《電子技術(shù)應(yīng)用》
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CCM模式BOOST和SEPIC功率因數(shù)校正電路對(duì)比分析
2017年電子技術(shù)應(yīng)用第10期
沈黎韜,陶雪慧,楊 斌
蘇州大學(xué) 城市軌道交通學(xué)院,江蘇 蘇州215131
摘要: 對(duì)比分析了BOOST和SEPIC兩種單級(jí)功率因數(shù)校正電路。通過(guò)對(duì)電路參數(shù)的設(shè)計(jì),使得兩個(gè)電路都工作在電感電流連續(xù)模式下,并且具有相同的功率等級(jí)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析了兩個(gè)電路在不同負(fù)載以及寬輸入電壓范圍時(shí)的功率因數(shù)值、總諧波畸變率、效率以及輸出電壓紋波系數(shù)上的優(yōu)劣性。并以此為依據(jù),分析了兩個(gè)電路在實(shí)際應(yīng)用中的價(jià)值。最后,以LED驅(qū)動(dòng)電源為實(shí)際應(yīng)用,驗(yàn)證了分析結(jié)果的正確性。
中圖分類號(hào): TN86
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.170462
中文引用格式: 沈黎韜,陶雪慧,楊斌. CCM模式BOOST和SEPIC功率因數(shù)校正電路對(duì)比分析[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2017,43(10):149-152,156.
英文引用格式: Shen Litao,Tao Xuehui,Yang Bin. A comparative performance investigation of single-stage Boost and Sepic power factor controller[J].Application of Electronic Technique,2017,43(10):149-152,156.
A comparative performance investigation of single-stage Boost and Sepic power factor controller
Shen Litao,Tao Xuehui,Yang Bin
School of Urban Rail Transportation, Soochow University,Suzhou 215131,China
Abstract: This paper presents a comparative investigation of single-stage BOOST and SEPIC power factor controller. Because of the careful design of parameters, the two converters operate in continuous conduction mode and have the same power level. A comparison among the two proposed topologies in terms of power factor,total harmonic distortion,efficiency and output voltage ripple factor is also performed. The value of the two converters in practical application based on the analysis is also presented. Finally, a LED driver was built to verify the correctness of the analysis result.
Key words : power factor correction;BOOST;SEPIC;performance comparison

0 引言

    近年來(lái),開(kāi)關(guān)變換器在軍事、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,但其存在一個(gè)由非線性特性帶來(lái)的功率因數(shù)低等缺陷[1]。較低的功率因數(shù)會(huì)給電網(wǎng)和電力設(shè)備造成很大的損壞[2]。隨著非線性負(fù)載使用日益廣泛,改善電能質(zhì)量越顯重要[3]。

    針對(duì)這一問(wèn)題,國(guó)際電工委員會(huì)制定了IEC61000-3-2標(biāo)準(zhǔn),對(duì)注入電網(wǎng)的諧波電流提出了限制要求。對(duì)于一些特殊工業(yè)產(chǎn)品,比如照明設(shè)備等,需要滿足更加苛刻的IEC61000-3-2的C類標(biāo)準(zhǔn)[4]。

    對(duì)于各種功率因數(shù)校正電路的優(yōu)劣性,文獻(xiàn)[5]分析比較了BOOST電路在不同工作模式下的結(jié)果。文獻(xiàn)[6]分析了雙BOOST功率因數(shù)校正電路和BOOST功率因數(shù)校正電路的優(yōu)劣性。文獻(xiàn)[7]中對(duì)比分析了BOOST電路和交錯(cuò)并聯(lián)BOOST電路的特性。文獻(xiàn)[8]在此基礎(chǔ)上分析比較了BOOST電路、交錯(cuò)并聯(lián)BOOST電路、移相半橋BOOST電路、無(wú)橋交錯(cuò)并聯(lián)BOOST電路以及無(wú)橋諧振交錯(cuò)并聯(lián)BOOST電路的優(yōu)劣性和適用場(chǎng)合。文獻(xiàn)[9]則是比較了多種CUK電路在功率因數(shù)校正場(chǎng)合的應(yīng)用。

    本文分析了BOOST和SEPIC兩個(gè)單級(jí)功率因數(shù)校正電路,在相同的輸入電壓范圍以及相同的負(fù)載功率等級(jí)情況下,分析比較兩個(gè)電路功率因數(shù)、電流諧波、電路效率和輸出電壓紋波系數(shù)幾個(gè)方面的特性,為實(shí)際應(yīng)用中單級(jí)功率因數(shù)校正電路的選取提供了依據(jù)。

1 電路工作模式

    由于在中大功率場(chǎng)合功率因數(shù)校正電路一般工作在CCM(Continuous Conduction Mode)模式下,并且SEPIC電路在DCM模式下電流自動(dòng)跟隨電壓,不需要特殊的設(shè)計(jì),所以本文以CCM模式為研究背景。CCM模式下,SEPIC和BOOST電路工作模式都可分為兩種情況:開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)和開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)。SEPIC電路工作時(shí)的等效電路見(jiàn)圖1和圖2。

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    開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),電感L1電感L2都通過(guò)二極管D向負(fù)載放電,放電電流為式(4)和式(5)。此時(shí),二極管D導(dǎo)通,輸入端通過(guò)二極管向負(fù)載供電。二極管的電流iD為電感L1和L2上的電流。為了保證電路工作在CCM模式下,電感電流不能下降到零,也就是說(shuō)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),二極管D不能關(guān)斷。BOOST電路工作模式與SEPIC類似,這里不再介紹。

2 參數(shù)計(jì)算

2.1 CCM模式電感設(shè)計(jì)

    SEPIC電路中,為了保證電感電流工作在連續(xù)電流模式下,占空比D應(yīng)該滿足下式。

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    其中,Leq為等效電感值,R為最小負(fù)載電阻??梢缘贸鯨eq應(yīng)滿足式(9)。

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2.2 電容值設(shè)計(jì)

    SEPIC電路的輸出存在二倍線電壓頻率的紋波電壓,輸出二極管上的電流平均值為:

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3 實(shí)驗(yàn)部分

3.1 對(duì)比實(shí)驗(yàn)

    這部分從實(shí)驗(yàn)角度對(duì)BOOST和SEPIC功率因數(shù)校正器的性能進(jìn)行了對(duì)比分析。兩個(gè)電路均工作在CCM模式下,MOS管的開(kāi)關(guān)頻率都是100 kHz,并且兩個(gè)校正器的功率等級(jí)相同,所以具有可比性。兩個(gè)電路中元件具體參數(shù)見(jiàn)表1。所有電壓波形是通過(guò)KEYSIGHT N2791A電壓探頭測(cè)得,電流波形是通過(guò)CP0030A電流探頭測(cè)得,功率因數(shù)值由遠(yuǎn)方PF9800功率分析儀測(cè)得。

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    滿載時(shí)輸入電壓分別為110 V和220 V時(shí),輸入電壓和電流波形如圖3所示。

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    從圖3可以看出,兩個(gè)電路在110 V和220 V輸入時(shí)都能達(dá)到功率因數(shù)校正的效果,并且輸入電流波形接近正弦,PF值較高。具體的PF值見(jiàn)圖4。

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    由圖4可以看出,SEPIC電路無(wú)論是在滿載、2/3載還是1/3載時(shí),所得到的功率因數(shù)普遍在0.99以上,最高可達(dá)0.998。而B(niǎo)OOST電路在滿載和2/3載時(shí)功率因數(shù)的校正效果較好,在1/3載時(shí),隨著輸入電壓的升高,PF值下降得較快,這是由于當(dāng)負(fù)載減輕時(shí),輸入電流會(huì)相應(yīng)地減小,BOOST電感電流可能會(huì)出現(xiàn)不連續(xù)導(dǎo)通的情況,從而電路工作在CCM和DCM混合導(dǎo)通的模式下。而SEPIC電路工作在DCM時(shí)輸入電流自動(dòng)跟隨輸入電壓,所以負(fù)載減輕時(shí)對(duì)功率因數(shù)的影響不是很大。實(shí)測(cè)BOOST電路最小PF值為0.953。

    實(shí)測(cè)BOOST電路在滿載、2/3載和1/3載時(shí)的THD值分別為2.78%、3%和4.92%。SEPIC電路分別為6.08%、10.06%和9.01%。SEPIC電路在滿載時(shí),各次諧波所占比例均比BOOST電路大,但是在負(fù)載變輕時(shí),SEPIC電路二次和三次諧波比例有所上升,但是其他各次諧波比例均呈現(xiàn)下降的趨勢(shì)。而B(niǎo)OOST電路的各次諧波比例均隨著負(fù)載的變輕呈現(xiàn)上升的趨勢(shì),尤其是高次諧波的上升趨勢(shì)較為明顯。這是由于SEPIC電路包含兩個(gè)電感,非線性度比BOOST電路要大,所以對(duì)電流的阻礙作用要比BOOST電路明顯,從而導(dǎo)致了THD要大一些。經(jīng)測(cè)試驗(yàn)證,所設(shè)計(jì)的兩個(gè)電路都達(dá)到了IEC61000-3-2A類、B類和C類標(biāo)準(zhǔn)。

    BOOST電路以及SEPIC功率因數(shù)校正電路的效率和輸出電壓紋波系數(shù)見(jiàn)圖5所示。

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    由于SEPIC電路中輸出電流大小等于兩個(gè)電感電流的和,并且兩個(gè)電感的上升和下降時(shí)刻剛好相反,所以其中有一部分電流相抵消了,由圖5可以看出,SEPIC電路的輸出電壓紋波在相同的負(fù)載的情況下明顯比BOOST電路的輸出電壓紋波小。實(shí)測(cè)SEPIC功率因數(shù)校正電路輸出電壓紋波系數(shù)最小為1.23%,BOOST功率因數(shù)校正電路最小為2%。所以,SEPIC功率因數(shù)校正更適用與對(duì)輸出電壓波動(dòng)要求較高的場(chǎng)合。但正是由于SEPIC電路包含兩個(gè)電感,并且MOS管上的電壓為輸入電壓與輸出電壓的和,而B(niǎo)OOST電路MOS兩端電壓為輸出電壓,從而使得SEPIC電路的整體效率相比于BOOST電路來(lái)說(shuō)要略低一點(diǎn),所以BOOST功率因數(shù)校正電路更適用于對(duì)電路整體效率要求較高的場(chǎng)合。

3.2 實(shí)際應(yīng)用分析

    從上文實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析可以看出,SEPIC功率因數(shù)校正電路的功率因數(shù)要高于BOOST電路,并且輸出電壓紋波系數(shù)小,更適用與對(duì)功率因數(shù)和輸出電壓紋波要求較高的場(chǎng)合,比如LED驅(qū)動(dòng)電源。這個(gè)部分以LED驅(qū)動(dòng)電源為例,驗(yàn)證上文分析的正確性。LED驅(qū)動(dòng)器原理圖見(jiàn)圖6。

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    SEPIC LED驅(qū)動(dòng)器采用雙閉環(huán)控制,外部電壓環(huán)輸出作為內(nèi)部電流環(huán)輸入,在實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正的同時(shí)也達(dá)到了穩(wěn)定輸出電流的目的。實(shí)測(cè)滿載時(shí)SEPIC LED驅(qū)動(dòng)器功率因數(shù)為0.995,輸出電流紋波系數(shù)為3.16%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)圖7,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,SEPIC功率因數(shù)校正電路應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電源時(shí)可以很好地達(dá)到功率因數(shù)校正的目的,并且可以滿足LED對(duì)電流紋波的嚴(yán)格要求。

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4 結(jié)語(yǔ)

    本文通過(guò)分析,設(shè)計(jì)了BOOST和SEPIC兩款單級(jí)功率因數(shù)校正器。在相同的功率等級(jí),相同的輸入電壓范圍以及相同的開(kāi)關(guān)頻率的情況下比較兩個(gè)轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。通過(guò)比較發(fā)現(xiàn),BOOST功率因數(shù)校正電路整體效率較高,并且在負(fù)載變化時(shí)THD值可以維持在一個(gè)較低的水準(zhǔn)。所以,BOOST功率因數(shù)校正電路更適合用于對(duì)電路體積和效率要求較高的場(chǎng)合,如UPS電源和弧焊電源等。而SEPIC功率因數(shù)校正電路相比于BOOST而言可以達(dá)到更高的功率因數(shù),并且在負(fù)載變化時(shí)功率因數(shù)比較穩(wěn)定。同時(shí),SEPIC電路的輸出電壓紋波系數(shù)要明顯低于BOOST電路。所以SEPIC功率因數(shù)校正電路更適合于對(duì)功率因數(shù)和輸出電壓紋波要求較高的場(chǎng)合,如LED驅(qū)動(dòng)電源等。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,選擇一個(gè)更適合具體應(yīng)用場(chǎng)合的功率因數(shù)校正電路需要考慮各方面的因素,應(yīng)根據(jù)不同的需要來(lái)選擇在一些方面表現(xiàn)出更好特性的電路。

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作者信息:

沈黎韜,陶雪慧,楊  斌

(蘇州大學(xué) 城市軌道交通學(xué)院,江蘇 蘇州215131) 

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