電器檢測功能和1.8 V控制邏輯識別等特性,能夠很好地滿足USB數據通路開關設計的需要。


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