半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）6日發(fā)布的報告顯示，全球半導體市場在2017年迎來良好開局，受中國市場強勁表現(xiàn)的推動，1月份全球芯片銷量同比增長13.9%，達到306億美元，增幅創(chuàng)2010年11月以來最高。報告顯示，1月面向中國市場的芯片銷售同比增長20.5%，面向美國市場的銷售增長13.3%，對日銷售增長12.3%，對歐銷售增長4.8%。
從這一數(shù)據(jù)上來看，中國芯片進口量還在不斷增加，全國政協(xié)委員、中國中信集團有限公司董事長常振明說：“中國在很多高科技領域產(chǎn)能明顯不足，比如半導體行業(yè)、集成電路，每年進口芯片花費的外匯遠遠超過石油?！?/p>
另據(jù)貝恩咨詢公司的數(shù)據(jù)顯示，中國每年消費的半導體價值超過1千億美元，占全球出貨總量的近1/3，但中國半導體產(chǎn)值僅占全球的6%～7%。 許多進口芯片被裝配于個人計算機、智能手機以及其他設備，隨后出口至海外，但中國芯片商生產(chǎn)的半導體數(shù)量與中國本身消費的半導體數(shù)量之間，仍存在巨大缺口。
根據(jù)市場研究機構IC Insights數(shù)據(jù)，2016年，全球半導體市場規(guī)模約3600億美元。最新的前20排名中，美國有8家半導體廠入榜，日本、歐洲與中國臺灣地區(qū)各有3家，韓國有兩家擠進榜單，新加坡有一家上榜。中國大陸仍沒有一家企業(yè)上榜。
全國人大代表、中國工程院院士鄧中翰建議，為加速我國自主芯片的開發(fā)進程，應加大對重點企業(yè)的金融支持力度，扶持自主芯片企業(yè)在境內外上市融資、發(fā)行各類債務融資工具，以及依托全國中小企業(yè)股份轉讓系統(tǒng)加快發(fā)展；通過精準扶持、技術扶貧方式，為行業(yè)領先的自主芯片企業(yè)開辟境內上市“綠色通道”。
他建議，科技部牽頭加大對自主芯片研發(fā)的支持力度，發(fā)改委和財政部予以項目立項和經(jīng)費支持；鼓勵和支持國家科研單位和芯片企業(yè)間建立長期和深層的合作機制，以便調集和整合各個研發(fā)機構的實力，合力支撐我國在國際競爭中的領先地位。
另外，他建議通過國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，加大對自主芯片開發(fā)的投入力度，在目前重點支持制造企業(yè)的同時，注重對芯片設計企業(yè)的經(jīng)費支持；支持設立地方性集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，鼓勵社會各類風險投資和股權投資基金進入芯片技術領域。加強自主芯片技術的知識產(chǎn)權轉化和保護，通過實施知識產(chǎn)權戰(zhàn)略，提高我國芯片產(chǎn)業(yè)的科技創(chuàng)新水平；建立國家重大項目知識產(chǎn)權風險管理體系，引導建立知識產(chǎn)權戰(zhàn)略聯(lián)盟，積極探索與知識產(chǎn)權相關的直接融資方式和資產(chǎn)管理制度。
中國集成電路行業(yè)十三五期間最重要的政策目標為，2020年國內核心基礎零組件與關鍵基礎材料自給率達40%，2025年進一步提升至70%。不過以2015年國內IC內需市場自給率尚不及20%來看，十三五規(guī)劃期間，除晶圓代工與封裝測試產(chǎn)能必須大幅擴充外，國內IC設計企業(yè)需要在關鍵核心產(chǎn)品上投入更多研發(fā)。
市場研究機構IC Insights指出，要實現(xiàn)中國政府的十三五規(guī)劃中的IC自制率達70%的目標，需要依靠兩個基本要素：資金和技術，缺一不可。
面對國產(chǎn)存儲芯片的現(xiàn)狀，不少公司開始發(fā)力。
以兆易創(chuàng)新為例，公司擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式收購北京矽成100%股權。北京矽成100%股權的交易價格暫定為65億元。公司表示，上市公司與標的公司均主要從事集成電路存儲芯片及其衍生產(chǎn)品的研發(fā)、技術支持和銷售，交易完成后可以形成良好的規(guī)模效應。本次交易將為上市公司引進存儲芯片研發(fā)設計領域的優(yōu)秀研發(fā)人員以及國際化管理團隊，為上市公司國際化縱深發(fā)展注入動力。
長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND Flash存儲器研發(fā)項目取得新進展，32層3D NAND Flash芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求，實現(xiàn)了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關鍵一步。
紫光集團宣布投資約2063億元在南京建設半導體產(chǎn)業(yè)基地，一期建成后，將是中國規(guī)模最大的芯片制造工廠，月產(chǎn)量將達10萬片。
據(jù)悉，紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地已于近日開工建設，主要產(chǎn)品為3D NAND Flash、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約687.67億元。
霍雨濤表示，國產(chǎn)存儲芯片發(fā)展面臨巨大的機遇與挑戰(zhàn)。國內廠商積極開展存儲芯片相關研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作，并取得了階段性進展。隨著資金、政策、人員等各種條件的成熟，行業(yè)發(fā)展拐點已經(jīng)來臨。