芯片一直是各界關(guān)注的重點,隨著5G來臨愈發(fā)顯得重要起來,中國半導(dǎo)體的發(fā)展也廣受關(guān)注,筆者以存儲為例來探討如果中國半導(dǎo)體市場?有外來者,將會是什?樣的局面?
美光在中國的布局其實在很早以前就已經(jīng)開始,早在1997年,美光科技就在臺北建廠,目前,在桃園和臺中,美光科技都有晶圓制造廠,其中2006年在西安注冊的美光半導(dǎo)體注冊資金就達到了2.6億美元,2013年7月,美光以2000億日元,完成了100%收購日本爾必達公司,以及爾必達持有的臺灣瑞晶電子65%的股份。
在此之前,美光已經(jīng)跟力晶電子(Power Chip)達成協(xié)議收購24%的瑞晶股份,這樣美光合計控股了瑞晶電子89%的股份。2015年12月,美光以32億美元收購其尚δ持有的臺灣華亞科技剩余67%股份。至此,華亞科技成為美光全資子公司。
至此,美光?年在中國大?市場的營收約為700億,大約占其總營收的50%左右。
假如中國半導(dǎo)體市場?有外來者
中國半導(dǎo)體一直是在?著敵人的炮火匍匐前進,如今,敵人的炮火越來越兇猛,那假設(shè)中國市場?有外來者,我們能否實現(xiàn)自給自足?
目前DRAM產(chǎn)能主要掌握在三星、海力士、美光等幾家手中,隨著合肥長鑫、福建晉華等廠商 DRAM 項目穩(wěn)步推進,將有利于打破?斷,使得產(chǎn)業(yè)走向良性循環(huán),根據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)技術(shù)振興院預(yù)測,4Gb DARM 價格到 2019 將大幅下降至 3.53 美元;估計韓國 5 年后減少的 DRAM 收入為 67 億美元。
國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)取得重大進展,基本覆蓋了各種關(guān)鍵設(shè)備種類,整體水平達到 28nm,并在 14nm 和 7nm 實現(xiàn)了部分設(shè)備的突破。中電科電子裝備生產(chǎn)的 8 英寸 CMP 設(shè)備已在客戶端進行驗證,上海微電子也已經(jīng)實現(xiàn) 90nm 光刻機的國產(chǎn)化。
2014年,我國成立了國家集成電·產(chǎn)業(yè)投資基金,自設(shè)立以來,實施項目覆蓋了集成電·設(shè)計、制造、封裝測試、裝備、材料、生態(tài)建設(shè)等各環(huán)節(jié),實現(xiàn)了在產(chǎn)業(yè)鏈上的完整布局。
事實上,中國在芯片的設(shè)計、制造、封裝三大環(huán)節(jié)之中,差距最大是制造。2016年中國的集成電·進口為2271億美元,也就是說約90%的芯片需要進口,預(yù)計到2020年芯片國產(chǎn)化率預(yù)計將提升至15%。中芯國際2016年的營收為29.21億美元,全球市場占有率6%,排名世界第四,28nm制程的營收到2017年就已經(jīng)已經(jīng)占到了10%左右。
長江存儲已于2017年成功研發(fā)32層NAND FLASH產(chǎn)品,并且預(yù)計將于今年年底量產(chǎn)64層3D NAND,同時將導(dǎo)入Xtacking?架構(gòu)應(yīng)用,并規(guī)劃在2020年跳過96層3D NAND技術(shù)進入128層3D NAND階段,這將大幅度縮短與國際大廠在技術(shù)上的差距。
合肥長鑫項目專注于DRAM的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,而最初技術(shù)來源是奇夢達,之后通過與國際大廠合作,持續(xù)投入研發(fā)超過25億美元,并不斷完善自身研發(fā)技術(shù),目前已累積有1萬6千個專利申請,已持續(xù)投入晶圓量超過15000片,之前規(guī)劃是2019年底實現(xiàn)2萬片/月產(chǎn)能,加速中國存儲芯片國產(chǎn)化目標實現(xiàn)的進程。
芯片國產(chǎn)化就是為了不斷帶動國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備商的進步,最終實現(xiàn)上游核心供應(yīng)、下游集成封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈完備。
小編認為作為追趕者,閉門造車顯然是行不通的,三星半導(dǎo)體也是韜光養(yǎng)晦幾十載才有如今的氣候,追趕的·從來都不好走,但值得樂觀的是目前我們已經(jīng)走上正軌,內(nèi)在方面,扶持政策和資本都開始了更大幅度的介入,人才培養(yǎng)的力度也不斷加大;外在方面面對著巨頭不斷加大的封鎖與追殺,但是這也正給了國產(chǎn)廠商一個加速走向市場絕佳機會,黑暗之后才有光明,況且隨著摩爾定律在工藝上逐漸接近極限,也給了我們彎道超車的好機會。