標簽：dcdc，nexfet，mosfet，tps546c23，swift

　　電壓穩(wěn)壓器，特別是集成MOSFET的直流/直流轉換器，已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡易、低功耗電壓調節(jié)器，發(fā)展到現在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應地適應所處環(huán)境。

　　以前，需要高于10-15A電流的應用通常依賴于具有外部MOSFET的控制器，以提供所需功率完成工作。轉換器盡管可讓設計的布局更簡單，使用物料清單（BOM）中的組件更少，同時還能提供具有高可靠性的高密度解決方案，但可提供的功率相對有限。

　　諸如網絡路由器、交換機、企業(yè)服務器和嵌入式工業(yè)系統等應用的耗電量越來越高，需要30A、40A、60A或更高電流以用于它們的負載點（POL）設計。當適應控制器和外部MOSFET時，這些應用極大地限制了主板空間。

　　MOSFET和封裝技術的進步使得TI能夠成功應對這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率MOSFET的新一代MOSFET，在給定的硅面積中具有更低電阻率（R DS(on)），以實現更高的電流容量。我們的PowerStack?封裝技術將集成電路（IC）和MOSFET相互堆疊（見圖1），以提供能夠供應每相35A-40A的轉換器。為達到新高度，TI目前提供的轉換器，比如TPS546C23 SWIFTTM轉換器，可實現電流堆疊（見圖2），提供高達70A的POL。

　　下載參考設計“采用具有PMBus 接口的堆疊 TPS546C23 DC/DC 轉換器的12Vin、1.2Vout、60A大功率密度頂部電感器負載點（POL）”。

　　圖1：PowerStack封裝實現高密度

　　圖2：堆疊兩個DC / DC轉換器實現更高負載電流

　　處理高密度功率環(huán)境需要優(yōu)化系統功率和動態(tài)電源管理（APM）。例如，1VOUT30A POL中10％的電壓上下波動范圍會影響封裝熱量，達到0.5W！避免過多熱量留在安全操作區(qū)域（SOA），且不影響系統的可靠性至關重要。為了實時正確管理電源（見圖3），監(jiān)測遙測參數（如電流，電壓和溫度）至關重要。TI 具有PMBus的新型TPS546C23轉換器支持遙測技術。

　　圖3：Fusion GUI通過PMBus管理電源

　　電壓穩(wěn)壓器從簡易低功率供電，發(fā)展到如今具有集成MOSFET的DC/DC轉換器，可以傳輸更高功率，并對環(huán)境進行監(jiān)控和適應?，F在，您可輕松地監(jiān)控、管理并堆疊TI的TPS546C23 PowerStack轉換器，提供高達70A的高密度、高性能POL。獲取更多信息并訂購評估面板。