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NXP MRFX1K80H晶體管在貿(mào)澤開售 65V LDMOS技術(shù)讓射頻功率設(shè)計(jì)提速

2017-10-23
關(guān)鍵詞: 貿(mào)澤電子 NXP NPI MRFX1K80H

       2017年10月20日 – 專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics),即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管。MRFX1K80H 是MRFX系列射頻 (RF) MOSFET晶體管,此系列器件采用了最新的LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)。MRFX1K80H運(yùn)用LDMOS技術(shù)來提高寬頻應(yīng)用的輸出功率,同時(shí)維持適當(dāng)?shù)妮敵鲎杩埂?/p>

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        貿(mào)澤備貨的NXP MRFX1K80H LDMOS晶體管能在65V連續(xù)波時(shí)提供1800W功率,適用于1.8至470 MHz的射頻應(yīng)用,并且能在所有相角下提供65:1的電壓駐波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗,可縮短整體開發(fā)時(shí)間。MRFX1K80H 設(shè)計(jì)用于30V到65V擴(kuò)展級(jí)電源范圍,并具備高擊穿電壓特性,能增強(qiáng)可靠性,提升效率。這種耐高壓特性還可降低系統(tǒng)電流,從而限制直流電源上的應(yīng)力并減少磁輻射。高輸出功率還能減少晶體管數(shù),簡化功率放大器復(fù)雜度,并降低整體成本。

        MRFX1K80H適用于具有適當(dāng)偏置的線性應(yīng)用,并提供集成靜電放電 (ESD) 防護(hù),改善C類放大器運(yùn)行性能。MRFX1K80H的目標(biāo)應(yīng)用包括工業(yè)、科學(xué)與醫(yī)療 (ISM) 應(yīng)用以及廣播、航空航天與移動(dòng)無線電設(shè)備。

        更多有關(guān)NXP MRFX1K80H LDMOS晶體管的信息,敬請?jiān)L問http://www.mouser.com/new/nxp-semiconductors/nxp-mrfx1k80/。

        貿(mào)澤電子擁有豐富的產(chǎn)品線與卓越的客服,通過提供采用先進(jìn)技術(shù)的最新產(chǎn)品來滿足設(shè)計(jì)工程師與采購人員的創(chuàng)新需求。我們庫存有全球最廣泛的最新半導(dǎo)體及電子元件,為客戶的最新設(shè)計(jì)項(xiàng)目提供支持。Mouser網(wǎng)站Mouser.cn不僅有多種高級(jí)搜索工具可幫助用戶快速了解產(chǎn)品庫存情況,而且網(wǎng)站還在持續(xù)更新以不斷優(yōu)化用戶體驗(yàn)。此外,Mouser網(wǎng)站還提供數(shù)據(jù)手冊、供應(yīng)商特定參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計(jì)信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。

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