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美國阻擋下 大陸半導體企業(yè)或加速挖角行動

2017-01-11
關鍵詞: 半導體 NAND Flash

中國大陸大力扶植半導體產(chǎn)業(yè),遭遇美國川普新政府全力阻擋,未來恐加速自主研發(fā)。資深半導體業(yè)界人士分析,中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)進入群雄爭頭,對外挖角行動也會加快,借將臺廠資深半導體精英,只是序幕,且未來挖角行動也會擴大到其他國家。

中國大陸稍早在國家發(fā)展半導體集成綱要中,明定中芯和紫光為主導邏輯晶片和存儲器兩大指標廠,不過各地方競相爭首,希望獲得中央關注及國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)青睞注資。

中芯目前是中國大陸晶片制造龍頭,但和全球尖端制造廠相比,技術仍落后一大截,雖然中芯去年市值超越聯(lián)電,但因兩地本益比落差大,扣除這些因素,加上大陸政策在光罩等項目給予補助,聯(lián)電價值遠在中芯之上,更遑論要和臺積電抗衡。

紫光集團也看中中芯目前遭遇瓶頸,希望匯集各方寵愛光環(huán),快速切入邏輯晶片制造,與記憶體雙軌并進,超越中芯,成為全中國大陸最大的芯片制造廠。

因此紫光近期在存儲器領域接管武漢新芯,并與大基金合資成立長江存儲公司,另在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠,為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。

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不過紫光在存儲器領域,同樣面臨合肥長鑫和福建晉華有意角逐卡位的競爭。

這些半導體投資,最具關鍵是就是技術。目前南韓三星和SK海力士都已拒絕提供技術給大陸半導體廠,陸資目標幾乎都鎖定爭取和美國合作。

但美國白宮科技顧問向川普政府建議,面對中國大陸全力推動半導體科技,應基于國家安全理由加強保護美國半導體業(yè)。川普上臺后可能更嚴加限制中國大陸投資美國半導體業(yè)。半導體業(yè)者深信這股虹吸力量擋不住,如何留才和育才,考驗政府和企業(yè)的智慧。


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