2019年5月15日，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明先生在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會上，發(fā)表了《中國存儲技術發(fā)展與解決方案》主題演講，闡述新時代下中國存儲器市場的巨大需求和發(fā)展機遇。去年長鑫8GB LPDDR4的投片，率先嘗試“從0到1”的突破，推動中國存儲器廠邁出了重要的一步。

　　　　朱一明在演講中強調(diào)，長鑫存儲建立了嚴謹合規(guī)的研發(fā)體系并結(jié)合當前先進設備完成了大幅度的工藝改進，開發(fā)出獨有的技術體系，拉近了與世界先進水平的技術差距。目前研發(fā)投入支出超過25億美元。

　　朱一明表示，長鑫存儲的最初技術來源是奇夢達，通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件(約2.8TB數(shù)據(jù))收歸囊中。

　　長鑫存儲在此基礎上，通過國際合作，前期利用合作伙伴ASML的研發(fā)線，展開世界速度的快速迭代研發(fā)，據(jù)悉，目前已持續(xù)投入研發(fā)的晶圓超過15000片。

　　長鑫存儲是中國第一家邁向高端存儲投片階段的存儲器廠商，中國市場的存儲器進口數(shù)目巨大，自主研發(fā)成為一直以來努力的方向。