致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴展30 kW三相Vienna功率因數(shù)校正(PFC)拓撲參考設計。這款可擴展的用戶友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(NCSU)合作開發(fā)，非常適合快速電動車(EV)充電和其它大功率汽車和工業(yè)應用；此外，它亦可通過美高森美功能強大的SiC MOSFET和二極管，為客戶提供更高效的開關以及高雪崩/高重復性非鉗位感性開關(UIS)能力和高短路耐受額定值。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示有源整流器PFC參考設計以及SiC產(chǎn)品系列中的其它解決方案。

　　美高森美副總裁兼分立和電源管理部門經(jīng)理Leon Gross表示：“汽車市場不斷變化，混合動力車(HEV)和電動車日益增加，SiC器件可以使得這些車輛提高效率，行走更遠路程。這繼續(xù)推動了市場對我們產(chǎn)品組合中的這些SiC器件以及其它高可靠性產(chǎn)品的高需求。在過去幾年來成功發(fā)布SiC MOSFET和二極管產(chǎn)品組合后，我們新推出的三相三開關三電平PFC參考設計是一個具體示例，說明如何在要求嚴苛的應用中利用這些部件，展示其穩(wěn)健性、高性能和整體價值?！?/p>

　　美高森美的用戶友好30 kW三相PFC參考設計包括用于其下一代SiC二極管和MOSFET的設計文件、開源數(shù)字控制軟件和用戶指南。與單相PFC和兩電平六開關升壓脈寬調制(PWM)整流器設計相比，該拓撲結構具有多項優(yōu)勢，包括在連續(xù)導通模式下工作的失真極低，并可降低約98%的電源器件開關損耗；與Si/IGBT解決方案相比，它還具有高效率和緊湊外形尺寸的優(yōu)勢。

　　該參考設計還提供詳細的3D機械和散熱設計，并帶有集成的風扇和冷卻通道以降低熱阻和縮小總系統(tǒng)尺寸。其印刷電路板(PCB)布局在開發(fā)時已考慮了安全性、電流應力、機械應力和抗噪聲能力。參考設計包帶有可立即使用的硬件和經(jīng)過驗證的開源軟件，可降低大功率開關設計的技術風險，同時加快產(chǎn)品上市。

　　除了適合快速EV/HEV充電器和適用于汽車和工業(yè)市場大功率三相電源外，美高森美全新有源三相PFC參考設計還可以用于醫(yī)療、航天、國防和數(shù)據(jù)中心市場。這款參考設計補充了面向HEV/EV充電、插電/感應式車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器和電動車動力系統(tǒng)/牽引控制、光伏(PV)逆變器和作動器應用美高森美整體SiC解決方案組合。

　　包括IndustryARC和Technavio在內的市場研究機構預計，電動車電力電子市場到2021年的年復合增長率(CAGR)將達到19%至33%。包括SiC器件在內的寬帶隙半導體器件具有高工作溫度能力和高效率，因此在EV動力傳送、DC-DC轉換器、充電和開關電源應用中的使用將會與日俱增。