因應節(jié)能減碳風潮，碳化硅(SiC)因具備更高的開關速度、更低的切換損失等特性，可實現小體積、高功率目標，因而躍居電源設計新星；其應用市場也跟著加速起飛，未來幾年將擴展進入更多應用領域，而電源芯片商也加快布局腳步，像是英飛凌(Infineon)便持續(xù)擴增旗下CoolSiC MOSFET產品線，瞄準太陽能發(fā)電、電動車充電系統和電源供應三大領域。

　　英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)處大中華區(qū)應用與系統總監(jiān)馬國偉指出，相較于Si功率半導體，SiC裝置更為節(jié)能；且由于被動元件的體積縮小，因此提供更高的系統密度。除了電動車之外，SiC未來幾年將會更加普及于各種應用領域，像是光電、機器人、工業(yè)電源供應、牽引設備及變速馬達等。英飛凌將持續(xù)以SiC溝槽式(Trench)技術推出CoolSiC MOSFET系列產品，提供高性能、高可靠性，以及高功率密度且具成本效益的解決方案。

　　馬國偉進一步說明，以往的MOSFET多采用平面的方式設計，此一方式在導通狀態(tài)下，需要在性能及閘極氧化層可靠性之間作取舍；但使用溝槽式技術后，在不違反閘極氧化層可靠性的條件下，可更容易達到高性能的要求。換言之，運用溝槽式技術，可實現更佳的閘極氧化層可靠性，達到硅(Si)材料開關元件無法達到的開關效率，進而減小整體系統的體積和提高功率密度。

　　據悉，為布局SiC應用市場，英飛凌于2017年便已發(fā)布CoolSiC模組“EASY 1B”，更于2018德國紐倫堡電力電子系統及元器件展(PCIM Europe)再推出一系列CoolSiC產品，包括半橋式拓撲CoolSiC模組“EASY 2B”，以及采用62mm半橋式技術的CoolSiC模組。

　　2017年發(fā)表的EASY 1B導通電阻僅45mΩ，適用于馬達驅動、太陽能或焊接技術領域；而新推出的EASY 2B模組，每個開關的導通電阻為8mΩ，適用于50kW以上及快速切換操作的應用，包括太陽能變頻器、快速充電系統或不斷電系統解決方案。至于62mm半橋式技術模組，則具備更高功率，其每個開關的導通電阻僅6mΩ，有助于實現中功率等級系統的低電感連接，可在各種不同的應用領域中發(fā)揮作用，包括醫(yī)療技術或鐵道用輔助電源供應等。

　　馬國偉透露，目前該公司旗下的CoolSiC MOSFET會先以1200V的產品為主，因為在工業(yè)應用市場，1200V是最常見的電壓；當然，該公司也會持續(xù)推出相關解決方案，依照不同應用需求研發(fā)1200V以上/以下、體積更小、導通電阻更低的產品。