艾邁斯半導體（ams AG）推出高性能模擬低噪聲CMOS制程工藝（“A30”）。這種新型的A30制程工藝具有卓越的噪聲性能，并通過光刻工藝使體積縮小至艾邁斯半導體高級0.35μm高壓CMOS制程工藝系列產品的0.9倍。

A30技術包括性能優(yōu)化的絕緣3.3V器件（NMOSI和PMOSI）、絕緣3.3V低壓器件（NMOSIL和PMOSIL）、一個具有薄柵氧化層厚度的絕緣高壓器件（(NMOSI20T)、垂直雙極型晶體管（VERTN1和VERTPH）以及一個絕緣3.3V超級低噪聲晶體管（NMOSISLN），可以提供0.46 pA/?Hz水平的閃爍噪聲（@ 1kHz，ID = 1μA @ Vds = 3V，10x1.2μm2）。與H35制程工藝相比，可以降低高漏電流的閃爍噪聲至少4至10倍。整個器件還包括各種電容（聚酯電容、插入式電容和MOS電容）和電阻（擴散電阻、阱電阻、聚酯電阻、高阻聚酯電阻和精密電阻）等無源器件。

A30制程工藝非常適用于超低噪聲傳感應用和需要噪聲優(yōu)化輸入級或高信噪比的模擬讀出集成芯片，可為消費類電子產品、汽車、醫(yī)療和物聯(lián)網設備開發(fā)出創(chuàng)新型的解決方案。A30制程工藝由艾邁斯半導體先進的200mm制造工廠制造并全面檢測，可確保極低的缺陷密度和最高產量。所有0.30μm元件均按照0.35μm器件繪制并驗證。在光罩車間內根據(jù)完整的GDSII數(shù)據(jù)進行制程微縮（0.9倍），使得單位面積的晶圓可以生產出更多尺寸較小的芯片。

艾邁斯半導體晶圓代工事業(yè)部總經理Markus Wuchse表示：“我們的A30高性能模擬低噪聲制程工藝可以幫助開發(fā)出更具競爭力的傳感應用和模擬讀出集成芯片，噪聲性能優(yōu)越是其一大關鍵。代工客戶利用A30制程工藝生產復雜的集成芯片可以獲得雙重收益，超低噪聲晶體管具有行業(yè)標準的閃爍噪聲系數(shù)，提高了性能，而光學收縮又大大減少了噪聲敏感應用的芯片面積?！?br/>
A30制程工藝由艾邁斯半導體知名的行業(yè)設計套件hitkit提供支持?；贑adence公司的Virtuoso?定制集成芯片技術6.1.6，新的hitkit套件可幫助設計團隊大幅縮減競爭激烈的密集模擬混合信號產品的上市時間。新的hitkit套件具備高精確仿真模型和基于Calibre和Assura以及靈活的SKILL參數(shù)單元（PCells）的提取和驗證運行設置，可提供全面的設計環(huán)境和成熟的硅路線?，F(xiàn)在，如需獲得支持A30制程工藝的4.15版新hitkit套件，可登錄晶圓代工支持服務器http://asic.ams.com/hk415。

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