近年來，節(jié)能化趨勢日益加速，隨著日本節(jié)能法的修訂，家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實際使用情況的能效標識APF（Annual Performance Factor）※4，不再僅僅關(guān)注功率負載較大的設(shè)備啟動時和額定條件下的節(jié)能，要求負載較小的正常運轉(zhuǎn)時更節(jié)能的趨勢日益高漲。據(jù)稱，在全球的電力需求中，近50%被用于驅(qū)動電機，隨著空調(diào)在新興國家的普及，全球的電力局勢逐年嚴峻。在這種背景下，ROHM開發(fā)出PrestoMOS，非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機驅(qū)動，可大大降低應(yīng)用正常運轉(zhuǎn)時的功耗，滿足了社會的節(jié)能需求。

日前，ROHM宣布推出高速trr型600V 超級結(jié)MOSFET PrestoMOS產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”，非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機驅(qū)動。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET，以業(yè)界最小的開關(guān)損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評。

此次開發(fā)的“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化ROHM獨有的芯片結(jié)構(gòu)，在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎(chǔ)上，還成功地使Ron※2和Qg※3顯著降低。由此，在變頻空調(diào)等電機驅(qū)動的應(yīng)用中，輕負載時的功率損耗與以往的IGBT相比，降低約56%，節(jié)能效果非常明顯。

不僅如此，“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢，還實現(xiàn)了超強的短路耐受能力，減輕了因電路誤動作等導(dǎo)致的異常發(fā)熱帶來的破壞風險，有助于提高應(yīng)用的可靠性。

據(jù)了解，R60xxMNx系列產(chǎn)品具備三大特征。

1． 業(yè)界最快的trr性能、低Ron、低Qg，有助于應(yīng)用節(jié)能

一般MOSFET具有高速開關(guān)和低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)點，設(shè)備正常運轉(zhuǎn)時可有效降低功耗?！癛60xxMNx系列”利用ROHM獨有的Lifetime控制技術(shù)，不僅保持了業(yè)界最快trr性能，而且Ron和Qg更低，非常有助于變頻電路的節(jié)能。

2．超強短路耐受能力，確?？煽啃?/strong>

通常，一旦發(fā)生短路，即具有電路誤動作、流過超出設(shè)計值的大電流、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性。一直以來，因性能與短路之間的制約關(guān)系，確保超強的短路耐受能力是非常困難的，而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢，對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進行了優(yōu)化，可確保電機驅(qū)動所必須的短路耐受能力，有助于提高應(yīng)用的可靠性。

3．自導(dǎo)通損耗微小

自導(dǎo)通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，高邊主開關(guān)一旦導(dǎo)通，則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加，電壓被柵極感應(yīng)，柵極電壓上升，MOSFET誤動作。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化寄生電容，可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi)。

＜產(chǎn)品陣容表＞

☆開發(fā)中

另外，產(chǎn)品陣容包括下述封裝產(chǎn)品，詳情敬請垂詢。同時，TO-263(LPTS)封裝的樣品也準備了一部分。