盡管受到來自美國方面的批評與制裁，半導體產(chǎn)業(yè)仍受到大陸政府全力扶植，近日傳出，2016年在湖北武漢成立、總投資達240億美元的長江存儲正加快建設(shè)步伐，有望在2018年年底投產(chǎn)，實現(xiàn)每月30萬片晶圓的產(chǎn)能目標。

　　大陸是全球記憶體芯片消費的第一大國，但關(guān)鍵技術(shù)上幾乎仰賴境外，為此，大陸政府在「十三五」規(guī)劃與「中國制造2025」中，均將推動本土半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展作為重要任務(wù)。

　　透過近年努力，目前大陸制造半導體記憶體芯片已形成三大重心，分別是福建晉華、合肥長鑫與長江存儲，福建晉華與合肥長鑫主攻DRAM，位在武漢的長江存儲主打3D NAND快閃記憶體。其中，又以長江存儲的進展最受外界關(guān)注。

　　成立以來，長江存儲除了接受大陸國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金（簡稱大基金）超過100億元人民幣（下同）的投資之外，還備受大陸中央高層關(guān)注。依照長江存儲的目標，2023年要實現(xiàn)每月30萬片晶圓的產(chǎn)能，年產(chǎn)值1千億元，并滿足大陸境內(nèi)快閃記憶體需求量的50％。

　　今年4月中旬，大陸通訊設(shè)備巨頭中興通訊受到美國政府禁售令制裁，不僅讓中興營運元氣大傷，也暴露大陸在半導體關(guān)鍵技術(shù)上受制于人的弱點，大陸國家主席習近平4月下旬特地前往長江存儲旗下的武漢新芯考察，聽取相關(guān)報告，并勉勵公司要加快在芯片技術(shù)上取得重大突破。

　　據(jù)大陸報導，近期湖北省社科院副院長秦尊文表示，在建構(gòu)長江中游城市群現(xiàn)代化經(jīng)濟體系中，大陸政府在湖北布局了記憶體芯片領(lǐng)域的科研和生產(chǎn)，總投資240億美元的長江存儲專案在武漢成立，正加快建設(shè)步伐，力爭在2018年年底投產(chǎn)，爭取實現(xiàn)每月30萬片晶圓的產(chǎn)能。

　　秦尊文表示，目前世界上記憶體芯片市場主要由美、日、韓主導，是高度壟斷的寡頭市場格局。湖北要聚集「產(chǎn)學研用融」各方面資源，爭取用3年時間建成國際一流的資訊光電子制造業(yè)創(chuàng)新平臺，相關(guān)成果達到國際水準，推動資訊光電子產(chǎn)業(yè)所需的核心光電子芯片和零組件的行業(yè)供給率超過30％。