憑借在DRAM和NAND Flash領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，三星在過(guò)去的兩年里借著存儲(chǔ)漲價(jià)和缺貨掙得盆滿缽滿，更是一舉超越英特爾，成為全球最大的半導(dǎo)體公司，但是三星的野心并不止于此。

　　2018年5月24日，在美國(guó)舉行的三星工藝論壇SFF 2018 USA之上，三星正式宣布了5nm、4nm、3nm工藝計(jì)劃。

　　這一計(jì)劃關(guān)系到三星能否實(shí)現(xiàn)2018年晶圓代工營(yíng)收達(dá)到100億美元的“小目標(biāo)”。

　　5nm、4nm、3nm持續(xù)推進(jìn)

　　今年，獨(dú)立部門(mén)營(yíng)運(yùn)的三星晶圓代工事業(yè)部為自己的2018年立下了一個(gè)“小目標(biāo)”，即年?duì)I收達(dá)到100億美元，年增長(zhǎng)率超過(guò)100%。

　　要知道，自從2015年三星與臺(tái)積電分別以14nm/16nm替蘋(píng)果代工生產(chǎn)A9處理器以來(lái)，過(guò)去兩年，包括iPhone 7、iPhone 8、iPhone X等在內(nèi)的A10及A11處理器均是由臺(tái)積電獨(dú)家包辦。

　　為了在未來(lái)更多的吸引到蘋(píng)果這樣的大客戶，三星也在加快自己的制程工藝的演進(jìn)。

　　5月23日，集微網(wǎng)就曾報(bào)道過(guò)，三星宣布早已經(jīng)準(zhǔn)備好了7nm LPP 工藝，2018年下半年就可以基于全新工藝生產(chǎn)更小、更低功率的芯片。

　　而另一方面， 三星宣布的5nm、4nm、3nm工藝則更具沖擊力。

　　其中，4 納米工藝仍會(huì)使用現(xiàn)有的 FinFET 制造技術(shù)，這一制造技術(shù)在高通驍龍 845 和三星 Exynos 旗艦芯片中均有使用。但到了 3 納米工藝結(jié)點(diǎn)，三星便開(kāi)始拋棄 FinFET 技術(shù)，轉(zhuǎn)而采用 GAA 納米技術(shù)。

　　具體如下：

　　7LPP (7nm Low Power Plus)

　　三星將在7LPP工藝上首次應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)今年下半年投產(chǎn)。關(guān)鍵IP正在研發(fā)中，明年上半年完成。

　　5LPE (5nm Low Power Early)

　　在7LPP工藝的基礎(chǔ)上繼續(xù)創(chuàng)新改進(jìn)，可進(jìn)一步縮小芯片核心面積，帶來(lái)超低功耗。

　　4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

　　最后一次應(yīng)用高度成熟和行業(yè)驗(yàn)證的FinFET立體晶體管技術(shù)，結(jié)合此前5LPE工藝的成熟技術(shù)，芯片面積更小，性能更高，可以快速達(dá)到高良率量產(chǎn)，也方便客戶升級(jí)。

　　3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

　　Gate-All-Around就是環(huán)繞柵極，相比于現(xiàn)在的FinFET Tri-Gate三柵極設(shè)計(jì)，將重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu)，克服當(dāng)前技術(shù)的物理、性能極限，增強(qiáng)柵極控制，性能大大提升。

　　三星的GAA技術(shù)叫做MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)管)，正在使用納米層設(shè)備開(kāi)發(fā)之中。

　　在高性能領(lǐng)域，三星也準(zhǔn)備了殺手锏，大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、AI人工智能、ML機(jī)器學(xué)習(xí)，7LPP和后續(xù)工藝都能提供服務(wù)，并有一整套平臺(tái)解決方案。

　　三星在補(bǔ)充發(fā)言中提到，“Key IP”將在 2019 年上半年實(shí)現(xiàn)交付，這就意味著某個(gè)客戶的處理器芯片已經(jīng)向三星下訂單了，明年就能交付。

　　三星晶圓代工的“小目標(biāo)”

　　從涉足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直到21世紀(jì)前幾年，三星和Intel都是IDM，自己家的晶圓廠只是生產(chǎn)自家的DRAM和Flash產(chǎn)品。

　　但到了2004年，看到市場(chǎng)前景和發(fā)展需求的三星在12寸晶圓廠導(dǎo)入了VLSI生產(chǎn)線，踏出了擴(kuò)展非存儲(chǔ)器版圖的第一步。

　　再后來(lái)三星獲得了高通CDMA芯片訂單，緊接著，與蘋(píng)果的合作使三星晶圓業(yè)務(wù)進(jìn)一步突飛猛進(jìn)。

　　2017年5月三星宣布，將把晶圓代工部門(mén)從原本的系統(tǒng)晶片事業(yè)之中分拆出來(lái)，成為獨(dú)立事業(yè)。

　　到今年，三星晶圓代工部門(mén)則為自己樹(shù)立了一個(gè)年?duì)I收100億美元的“小目標(biāo)”。

　　為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，除了用不斷更新的高端工藝吸引客戶之外，三星在近期還宣布對(duì)外提供成熟的8英寸晶圓代工技術(shù)解決方案，為中小型企業(yè)提供多項(xiàng)目晶圓服務(wù)(MPW)，面向整個(gè)市場(chǎng)全面開(kāi)發(fā)，以圖從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手手中獲得更多的市場(chǎng)份額。

　　隨著多項(xiàng)目晶圓代工服務(wù)的開(kāi)展，三星能夠其晶圓代工業(yè)務(wù)帶來(lái)更多的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)呢？

　　據(jù)媒體報(bào)道，在三星此次宣布的多項(xiàng)目晶圓代工服務(wù)中三星的8英寸工藝技術(shù)產(chǎn)品解決方案主要圍繞eFlash、顯示器驅(qū)動(dòng)IC、指紋傳感器、RF/IoT等領(lǐng)域，并且在成熟的180nm、130nm、90nm技術(shù)之外，還包括了65nm的eFlash以及70nm的顯示器驅(qū)動(dòng)IC的解決方案。如今的三星晶圓代工業(yè)務(wù)，在高端制程領(lǐng)域面臨著來(lái)自臺(tái)積電的壓力，想要在短期內(nèi)憑借工藝贏得更多的市場(chǎng)份額，并不是一件容易的事情。而在其推出的8英寸晶圓代工上，中國(guó)大陸的企業(yè)已經(jīng)投入多年，并培養(yǎng)了一些相對(duì)成熟的企業(yè)和忠實(shí)的客戶，想要打破這種客戶關(guān)系，三星也是困難重重，恐難以寸進(jìn)。

　　對(duì)三星來(lái)說(shuō)，樹(shù)立一個(gè)年?duì)I收100億美元“小目標(biāo)”容易，5nm、4nm、3nm全新工藝的推出，能否幫助三星贏得市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)自己的目標(biāo)，才是問(wèn)題！