2016年10月18日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布針對高能效設(shè)計和應用的OptiMOS? 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS? 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。

　　更環(huán)保的技術(shù)

　　英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放。OptiMOS? 5 150 V有助于實現(xiàn)這一目標，它可以降低電信設(shè)備能耗，或者改善電動汽車的功率和續(xù)航里程。

　　與它的下一代最佳替代產(chǎn)品相比，采用SuperSO8封裝的OptiMOS? 5 150 V可以將導通電阻RDS(on) 大幅降低25%。在導通電阻相同的情況下，該產(chǎn)品家族的FOMg比上一代產(chǎn)品優(yōu)化了高達29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代產(chǎn)品SuperSO8低72%——增強了通流耐受性。該產(chǎn)品家族的另一個杰出特性是其更出色的EMI性能。

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　　圖片說明：

　　采用SuperSO8封裝的OptiMOS? 5 150 V可以將導通電阻RDS(on) 大幅降低25%。超低Qrr——比采用SuperSO8封裝僅次于它的替代產(chǎn)品低72%——增強了通流耐受性。