加利福尼亞，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的（7LP）FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網(wǎng)絡基礎設施等應用的需求。設計套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產(chǎn)品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現(xiàn)遠優(yōu)于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產(chǎn)品相比，預計面積將縮小一半，同時處理性能提升超過40%。目前，在格芯位于紐約薩拉托加縣的全球領先的Fab 8晶圓廠內(nèi)，該技術已經(jīng)做好了為客戶設計提供服務的準備。

格芯CMOS業(yè)務部高級副總裁Gregg Bartlett先生表示：“我們的7納米FinFET技術正在按計劃進行開發(fā)。我們看到，格芯在2018年計劃出廠的多樣化產(chǎn)品對客戶有著強大吸引力。在推動7納米芯片于未來一年中實現(xiàn)市場化的同時，格芯正在積極開發(fā)下一代5納米及其后續(xù)的技術，以確保我們的客戶能夠在最前沿領域內(nèi)獲取世界級的技術藍圖。”

格芯還將持續(xù)投資下一代技術節(jié)點的研究與開發(fā)。通過與合作伙伴IBM和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7納米測試芯片。此后，格芯又于近日宣布業(yè)內(nèi)首款基于硅納米片晶體管的5納米的樣片。目前，格芯正在探索一系列新的晶體管架構，以幫助其客戶邁進下一個互聯(lián)的智能時代。

格芯的7納米FinFET技術充分利用了其在14納米FinFET技術上的批量制造經(jīng)驗，該技術于2016年初2月8日在Fab 8晶圓廠中開始生產(chǎn)。自那時起，格芯已為廣泛的客戶提供了“一次成功”的設計。

為了加快7LP的量產(chǎn)進程，格芯正在持續(xù)投資最新的工藝設備能力，包括在今年下半年首次購進兩個超紫外光（EUV）光刻工具。7LP的初始量產(chǎn)提升將依托傳統(tǒng)的光刻方式，當具備批量生產(chǎn)條件時，將遷移至EUV光刻技術。

引言：

       “我們很高興看到格芯先進的7納米工藝所帶來的領先技術。AMD與格芯的合作集中于創(chuàng)造高性能的產(chǎn)品，從而帶來更沉浸式和更直觀的計算體驗?！?/em>

 —— Mark Papermaster，AMD高級副總裁兼首席技術官

       “雖然晶體管結構并非技術成功的唯一重要因素，但仍然承擔著極其關鍵的作用。這是7納米芯片批量生產(chǎn)歷程中的重要里程碑，證明了格芯的工藝流程已經(jīng)成熟到足以開始進行真正的客戶產(chǎn)品設計。同時，該公司已經(jīng)在向5納米及更精細的芯片市場邁進。目前世界上能駕馭此種領先創(chuàng)新技術的公司屈指可數(shù)，格芯無疑是這個精英團隊中的重要一員?！?/em>

—— Patrick Moorhead，Moor Insights & Strategy公司總裁兼首席分析師

       “格芯不斷展現(xiàn)了美國在前沿技術領域中的領先地位，如果能繼續(xù)在7納米芯片的研究中進步，格芯將成為第一個跨過該領域全部技術節(jié)點的公司。在過去，有很多人還沒有走到格芯今天的這一步，便失敗了。這是從摩爾定律中汲取價值而產(chǎn)生的一種全新戰(zhàn)略方式，在艱難繞過10納米領域后，格芯發(fā)力攻克7納米領域。其他公司則是把資源分散，來進行半程或四分之一節(jié)點處的研發(fā)?！?/em>

—— Dan Hutcheson，VLSI Research公司總裁兼董事長