隨著GPU效能的提升，對顯卡存儲器的要求也越來越高，高頻寬、低延遲存儲器成為研發(fā)的熱點。在這方面，除了革命性的HBM顯卡存儲器之外，現(xiàn)有 GDDR顯卡存儲器還會繼續(xù)升級，美光主導(dǎo)的GDDR5X存儲器只是過渡版，下一代顯卡存儲器標(biāo)準(zhǔn)將是GDDR6，預(yù)計2018年隨著DDR5標(biāo)準(zhǔn)問世， 速率可達(dá)14-16Gbps。

　 　現(xiàn)在的GDDR5存儲器已經(jīng)發(fā)展到了8Gb顆粒、8Gbps速率，AMD、NVIDIA顯卡都已經(jīng)用上，NVIDIA的GTX 1080顯卡還率先采用GDDR5X，頻率10Gbps，后者也是JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，潛在目標(biāo)速率可達(dá)14Gbps，不過GDDR5X只有美光在搞，三星、 SK Hynix看起來是沒有打算推出GDDR5X。

　　在日前的Hot Chips 2016國際會議上，三星公開討論了后GDDR5時代的顯卡存儲器標(biāo)準(zhǔn)，提出新一代顯卡存儲器速率在14-16Gbps，電壓1.35V，簡單來說就是在保持時鐘頻率1.75GHz的情況下，將數(shù)據(jù)頻率至少翻倍。

　　從三星給出的路線圖來看，下一代存儲器標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計會在2018年問世，其中DDR5速率超過3Gbps，LPDDR5速率超過6Gbps，而GDDR5頻率超過14Gbps，而且新標(biāo)準(zhǔn)會更節(jié)能，LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)能效提升20%。

　　LP4X類似GDDR5X，也是過渡型號，IO電壓降低到了0.6V，IO部分節(jié)能45%，總體節(jié)能18%。