臺積電當(dāng)下的10nm工藝苦陷良率較低的難題，導(dǎo)致聯(lián)發(fā)科的helio X30未能如期上市，在這個(gè)當(dāng)口其推出了16nm FinFET的改進(jìn)版12nm FinFET工藝，這應(yīng)該是華為海思和聯(lián)發(fā)科的更好選擇。

臺積電目前依然在對10nm工藝進(jìn)行改進(jìn)，并用于生產(chǎn)蘋果的A10X處理器，到了三季度該工藝又將用于生產(chǎn)蘋果的A11處理器，在這樣的情況下其10nm工藝的產(chǎn)能緊張狀況將至少延續(xù)到今年三季度，而且由于其向來優(yōu)先照顧蘋果的傳統(tǒng)能分給華為海思和聯(lián)發(fā)科的產(chǎn)能必然會相當(dāng)有限。

臺積電的12nm FinFET在當(dāng)前的16nm FinFET工藝上改進(jìn)而來，擁有更高的晶體管密度和更低的功耗，在當(dāng)前10nm工藝良率低下的情況下，12nm FinFET工藝可以幫助它吸引客戶。

華為海思將在今年10月-11月之間發(fā)布新款的高端芯片，估計(jì)命名為麒麟970，如果其選擇臺積電的10nm工藝的話由于臺積電的10nm工藝產(chǎn)能緊張就有可能重演2015年的麒麟950延遲量產(chǎn)的覆轍，在這樣的情況下選擇臺積電的12nm工藝將是不錯(cuò)的選擇。

去年華為海思就選擇了穩(wěn)妥的辦法，采用臺積電成熟的16nm FinFET工藝生產(chǎn)其新款高端芯片麒麟960，按計(jì)劃推出了這款芯片。聯(lián)發(fā)科則希望率先采用臺積電的10nm工藝，通過采用更先進(jìn)的工藝獲得更低的功耗和更高的性能以與高通競爭，結(jié)果就是當(dāng)下的尷尬局面，受制于臺積電的10nm量產(chǎn)進(jìn)程和良率問題helio X30遲遲未能上市，聯(lián)發(fā)科的另一款芯片P35同樣因臺積電的10nm工藝量產(chǎn)影響，讓中國手機(jī)企業(yè)失去了耐心，紛紛放棄采用其芯片。

在helio X30和P35失去了中國手機(jī)企業(yè)支持的情況下，聯(lián)發(fā)科推新款芯片就勢在必行，但是在臺積電的10nm工藝產(chǎn)能緊張的情況下，采用12nm FinFET工藝可以確保其新款芯片的上市。

另一個(gè)是12nm FinFET工藝是在16nm FinFET上改進(jìn)而來，工藝更成熟，良率高，成本自然更低，聯(lián)發(fā)科的毛利已創(chuàng)下新低；華為海思的芯片主要是自家使用，規(guī)模較小，同樣需要控制成本，在這樣的情況下采用成本較10nm工藝更低的12nm對它們來說也是十分合適的。