目前我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展成績(jī)斐然，在封裝測(cè)試和芯片設(shè)計(jì)方面已具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，但在處理器等高端芯片、模擬芯片、光器件、配套設(shè)備材料和工藝、EDA/IP和軟件方面與國(guó)際先進(jìn)水平相比差距依然十分顯著。盡管如此，全球集成電路產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)變革時(shí)期，未來(lái)，挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)將大有可為。

　　在集成電路產(chǎn)業(yè)上我國(guó)的確與美國(guó)的差距很大，中興事件也暴露出了我們的軟肋，但是從集成電路產(chǎn)業(yè)的起步時(shí)間來(lái)看，我國(guó)其實(shí)趕上了“早班車”。

　　1956年，我國(guó)提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，受國(guó)外電子器件發(fā)展的影響與啟示，我國(guó)提出了要研究半導(dǎo)體科學(xué)，并把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一。這是國(guó)家角度的第一次正視與重視。1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會(huì)，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國(guó)內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。

　　1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等，標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。

　　世界上第一塊集成電路于1958年誕生，由TI研制。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展從1965年算起的話，與美國(guó)的差距也只有7年而已，比韓國(guó)還要早一些。然而由于“文革”等因素，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)逐漸“掉隊(duì)”。

　　在“2018集成電路人才發(fā)展高峰論壇”上，浙江大學(xué)超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)研究所所長(zhǎng)張明教授總結(jié)了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程：1、中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從上世紀(jì)50年代末60年代初就開始了，但因?yàn)椤拔母铩钡纫蛩嘏c國(guó)際先進(jìn)水平拉開了差距；2、改革開放到90年代，引進(jìn)國(guó)外技術(shù)：“908工程”引進(jìn)8英寸生產(chǎn)線，但是未成功；3、2000年，合資建立中芯國(guó)際和宏力，同時(shí)信產(chǎn)部下發(fā)《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)品和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》的“18號(hào)文件”，國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)第一批芯片設(shè)計(jì)公司。4、2013年，我國(guó)集成電路進(jìn)口額高達(dá)2313億美元，超過(guò)石油成為第一進(jìn)口商品。2014年6月中國(guó)發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，把發(fā)展集成電路上升為國(guó)家戰(zhàn)略；同時(shí)成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入快車道。

　　與此同時(shí)，賽迪顧問(wèn)股份有限公司副總裁李珂表示，目前我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展成績(jī)斐然，在封裝測(cè)試和芯片設(shè)計(jì)方面已具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，但在處理器等高端芯片、模擬芯片、光器件、配套設(shè)備材料和工藝、EDA/IP和軟件方面與國(guó)際先進(jìn)水平相比差距依然十分顯著。他針對(duì)各領(lǐng)域的差距做出了總結(jié)，如下：

　　高端芯片CPU方面，解決有無(wú)問(wèn)題，并在特定領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用，但在民用市場(chǎng)性價(jià)比上有待提升。GPU領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)只有景嘉微公司有所布局，服務(wù)特種應(yīng)用。FPGA方面，國(guó)內(nèi)的高云公司和紫光國(guó)芯公司的技術(shù)水平還較低。

　　模擬芯片模擬芯片企業(yè)產(chǎn)品集中在中低端產(chǎn)品，在高電壓、高頻率、高性能、高可靠性方面與美國(guó)的差距非常顯著。射頻器件方面，國(guó)內(nèi)公司在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力和器件性能與國(guó)際先進(jìn)水平差距較大。電力電子器件方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)除中車時(shí)代電氣公司外，整體實(shí)力較弱。

　　光器件國(guó)內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)品以中低端光器件為主，高端器件95%以上從國(guó)外進(jìn)口，綜合國(guó)產(chǎn)化率不足15%，全球排名前10的光電子企業(yè)中，只有烽火集團(tuán)旗下的光迅科技公司排在第5位，而市場(chǎng)份額只有5%，在100G光電子收發(fā)器市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)的市場(chǎng)份額為0。

　　設(shè)備材料我國(guó)設(shè)備僅在部分品種實(shí)現(xiàn)了單點(diǎn)突破，等離子刻蝕機(jī)、MOCVD、清洗劑等設(shè)備已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，但尚不具備面向先進(jìn)工藝的成套工藝能力。材料方面，我國(guó)目前在8英寸硅片、金屬靶材、銅電鍍液、CMP研磨液、化學(xué)試劑等方面具備一定技術(shù)實(shí)力，但在面向先進(jìn)制程工藝的12英寸硅片、特種氣體、高純化學(xué)試劑等材料方面技術(shù)實(shí)力依然薄弱。

　　工藝國(guó)內(nèi)尚處于28nm量產(chǎn)階段，16/14nm還在研發(fā)中，與英特爾差距至少為3代。

　　EDA/IP國(guó)內(nèi)基本所有設(shè)計(jì)企業(yè)都依賴進(jìn)口企業(yè)提供的設(shè)計(jì)工具。

　　軟件我國(guó)基礎(chǔ)軟件差距較大。

　　張明教授認(rèn)為，全球集成電路產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)變革時(shí)期，未來(lái)，挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大有可為。

　　如今，新興應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)槲覈?guó)半導(dǎo)體的發(fā)展帶來(lái)新動(dòng)力。例如，物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，將帶來(lái)產(chǎn)業(yè)的深刻變革以及產(chǎn)業(yè)服務(wù)模式和生態(tài)的重構(gòu)；人工智能發(fā)展帶來(lái)近百億美元芯片市場(chǎng)需求；5G將成為帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)新一輪爆發(fā)式增長(zhǎng)重要推動(dòng)力。