三星與GlobalFoundries(GF)都以攻擊態(tài)勢進(jìn)軍晶圓代工事業(yè)，其中以臺積電為假想敵的三星，更宣稱將比臺積電更早推出10nm的方案，也會更早導(dǎo)入EUV的設(shè)備，希望在幾年內(nèi)翻轉(zhuǎn)晶圓代工產(chǎn)業(yè)被臺積電獨占利益的格局。GlobalFoundries也以新的22nm FD-SOI工程架構(gòu)投入新的戰(zhàn)局，除了美國的工廠擴(kuò)廠之外，還計劃落腳成都，也讓一度乏人問津FD-SOI，再受到矚目！

市占率排名第一的臺積電，最近也推出22nm ULP、12nm FFC、7+nm EUV等專案制程應(yīng)戰(zhàn)，其中又以7+nm EUV最受矚目。據(jù)外電報導(dǎo)，臺積電原先在導(dǎo)入EUV時，抱持著消極的態(tài)度，甚至傳言到5nm時才會導(dǎo)入。但最近面對GlobalFoundries的積極攻擊時，選擇了22nm與12nm的制程，迎戰(zhàn)GF的22nm FD-SOI，而三星的10nm計劃，也深受臺積電注意。

原先市場的認(rèn)知是，EUV的設(shè)備到5nm世代才會真正導(dǎo)入，但三星與臺積電同步提前到2018年的7nm世代便引用EUV的設(shè)備，獲利的當(dāng)然是ASML這些生產(chǎn)設(shè)備的業(yè)者，但也因為Multi-patterning的次數(shù)減少，對一些生產(chǎn)蒸鍍設(shè)備的業(yè)者，就會有不利的影響。

至于FD-SOI的技術(shù)，原先是由ST Micro所研發(fā)的，并與FinFET具有相互替代效益的技術(shù)。在FinFET技術(shù)的排擠下，F(xiàn)D-SOI一度乏人問津，但在三星與GlobalFoundries相繼導(dǎo)入之后，似乎有了新的轉(zhuǎn)機(jī)。此項技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用時，具有低耗電的特色，而用于爭取晶圓代工的商機(jī)上也頗受矚目。

過去幾年，三星在晶圓代工上的投資似乎不如預(yù)期般的順利。原本寄望極高的14nm制程，竟然在與臺積電的16nm對抗之際鎩羽，甚至連蘋果的訂單都遭到突襲，而預(yù)期可以搶到的NVIDIA訂單也無法如愿。晶圓代工市場排名第二的GlobalFoundries，因為14nm的制程難以獨力完成，不得不與三星結(jié)盟，也有特定客戶遭到臺積電的突襲。臺積電的16nm制程，顯然大獲全勝，也讓臺積電獨領(lǐng)風(fēng)騷的黃金時代繼續(xù)延續(xù)。

根據(jù)Gartner的估計，2017年全球晶圓代工市場是567億美元，其中臺積電占54%，而市占率5~10%的競爭者包括GlobalFoundries、聯(lián)電、三星與中芯國際，一、二線廠商的市占率明顯有一段差距，但三星顯然不愿意就范。三星在2016年底開始進(jìn)入10nm的階段，并生產(chǎn)用于Snapdragon 835與自家Exynos的應(yīng)用處理器，在進(jìn)度上再度超前臺積電。值得注意的是，在工程技術(shù)進(jìn)展順利的信心下，三星在原有華城工廠旁又新建生產(chǎn)線，原本停滯的晶圓代工部門資本支出，在2017年開始出現(xiàn)回升。

另外在EUV等新設(shè)備的導(dǎo)入上，三星也比臺積電、英特爾更為積極。據(jù)外電報導(dǎo)，臺積電、英特爾都原計劃在2019年導(dǎo)入5nm技術(shù)時，才開始布局EUV制程。但三星顯然更為積極，并從7nm開始導(dǎo)入EUV，這也可能會刺激臺積電原先的布局計劃。目前臺積電最新的EUV進(jìn)展是EUV最新曝光機(jī)臺已經(jīng)可以達(dá)到連續(xù)3天穩(wěn)定處理超過1,500片12寸晶圓。

GlobalFoundries不僅強(qiáng)力推動FD-SOI的工程技術(shù)，也計劃在7nm世代，以自力研發(fā)的的模式推進(jìn)。三星在晶圓代工事業(yè)的資本支出，估計2015年時約21億美元的高峰，但之后的2016年跌到13.6億美元，2017年估計為15.1億美元，2018年將回升為16億美元。相較之下，臺積電2017年估計將達(dá)102億美元，2018年、2019年都可達(dá)110億美元上下。估計，全球晶圓代工業(yè)的投資總額，將從2015年的172億美元，增加到2018年的214億美元，而臺積電為了對抗三星的7nm EUV計劃，也應(yīng)該會提前在7nm世代布局EUV，對抗GF則以22nm的FD-SOI應(yīng)戰(zhàn)。