2018年4月9-10日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁、中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟名譽理事長丁文武先生一行密集調(diào)研寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的情況，調(diào)研的單位包括基本半導(dǎo)體、英諾賽科。

4月9日首先蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研?；景雽?dǎo)體董事長汪之涵博士向丁文武先生介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片。

基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士介紹了公司的發(fā)展情況?；景雽?dǎo)體通過引進由海歸人才和外籍專家組成的高層次創(chuàng)新團隊，對碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等各方面進行研發(fā)，覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)，建立了一支國際一流的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化團隊?；景雽?dǎo)體立志于整合海外創(chuàng)新技術(shù)與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，打破國外技術(shù)壟斷，把基本半導(dǎo)體打造成為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，實現(xiàn)中國在寬木材帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的彎道超車。

丁文武對基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動，不斷發(fā)展壯大，成為中國寬禁帶a半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。

4月10日來到英諾賽科進行調(diào)研座談。英諾賽科董事長駱薇薇博士向丁文武總裁介紹了公司近期投產(chǎn)的“8英寸硅基氮化鎵”生產(chǎn)線，重點介紹了自主研發(fā)的硅基氮化鎵增強型功率器件和面向5G通信的射頻器件，隨后參觀了潔凈車間和產(chǎn)品應(yīng)用展廳。

丁文武表對英諾賽科在8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線建設(shè)、芯片研發(fā)和制造等方面取得的進展給予充分肯定，并為英諾賽科這一平臺吸引到眾多國際一流企業(yè)的半導(dǎo)體骨干人才感到振奮。希望公司要發(fā)揮人才優(yōu)勢，把握市場先機，同時在生產(chǎn)規(guī)模上再上臺階。

寬禁帶半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最有前景的材料，市場潛力巨大。

寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用最廣的是氮化鎵和碳化硅。碳化硅是開發(fā)最早的寬禁帶半導(dǎo)體材料，早在1824年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn)；到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的碳化硅開始進入市場，但直到進入21世紀后，碳化硅的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。目前已被證實的碳化硅多形體就超過200種，最常見的碳化硅多型體有立方結(jié)構(gòu)的3C-SiC和六方結(jié)構(gòu)的6H-SiC、4H-SiC。在現(xiàn)今已開發(fā)的寬禁帶半導(dǎo)體中，碳化硅是技術(shù)發(fā)展最成熟的一種。雖然氮化鎵相比碳化硅的發(fā)展起步較晚，但是氮化鎵半導(dǎo)體工藝近20年來發(fā)展態(tài)勢極為迅猛。

目前，寬禁帶半導(dǎo)體已成為高溫器件、節(jié)能功率器件、高頻器件、微波器件、抗輻射器件領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一。

不過，國內(nèi)在寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化方面進度還比較緩慢，不過令人欣喜的是，國家層面已經(jīng)在一定程度上認識到了相關(guān)技術(shù)對國防軍工、信息技術(shù)等產(chǎn)業(yè)的價值，不斷投入科研經(jīng)費，鼓勵相關(guān)單位進行技術(shù)研究，以求早日實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化方面的突破。

相信隨著國外產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的刺激，加上國內(nèi)政策方面的支持，國內(nèi)的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必將迎來曙光！