《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 模擬設(shè)計(jì) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 北方華創(chuàng)集成電路ALD設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心

北方華創(chuàng)集成電路ALD設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心

2017-12-17

由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition,ALD)設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng)微電子為國(guó)產(chǎn)高端裝備在先進(jìn)集成電路芯片生產(chǎn)線的應(yīng)用再添新秀。

ALD設(shè)備是先進(jìn)集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設(shè)備,ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺(tái)階覆蓋率高等優(yōu)點(diǎn)。在集成電路特征線寬發(fā)展到28納米節(jié)點(diǎn)后,ALD工藝應(yīng)用日益廣泛。北方華創(chuàng)微電子自2014年開(kāi)始布局ALD設(shè)備的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,歷時(shí)四年,成功推出中國(guó)首臺(tái)應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的量產(chǎn)型單片ALD設(shè)備——PolarisA630,應(yīng)用于沉積集成電路器件中的高介電常數(shù)和金屬柵極薄膜材料,設(shè)備的核心技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

此次,北方華創(chuàng)微電子PolarisA630ALD設(shè)備以參與公開(kāi)競(jìng)標(biāo)方式,成功進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心有限公司,同時(shí)中標(biāo)的產(chǎn)品還有北方華創(chuàng)微電子集成電路AlPad工藝的eVictorA1030物理氣相沉積系統(tǒng)。至此,北方華創(chuàng)微電子已有硅刻蝕機(jī)、單片退火設(shè)備、HardmaskPVD、AlPadPVD、單片清洗機(jī)、立式爐、ALD等集成電路設(shè)備應(yīng)用于28-14納米工藝制程,擴(kuò)展了國(guó)產(chǎn)高端裝備在集成電路先進(jìn)制程的配套應(yīng)用范圍。

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。