《電子技術(shù)應(yīng)用》
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美國(guó)重金投資3D芯片項(xiàng)目

2018-08-21
關(guān)鍵詞: 3D 芯片 ERI

 

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 整整一周之前,一個(gè)重大項(xiàng)目在美國(guó)悄然啟動(dòng)。

  這個(gè)項(xiàng)目是美國(guó)“電子復(fù)興計(jì)劃”(ERI)中的絕對(duì)核心。ERI被外界稱為美國(guó)第二次電子革命,承載著延續(xù)美國(guó)榮光的重任。

  在ERI首批7500萬(wàn)美元撥款中,這個(gè)項(xiàng)目獨(dú)得6100萬(wàn)美元,成為最大贏家。足見ERI計(jì)劃制定機(jī)構(gòu)——美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)的重視程度。美國(guó)不單要遏制對(duì)手,還要扶持自家。

  這個(gè)項(xiàng)目的目標(biāo),意在構(gòu)建下一代芯片3D芯片。

  3D芯片能以更低的成本,實(shí)現(xiàn)50倍的計(jì)算性能提升,據(jù)稱能以90nm工藝實(shí)現(xiàn)7nm芯片的性能。這被認(rèn)為對(duì)美軍具有重要意義,同時(shí)也被美國(guó)媒體認(rèn)為是打壓中國(guó)芯片的重要一步。

  參與這一項(xiàng)目的核心人士指出,如果美國(guó)不繼續(xù)采取行動(dòng),為今后十年早做準(zhǔn)備,就會(huì)在芯片領(lǐng)域失去核心競(jìng)爭(zhēng)力。有研究公司指出:“美國(guó)和歐洲都非常擔(dān)心中國(guó)在芯片戰(zhàn)場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位?!?/p>

  更多關(guān)于這個(gè)項(xiàng)目的細(xì)節(jié)正逐漸浮出水面。

  MIT的熱門研究

  這個(gè)項(xiàng)目的核心人物,是麻省理工(MIT)的明星教授Max Shulaker。他2016年加入MIT,此前本碩博就讀于斯坦福大學(xué)。

  2013年,博士在讀的Shulaker研發(fā)出全球首臺(tái)碳納米晶體管計(jì)算機(jī),并成功測(cè)試運(yùn)行。這一突破意味著,人類的計(jì)算設(shè)備有望擺脫對(duì)硅晶體的依賴。

  這篇碳納米晶體管計(jì)算機(jī)的論文,登上了當(dāng)年的《自然》雜志,也是目前Shulaker被引用最多的一篇論文。在碳納米晶體管基礎(chǔ)上,2017年Max Shulaker又取得新的突破:3D芯片。這篇論文,同樣被《自然》刊發(fā)。

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  簡(jiǎn)單解釋一下3D芯片的意義。

  傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)由不同的芯片連接而成,隨著數(shù)據(jù)量日益增加,計(jì)算芯片和存儲(chǔ)芯片之間的通信“瓶頸”越來越明顯。而且基于硅晶體管的芯片,性能提升已隨摩爾定律放緩,且芯片上騰挪的空間有限。

  而石墨烯制造的碳納米晶體管(CNFET)+電阻隨機(jī)存儲(chǔ)單元(RRAM),可以彼此垂直構(gòu)建,形成具有邏輯和存儲(chǔ)器交錯(cuò)層的3D芯片結(jié)構(gòu),有效拓展了數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠款i。

  基于硅晶體管的芯片,無(wú)法構(gòu)建類似的3D結(jié)構(gòu),因?yàn)闃?gòu)建新電路層的1000℃高溫會(huì)破壞底層電路。而碳納米晶體管的構(gòu)建可以在200℃以下完成。

  除了計(jì)算和存儲(chǔ)芯片合一,3D芯片還可以把碳納米晶體管構(gòu)建的傳感芯片也堆疊進(jìn)去,形成一個(gè)更加強(qiáng)大的單體芯片。

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  這種芯片的結(jié)構(gòu),特別適合深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算。

  3D芯片可以用在自主無(wú)人機(jī)、面部識(shí)別等各種領(lǐng)域,因而也備受美國(guó)軍方的關(guān)注。既關(guān)乎民生經(jīng)濟(jì),又關(guān)乎國(guó)防安全。

  除了Max Shulaker,參與這個(gè)項(xiàng)目的主要研究人員還包括MIT工程學(xué)院院長(zhǎng)Anantha Chandrakasan等。

  在“電子復(fù)興計(jì)劃”之前,DARPA已經(jīng)通過其他項(xiàng)目,投資支持3D芯片的研究。這次不過是繼續(xù)加大了資金支持力度。

  美國(guó)芯片廠SkyWater

  誰(shuí)來負(fù)責(zé)這個(gè)項(xiàng)目落地?

  SkyWater,直譯成中文,就是天水公司。

  但坦白講,你可能沒聽過這個(gè)名字。

  畢竟這是一家去年才成立的公司,從美國(guó)芯片制造商賽普拉斯(Cypress)拆分而成。天水現(xiàn)任總裁Thomas Sonderman是一位芯片行業(yè)的資深人士,曾經(jīng)供職于AMD和晶圓代工廠格羅方德。

  和自己設(shè)計(jì)芯片的英特爾不同,天水是一家芯片代工廠。目前業(yè)務(wù)主要來自賽普拉斯,年收入為數(shù)億美元。

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  △SkyWater位于明尼蘇達(dá)的工廠

  在DARPA資金的扶持下,天水將與MIT和斯坦福大學(xué)合作,把3D芯片的研發(fā)構(gòu)想,在未來三年中變成可以大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的現(xiàn)實(shí)。

  如果天水成功,芯片制造方式將徹底改變。這直接威脅著目前的傳統(tǒng)、2D芯片公司,例如三星、格羅方德、臺(tái)積電等。

  然而與這些同行相比,天水目前的芯片制造技術(shù)落后至少十年?,F(xiàn)在天水的生產(chǎn)工藝還停留在90nm、130nm的水平,而臺(tái)積電已經(jīng)準(zhǔn)備在2022年量產(chǎn)3nm芯片。

  為什么天水會(huì)入選?

  因?yàn)檫@是為數(shù)不多的,完全美國(guó)獨(dú)資控制的芯片代工廠。

  上面提到的另一家美國(guó)芯片代工廠格羅方德,實(shí)際上背后是阿布扎比政府基金Mubadala。

  “我們是一家美國(guó)公司,”天水總裁Sonderman強(qiáng)調(diào)說?!安粫?huì)有任何知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題,這非常有利于我們與DARPA和政府之間的互動(dòng)?!?/p>

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  顯然DARPA的計(jì)劃極大加持了天水。3D芯片被認(rèn)為能帶來50倍的計(jì)算性能提升,甚至有望實(shí)現(xiàn)數(shù)量級(jí)的突破。而且,這種架構(gòu)能夠降低芯片成本,以90nm生產(chǎn)的3D芯片,能實(shí)現(xiàn)7nm芯片的性能。這些都是天水未來可能握在手中的籌碼。

  通常只有蘋果、高通這樣的巨頭,才能讓臺(tái)積電、格羅方德等制造商幫忙代工最先進(jìn)的定制芯片,訂單量都得在數(shù)百萬(wàn)以上。但定制芯片的需求,并非巨頭才有,而且需求量正在不斷增長(zhǎng)。

  成本更低的3D芯片制造技術(shù),已經(jīng)讓天水憧憬未來能服務(wù)更多小規(guī)模的公司,并從高端亞洲芯片代工廠手里分一杯羹。

  未來爭(zhēng)奪戰(zhàn)

  然而3D芯片的制造,并非坦途一條。

  多年以來,如何使用碳納米晶體管批量生產(chǎn)芯片,一直是半導(dǎo)體工業(yè)界努力要攻克的挑戰(zhàn)。鐵,既是用于生長(zhǎng)碳納米管的催化劑,也是一種雜質(zhì)。它會(huì)污染用于芯片制造的工具,這些工具需要很高的清潔度。

  一旦工程障礙清除,碳納米晶體管制造的芯片,就能以比傳統(tǒng)硅晶體管更低的功率運(yùn)行?!疤技{米管過去一直存在很多固有缺陷,多年來我們一直在慢慢地解決問題,現(xiàn)在已經(jīng)可以用于構(gòu)建大型系統(tǒng)?!盡ax Shulaker說。

  1991年,現(xiàn)任日本學(xué)士院院士、中國(guó)科學(xué)院外籍院士飯島澄男,在《自然》雜志上宣布觀察到碳納米管,由此開拓出一個(gè)全新的領(lǐng)域。

  隨著摩爾定律的終結(jié),硅晶體管即將迎來物理極限。而碳納米晶體管被認(rèn)為是芯片行業(yè)的未來。2016年,美國(guó)勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室采用碳納米管復(fù)合材料,將晶體管制程縮減到了1nm。

  很多機(jī)構(gòu)都在研究碳納米晶體管。

  2001年成立的Nantero,準(zhǔn)備在一種新型存儲(chǔ)芯片中使用碳納米管,這種產(chǎn)品被稱作NRAM。Nantero在官網(wǎng)中指出,碳納米管直徑僅為頭發(fā)絲的五萬(wàn)分之一,但強(qiáng)度是鋼的50倍,密度為鋁的一半,導(dǎo)電性優(yōu)于任何已知材料。

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  去年1月,《科學(xué)》雜志刊登了我國(guó)在碳納米管方面的突破:北京大學(xué)彭練矛和張志勇課題組,首次制備出5納米柵長(zhǎng)的高性能碳納米晶體管,并證明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS(互補(bǔ)金屬—氧化物—半導(dǎo)體)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,將晶體管性能推至理論極限。

  這篇論文第一作者是北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院博士后邱晨光,張志勇教授和彭練矛教授為共同通訊作者。

  《北京大學(xué)校報(bào)》此前對(duì)彭練矛有一篇專題報(bào)道,其中提到:

  “我們大概從2001年開始就得到科技部‘973計(jì)劃’的支持。北大有一個(gè)很大的團(tuán)隊(duì)都在做這個(gè)事情,包括化學(xué)學(xué)院、物理學(xué)院和信息學(xué)院?!眹?guó)家對(duì)彭練矛團(tuán)隊(duì)的碳基納米電子學(xué)項(xiàng)目一直很重視。2006年,第一期“973”計(jì)劃結(jié)束。在國(guó)家重大基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃“納米研究”框架下,彭練矛團(tuán)隊(duì)得到了進(jìn)一步研究碳基器件方面的支持,2011年又得到了碳基集成電路方面的支持。在國(guó)家的幫助下,彭練矛團(tuán)隊(duì)已經(jīng)制備出了世界上性能最好的碳納米管晶體管。就單個(gè)器件來說,其速度要比同樣尺寸的硅基器件快五至六倍,功耗比硅基器件的十分之上還要低。

  此外,特殊的電子結(jié)構(gòu)和良好的熱穩(wěn)定性也使碳納米管晶體管的制備過程不需要通過摻雜來控制電學(xué)性能,可以適應(yīng)很高和很低的溫度。傳統(tǒng)的芯片在高溫時(shí),里面的雜質(zhì)會(huì)擴(kuò)散,從而給芯片帶來不可恢復(fù)的損失。因此,碳納米材料在特殊環(huán)境中,如極低溫或航天條件下優(yōu)勢(shì)明顯。此外,硅基材料本身是間接帶隙材料,這限制了它在光電方面的應(yīng)用;而碳納米管是一種直接帶隙材料,具有良好的光學(xué)性能。

  △飯島澄男(左)和彭練矛

  實(shí)際上,美國(guó)研究這方面的團(tuán)隊(duì)也不止一兩家。即便在DARPA的扶持計(jì)劃中,也不僅僅有Max Shulaker牽頭的一個(gè)項(xiàng)目。佐治亞理工學(xué)院的Sung Kyu Lim,也在牽頭負(fù)責(zé)同題的項(xiàng)目,只不過拿到的經(jīng)費(fèi)沒有那么多而已。

  “如果美國(guó)在下一個(gè)十年不采取行動(dòng),我們將失去芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力,”Sonderman警告說忽視芯片制造技術(shù)會(huì)帶來可怕的后果,而幫助天水這樣的公司成長(zhǎng),就是美國(guó)正確的一步。

  芯片研究公司VLSI Research的首席執(zhí)行官Dan Hutcheson表示:“美國(guó)和歐洲都非常擔(dān)心中國(guó)在芯片戰(zhàn)場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位”。


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