據(jù)國外媒體報道，半導(dǎo)體設(shè)備貿(mào)易組織SEMI預(yù)計，2018年全球芯片制造商設(shè)備支出將增長14%至628億美元，而2019年將增長7.5%至675億美元。

　　這是一筆巨大的開支，而尖端晶圓廠(芯片制造工廠的簡稱)的成本飆升逾100億美元以上。該行業(yè)在繼續(xù)推進摩爾定律(Moore’s Law)，也就是每隔幾年芯片上晶體管數(shù)量翻番方面卻面臨著挑戰(zhàn)。

　　SEMI今天發(fā)布的最新世界晶圓廠預(yù)測報告稱，2019年將是該行業(yè)連續(xù)第四年支出增長，也是該行業(yè)歷史上對芯片制造設(shè)備投資最高的一年。同期新晶圓廠建設(shè)投資也接近創(chuàng)紀(jì)錄水平，預(yù)計將連續(xù)第四年實現(xiàn)增長，明年的資本支出將接近170億美元。

　　該報告顯示，隨著大量新晶圓廠的出現(xiàn)顯著增加了設(shè)備需求，對晶圓廠技術(shù)、產(chǎn)品升級以及額外產(chǎn)能的投資將會增加。

　　世界晶圓廠預(yù)測報告目前追蹤了78個新工廠和生產(chǎn)線，這些新工廠和生產(chǎn)線已經(jīng)開始或計劃在2017年至2020年之間開工建設(shè)，最終將需要價值約2200億美元的晶圓廠設(shè)備。而在此期間，這些晶圓廠和生產(chǎn)線的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)支出預(yù)計將達到530億美元。

　　其中韓國將以630億美元的投資領(lǐng)于其它地區(qū)，僅比排名第二的中國多10億美元。日本和美洲在晶圓廠方面的投資分別為220億美元和150億美元。而歐洲和東南亞投資總額均為80億美元。其中大約60%的晶圓廠將服務(wù)于內(nèi)存領(lǐng)域(占比最大的將是3D NAND閃存，用于智能手機和數(shù)據(jù)中心的存儲產(chǎn)品)，而三分之一的晶圓廠將用于代工芯片制造。

　　在2017年至2020年開始建設(shè)的78個晶圓廠建設(shè)項目中，59個是在前兩年(2017年和2018年)開始建設(shè)的，19個預(yù)計在跟蹤期內(nèi)的最后兩年(2019年和2020年)開始建設(shè)。

　　SEMI指出，開設(shè)一個新的晶圓廠通常需要一到一年半的時間，不過有些晶圓廠需要兩年，有些則需要更長時間，這取決于公司實力、晶圓廠規(guī)模、產(chǎn)品類型和地區(qū)等各種因素。在總計約2200億美元投資中，有一半將在2017年到2020年期間完成，其中2017年和2018年的投資不到10%，2019年和2020年的投資接近40%，2020年后的投資接近40%。

　　盡管這2200億美元的預(yù)算是基于目前已經(jīng)開工建設(shè)和公司公布的晶圓廠計劃，但由于許多公司繼續(xù)宣布新的晶圓廠計劃，總支出可能超過這個水平。自上季度報告發(fā)布以來，已有18項新的晶圓廠計劃被納入預(yù)測。

英特爾芯片設(shè)計時設(shè)計的芯片是由價值數(shù)十億美元的大型晶圓廠所制造的。