全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）面向以戶(hù)外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。（※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)）
近年來(lái)，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì)，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受可靠性等因素影響，遲遲難以推出相應(yīng)產(chǎn)品，所以1700V耐壓的產(chǎn)品一般使用IGBT。
在這種背景下，ROHM推出了實(shí)現(xiàn)額定1700V的全SiC功率模塊，新產(chǎn)品不僅繼承了1200V耐壓產(chǎn)品中深獲好評(píng)的節(jié)能性能，還進(jìn)一步提高了可靠性。
此次新開(kāi)發(fā)的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法，成功地預(yù)防了絕緣擊穿，并抑制了漏電流※1）的增加。在高溫高濕反偏試驗(yàn)（HV-H3TRB）※2）中，實(shí)現(xiàn)了極高的可靠性，超過(guò)1,000小時(shí)也未發(fā)生絕緣擊穿現(xiàn)象。從此，在高溫高濕度環(huán)境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。
另外，模塊中采用了ROHM產(chǎn)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），通過(guò)優(yōu)化模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使導(dǎo)通電阻性能比與同等SiC產(chǎn)品優(yōu)異10％，非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。
本模塊已于2018年10月開(kāi)始投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠（日本京都）。
未來(lái)，ROHM不僅會(huì)繼續(xù)擴(kuò)充讓客戶(hù)安心使用的產(chǎn)品陣容，還會(huì)配備可輕松測(cè)試SiC模塊的評(píng)估板等，以進(jìn)一步滿(mǎn)足日益擴(kuò)大的市場(chǎng)需求。
＜特點(diǎn)＞
在高溫高濕環(huán)境下確保業(yè)界頂級(jí)的可靠性
通過(guò)采用新涂覆材料作為芯片的保護(hù)對(duì)策，并引進(jìn)新工藝方法，使新模塊通過(guò)了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn)，從而使1700V耐壓的產(chǎn)品得以成功走向市場(chǎng)。
比如在高溫高濕反偏試驗(yàn)中，比較對(duì)象IGBT模塊在1,000小時(shí)以?xún)?nèi)發(fā)生了引發(fā)故障的絕緣擊穿，而B(niǎo)SM250D17P2E004在85℃／85%的高溫高濕環(huán)境下，即使施加1360V達(dá)1,000小時(shí)以上，仍然無(wú)故障，表現(xiàn)出極高的可靠性。
2.優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能，有助于設(shè)備進(jìn)一步節(jié)能
新模塊中使用的是ROHM產(chǎn)的SiC SBD和SiC MOSFET。通過(guò)SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置，使導(dǎo)通電阻低于同等普通產(chǎn)品10%，這將非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。
?。糞iC功率模塊的產(chǎn)品陣容＞
?。夹g(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
※1） 漏電流
功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來(lái)的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。
※2） 高溫高濕反偏試驗(yàn)（HV-H3TRB：High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias）
對(duì)于在高溫高濕環(huán)境下使用功率元器件時(shí)的耐久性進(jìn)行評(píng)估的試驗(yàn)。通過(guò)電場(chǎng)和水分引起的絕緣處漏電流的增加，來(lái)檢測(cè)絕緣擊穿等故障現(xiàn)象。