3D 架構的 NAND 型快閃內(nèi)存(Flash Memory)競爭越來越激烈，東芝(Toshiba)于去年 7 月宣布領先全球同業(yè)開始提供堆疊 64 層的  256Gb(32GB)3D Flash 的樣品出貨，之后三星于去年 8 月宣布，堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品將在 2016 年  Q4(10-12月)開賣。而現(xiàn)在又換東芝出手，宣布容量提高 1 倍的 64 層 512Gb(64GB)3D Flash  已進行送樣，且將在今年下半年量產(chǎn)。

東芝 22 日發(fā)布新聞稿宣布，采用堆疊 64 層制程技術的 512Gb(64GB)3D Flash 已于 2 月上旬進行樣品出貨，且預計將在 2017  年下半年進行量產(chǎn)，主要用于搶攻數(shù)據(jù)中心 / PC 用 SSD等市場。另外，堆疊 16 片 512Gb 芯片、實現(xiàn)業(yè)界最大容量 1TB 的產(chǎn)品預計將在今年 4  月進行樣品出貨

東芝表示，和 48 層 256Gb 產(chǎn)品相比，64 層 512Gb 產(chǎn)品每單位面積的記憶容量擴大至約 1.65 倍，且每片晶圓所能生產(chǎn)的記憶容量增加，每  bit 成本也下滑。

產(chǎn)經(jīng)新聞報導，據(jù)東芝指出，東芝是全球第一家提供 64 層 512Gb 3D Flash 樣品的廠商;東芝已于今年 1 月量產(chǎn) 64 層 256Gb 3D  Flash 產(chǎn)品。

報導指出，東芝推出 512Gb 產(chǎn)品，就是要用來對抗三星等競爭對手，而韓國 SK Hynix 則計劃在今年下半年量產(chǎn) 72  層產(chǎn)品，研發(fā)競爭益發(fā)激烈。