為滿足在產(chǎn)量、可靠度及性能方面等要求，先進制程對特用化學及新材料需求大增，對此，英特格(Entegris)副技術長Montray表示，象是在薄膜沉積(Deposition)、過濾器(Filter)和運送晶圓的晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod, FOUP)設計、要求都有所改變，促使半導體材料商的開發(fā)挑戰(zhàn)也日漸增加。

　　Montray指出，過往28納米以上的制程，在進行薄膜沉積時，多使用液體化學材料；然而，隨著制程走到10納米以下(如7、5、3納米)，不僅所使用的材料越來越稀有，也從原本的液體化學材料轉變成固體化學材料。也因此，對于材料商而言，要如何將固體化學材料氣化，并且在芯片上呈現(xiàn)均勻的薄膜層，而不是厚薄不平均導致晶圓良率降低，是一大挑戰(zhàn)。

　　另一方面，10納米以下的先進制程對于雜質過濾的要求也越來越高，晶圓廠必須導入效能更強的過濾、凈化產(chǎn)品，才能確保半導體晶圓不受污染，提升生產(chǎn)良率，也因此，過濾器的純凈度勢必得再度提升。

　　Montray說明，從28納米走到7納米，產(chǎn)品的金屬雜質要求須下降100倍，污染粒子的體積也必須要縮小4倍，而隨著制程走到10納米以下，對于潔凈度要求只會愈來愈嚴格，例如28納米晶圓可能可以有10個污染粒子，但7納米晶圓上只能有1個。也就是說，為因應先進制程，過濾器必須更干凈，這也意味著材料商必須花費更多的時間設計產(chǎn)品，確保更高的潔凈度。

　　除此之外，晶圓運送盒也因先進制程而產(chǎn)生新的需求。Montray解釋，當晶圓擺放至晶圓運送盒當中時，不代表馬上就會運送，可能會經(jīng)過一段時間待所有準備就緒后才開始運送(約2~3小時)。也因此，在這段期間內(nèi)，要如何確保盒內(nèi)環(huán)境對晶圓不會有所影響，便是研發(fā)晶圓運送盒時須考量的關鍵。

　　Montray指出，特別是采用先進制程的晶圓，其薄膜層非常薄，對氧氣十分敏感，很容易被氧化，也因此，晶圓運送盒的設計重點便在于如何實現(xiàn)更嚴格的「污染控制」，也就是要有更緊密的密合度、更高的排氣、充氣效果，使晶圓在運送過程中不至于產(chǎn)生損壞。

　　總而言之，半導體持續(xù)朝向先進制程發(fā)展，連帶使得新材料開發(fā)的挑戰(zhàn)逐漸增加，也因此，英特格不斷提升其技術能力與業(yè)務版圖，象是在臺灣技術中心引進KLA SP3晶圓檢測系統(tǒng)，讓該公司在臺灣的晶圓檢測能力擴展至19納米，得以自行產(chǎn)出晶圓缺陷的數(shù)據(jù)，以引導新產(chǎn)品開發(fā)及改善產(chǎn)品性能。